ICS77.040.01百21中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553—1997硅和錯(cuò)體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法Standardtestmethodsforminoritycarrierlifetimeinbulkgermaniumandsiliconbymeasurementofphotoconductivitydecay1997-06-03發(fā)布1997-12-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T1553-1997前本標(biāo)準(zhǔn)等效采用美國試驗(yàn)與材料協(xié)會(huì)ASTMF28—90《光電導(dǎo)衰減法測(cè)量錯(cuò)和硅體內(nèi)少數(shù)載流子壽命的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法》,結(jié)合我國的實(shí)際情況，對(duì)GB1553—79、GB5257—85進(jìn)行修訂而成的。本標(biāo)準(zhǔn)起草時(shí),刪去了F28—90中"有害說明"及"關(guān)鍵詞"章節(jié),刪減了“意義和用途"中的5.1～5.2條內(nèi)容，合并了“方法A"和"方法B”?？寂暗綄?shí)際應(yīng)用的需要，本標(biāo)準(zhǔn)把GB1553—79的附錄A《硅單品中少數(shù)載流子壽命測(cè)定高高頻光電導(dǎo)衰減法》非仲裁測(cè)量方法作為標(biāo)準(zhǔn)的附錄放在附錄八中。本標(biāo)準(zhǔn)從1997年12月1日起實(shí)施。本標(biāo)準(zhǔn)從生效之日起，同時(shí)代替GB1553—79、GB5257-85。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A是標(biāo)準(zhǔn)的附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)總公司提出本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量研究所歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：峨嵋半導(dǎo)體材料廠、中國有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量研究所、本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：吳道榮、劉文魁、尹建華、吳福立。

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)硅和錯(cuò)體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定CB/T1553-1997光電導(dǎo)衰減法-85StandardtestmethodsforminoritycarrierIifetimeinbulkgermaniumandsiliconbymeasurementofphotoconduetivitydecay1范圍1.1本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅和錯(cuò)單品體內(nèi)少數(shù)載流子壽命的測(cè)量方法、本本標(biāo)準(zhǔn)適用于非本征硅和錯(cuò)單品體內(nèi)載流子復(fù)合過程中非平衡少數(shù)載流子壽命的測(cè)量。1.2本標(biāo)準(zhǔn)包括兩種測(cè)試方法、1.2.1方法A一脈沖光方法，適用于錯(cuò)和硅1.2.2方法B——一折切光方法，僅適用于電阻率不小于1Q·cm的硅試樣1.3兩種方法都不破壞試樣的內(nèi)在特性，試樣可以重復(fù)測(cè)試，但要求試樣具有特殊的條形尺寸（見表1)和研磨的表面，一般不宜作其他用途。1.4本標(biāo)準(zhǔn)可測(cè)的最低壽命值取決于光源的余輝，而可測(cè)的最高壽命值主要取決于試樣尺寸（見表2）表1推薦的三種試樣尺寸mm寬度美型長度厚度2.515.02.5AB25.05.0c25.010.010.0表2武樣體壽命可測(cè)的最大值re材料類型A類型B類型C12632350型硅13001000n型硅38002引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)淮的條文。本標(biāo)淮出版時(shí)，所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性。GB/T1550—1997非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法GB/T1551—1995