標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 1553-2009 硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定 光電導(dǎo)衰減法》與前版《GB/T 1553-1997 硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定 光電導(dǎo)衰減法》相比，主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了調(diào)整和完善：

  1. 技術(shù)內(nèi)容更新：新版標(biāo)準(zhǔn)對(duì)測(cè)量原理、測(cè)試設(shè)備的要求、以及實(shí)驗(yàn)操作步驟進(jìn)行了細(xì)化和明確，以適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步和儀器設(shè)備的發(fā)展，提高了測(cè)試的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。

  2. 精度要求提升：針對(duì)測(cè)量精度，2009版標(biāo)準(zhǔn)對(duì)測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確度和精密度提出了更嚴(yán)格的要求，確保了測(cè)試數(shù)據(jù)的可靠性和對(duì)比性，有助于提高半導(dǎo)體材料性能評(píng)估的一致性。

  3. 術(shù)語(yǔ)和定義：對(duì)部分專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)進(jìn)行了修訂或新增，使其更加科學(xué)、規(guī)范，便于讀者理解和應(yīng)用，同時(shí)也與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)相接軌。

  4. 試驗(yàn)方法優(yōu)化：改進(jìn)了光電導(dǎo)衰減法的具體實(shí)施步驟，包括樣品制備、信號(hào)采集與處理等方面，旨在減少測(cè)試過(guò)程中的誤差來(lái)源，增強(qiáng)測(cè)試方法的實(shí)用性和有效性。

  5. 環(huán)境條件控制：加強(qiáng)了對(duì)測(cè)試環(huán)境條件（如溫度、濕度、電磁干擾等）的控制要求，明確了這些因素對(duì)測(cè)試結(jié)果可能產(chǎn)生的影響及相應(yīng)的補(bǔ)償措施，提升了測(cè)試環(huán)境的標(biāo)準(zhǔn)化水平。

  6. 數(shù)據(jù)處理與分析：提供了更詳盡的數(shù)據(jù)處理方法和分析指導(dǎo)，包括統(tǒng)計(jì)分析方法的應(yīng)用，幫助用戶更好地理解測(cè)試數(shù)據(jù)，進(jìn)行有效的質(zhì)量控制和性能評(píng)估。

  7. 標(biāo)準(zhǔn)適用范圍：雖然基本適用范圍保持不變，仍專(zhuān)注于硅和鍺材料，但新版標(biāo)準(zhǔn)考慮到了新材料和新工藝的發(fā)展，對(duì)一些特殊類(lèi)型的半導(dǎo)體材料或結(jié)構(gòu)也給出了適用性說(shuō)明。


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  • 2009-10-30 頒布
  • 2010-06-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 1553-2009硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS29045

H80.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T1553—2009

代替

GB/T1553—1997

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定

光電導(dǎo)衰減法

Testmethodsforminoritycarrierlifetimeinbulkgermanium

andsiliconbymeasurementofphotoconductivitydecay

2009-10-30發(fā)布2010-06-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定

光電導(dǎo)衰減法

ＧＢ／Ｔ１５５３—２００９

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京復(fù)興門(mén)外三里河北街１６號(hào)

郵政編碼：１０００４５

網(wǎng)址ｗｗｗ．ｓｐｃ．ｎｅｔ．ｃｎ

電話：６８５２３９４６６８５１７５４８

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社秦皇島印刷廠印刷

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開(kāi)本８８０×１２３０１／１６印張１字?jǐn)?shù)２４千字

２０１０年１月第一版２０１０年１月第一次印刷

書(shū)號(hào)：１５５０６６·１３９５５２

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書(shū)

犌犅／犜１５５３—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ１５５３—１９９７《硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比，主要有如下變化：

———新增加少子壽命值的測(cè)量下限范圍；

———?jiǎng)h除了有關(guān)“斬切光”的內(nèi)容；

———本標(biāo)準(zhǔn)將ＧＢ／Ｔ１５５３—１９９７中第７章“試劑和材料”和第８章“測(cè)試儀器”并為第６章“測(cè)量?jī)x

器”；

———本標(biāo)準(zhǔn)增加了“術(shù)語(yǔ)”章和“體壽命”的解釋?zhuān)?/p>

———本標(biāo)準(zhǔn)在“干擾因素”章增加了對(duì)各干擾因素影響的消除方法。

本標(biāo)準(zhǔn)的附錄Ａ為規(guī)范性附錄。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：峨嵋半導(dǎo)體材料廠。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：江莉、楊旭。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ１５５３—１９７９、ＧＢ５２５７—１９８５、ＧＢ／Ｔ１５５３—１９９７。

Ⅰ

書(shū)

犌犅／犜１５５３—２００９

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定

光電導(dǎo)衰減法

１范圍

１．１本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅和鍺單晶體內(nèi)少數(shù)載流子壽命的測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于非本征硅和鍺單晶體

內(nèi)載流子復(fù)合過(guò)程中非平衡少數(shù)載流子壽命的測(cè)量。

１．２本標(biāo)準(zhǔn)為脈沖光方法。這種方法不破壞試樣的內(nèi)在特性，試樣可以重復(fù)測(cè)試，但要求試樣具有特

殊的條形尺寸和研磨的表面，見(jiàn)表１。

表１單位為毫米

類(lèi)型長(zhǎng)度寬度厚度

Ａ１５．０２．５２．５

Ｂ２５．０５．０５．０

Ｃ２５．０１０．０１０．０

１．３本標(biāo)準(zhǔn)可測(cè)的最低壽命值為１０μｓ，取決于光源的余輝，而可測(cè)的最高壽命值主要取決于試樣的尺

寸，見(jiàn)表２。

表２單位為微秒

材料類(lèi)型Ａ類(lèi)型Ｂ類(lèi)型Ｃ

ｐ型鍺３２１２５４６０

ｎ型鍺６４２５０９５０

ｐ型硅

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