ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標準

GB/T26068—2010

硅片載流子復合壽命的無接觸微波反射

光電導衰減測試方法

Testmethodforcarrierrecombinationlifetimeinsiliconwafersbynon-contact

measurementofphotoconductivitydecaybymicrowavereflectance

2011-01-10發(fā)布2011-10-01實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T26068—2010

目次

前言…………………………

Ⅲ

范圍………………………

11

規(guī)范性引用文件…………………………

21

術語和定義………………

31

檢測方法概述……………

42

干擾因素…………………

53

設備………………………

64

試劑………………………

75

取樣及樣片制備…………………………

85

測試步驟…………………

97

報告………………………

108

精密度和偏差……………

118

附錄規(guī)范性附錄注入水平的修正…………………

A()9

附錄資料性附錄注入水平的相關探討……………

B()10

附錄資料性附錄載流子復合壽命與溫度的關系…………………

C()13

附錄資料性附錄少數(shù)載流子復合壽命……………

D()16

附錄資料性附錄測試方法目的和精密度…………

E()19

參考文獻……………………

20

Ⅰ

GB/T26068—2010

前言

本標準由全國半導體設備和材料標準化委員會材料分技術委員會歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位有研半導體材料股份有限公司瑟米萊伯貿易上海有限公司中國計量科學研

:、()、

究院萬向硅峰電子有限公司廣州昆德科技有限公司洛陽單晶硅有限責任公司

、、、。

本標準主要起草人曹孜孫燕黃黎高英石宇樓春蘭王世進張靜雯

:、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T26068—2010

硅片載流子復合壽命的無接觸微波反射

光電導衰減測試方法

1范圍

11本方法適用于測量均勻摻雜經過拋光處理的型或型硅片的載流子復合壽命本方法是非破

.、np。

壞性無接觸測量在電導率檢測系統(tǒng)的靈敏度足夠的條件下本方法也可應用于測試切割或者經過研

、。,

磨腐蝕硅片的載流子復合壽命

、。

12被測硅片的室溫電阻率下限由檢測系統(tǒng)靈敏度的極限確定通常在之間

.,0.05Ω·cm~1Ω·cm。

注本檢測方法適用于測量到范圍內的載流子復合壽命最短可測壽命值取決于光源的關斷特性

:0.25μs>1ms。

及衰減信號測定器的采樣頻率最長可測值取決于試樣的幾何條件以及樣片表面的鈍化程度配以適當?shù)拟g

,。

化工藝如熱氧化或浸入適當?shù)娜芤褐袑τ诠鑶尉伖馄幸?guī)定厚度的拋光片長到數(shù)十毫秒

,,GB/T12964《》,

的壽命值也可被測定

。

13分析工藝過程檢查沾污源以及對測量數(shù)據(jù)進行解釋以判別雜質中心的形成機理和本質不在本方

.、

法范圍內本方法僅在非常有限的條件下例如通過比對某特定工藝前后載流子復合壽命測試值可以

。,,

識別引入沾污的工序識別某些個別的雜質種類

,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

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GB/T1553—2009

半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定非接觸渦流法

GB/T6616

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GB/T6618

電子級水

GB/T11446.1

摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜濃度換算規(guī)則

GB/T13389、