ICS77040

H21.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T26068—2018

代替

GB/T26068—2010

硅片和硅錠載流子復(fù)合壽命的測(cè)試

非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減法

Testmethodforcarrierrecombinationlifetimeinsiliconwafersand

siliconingots—Non-contactmeasurementofphotoconductivitydecay

bymicrowavereflectancemethod

2018-12-28發(fā)布2019-11-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T26068—2018

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

方法原理

4…………………2

干擾因素

5…………………2

儀器設(shè)備

6…………………4

試劑

7………………………6

樣品

8………………………6

測(cè)試步驟

9…………………7

精密度

10……………………9

試驗(yàn)報(bào)告

11…………………9

附錄資料性附錄注入水平的修正

A()…………………10

附錄資料性附錄注入水平的相關(guān)探討

B()……………11

附錄資料性附錄載流子復(fù)合壽命與溫度的關(guān)系

C()…………………14

附錄資料性附錄少數(shù)載流子復(fù)合壽命

D()……………17

附錄資料性附錄測(cè)試體復(fù)合壽命少數(shù)載流子壽命和鐵含量的進(jìn)一步說(shuō)明

E()、…19

附錄資料性附錄中的測(cè)試方法目的和精密度

F()SEMIMF1535-1015……………23

參考文獻(xiàn)

……………………24

Ⅰ

GB/T26068—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替硅片載流子復(fù)合壽命的無(wú)接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測(cè)試方法

GB/T26068—2010《》。

本標(biāo)準(zhǔn)與相比除編輯性修改外主要技術(shù)變化如下

GB/T26068—2010,,:

將標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)硅片載流子復(fù)合壽命的無(wú)接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測(cè)試方法改為硅片和硅錠

———《》《

載流子復(fù)合壽命的測(cè)試非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減法

》;

增加了使用微波反射光電導(dǎo)衰減法測(cè)試單晶硅錠和鑄造多晶硅片硅錠載流子復(fù)合壽命的內(nèi)

———、

容見(jiàn)第章

(1、9.2);

將范圍中測(cè)試樣品的室溫電阻率下限由改為

———“0.05Ω·cm~1Ω·cm”“0.05Ω·cm~10Ω·

載流子復(fù)合壽命的測(cè)試范圍由到改為刪除了年版的

cm”,“0.25μs>1ms”“>0.1μs”,2010

見(jiàn)第章年版的

1.3(1,20101.2、1.3);

規(guī)范性引用文件中增加了刪除了刪

———GB/T1551,GB/T1552、SEMIMF1388、SEMIMF1530,

除了中的年代號(hào)增加了的年代號(hào)

GB/T1553—2009、YS/T679—2008,GB/T11446.12013

見(jiàn)第章年版的第章

(2,20102);

修改了術(shù)語(yǔ)注入水平復(fù)合壽命表面復(fù)合速率體復(fù)合壽命和壽命的定義見(jiàn)第章

———、、、1/e(3,

年版的第章

20103);

將年版壽命定義的部分內(nèi)容調(diào)整到干擾因素壽命定義的注調(diào)整為干擾因

———20101/e5.16,1/e

素見(jiàn)年版的

5.13(5.10、5.17,20103.6);

增加了載流子的擴(kuò)散長(zhǎng)度小于硅片厚度的倍時(shí)可以考慮不處理樣品表面直接檢測(cè)

———“0.1,,”,

表面處理方法增加了表面持續(xù)電暈充電見(jiàn)

“”(5.1);

增加了推薦的測(cè)試溫度以及濕度小信號(hào)條件載流子陷阱或耗盡區(qū)測(cè)試點(diǎn)距邊緣距離對(duì)測(cè)

———、、、

試結(jié)果的影響見(jiàn)

(5.5、5.6、5.9、5.18、5.20);

將年版的部分調(diào)整到見(jiàn)年版的

———20107.15.19(5.19,20107.1);

增加了薄膜薄層薄硅片或者其他材料的波長(zhǎng)段的使用需經(jīng)相關(guān)部門(mén)或組織測(cè)試認(rèn)定見(jiàn)

———“、、”(

6.2);

增加了如果硅片厚度小于宜使用非金屬硅片支架托見(jiàn)

———“150μm,”(6.5);

修改水的要求為滿(mǎn)足中級(jí)或更優(yōu)級(jí)別要求見(jiàn)年版的

———“GB/T11446.1—2013EW-Ⅲ(7.1,2010

7.2);

明確了碘無(wú)水乙醇?xì)浞嵯跛岬募兌燃?jí)別見(jiàn)

———、、、(7.2、7.3、7.4、7.5);

刪除了關(guān)于取樣的內(nèi)容見(jiàn)年版的

———(20108.1);

樣品制備增加了需要通過(guò)機(jī)械研磨和化學(xué)機(jī)械拋光或只通過(guò)化學(xué)拋光去除樣品表面的殘留

———“

損傷后見(jiàn)

”(8.2);

明確了硅片氧化處理的具體操作方式見(jiàn)年版

———[8.2a),20108.4.1];

樣品制備中增加了硅片表面持續(xù)電暈充電的表面處理方法見(jiàn)

———“”[8.2c)];

刪除了關(guān)于鈍化之前用氫氟酸腐蝕掉樣品表面氧化物的腐蝕時(shí)間的內(nèi)容見(jiàn)年版的

———(2010

8.4.2.1);

硅片測(cè)試步驟中增加了如果需要記錄并使用中正背面的狀態(tài)和使用合適的波長(zhǎng)

———“,9.1.1、”“,

記錄所使用的激光波長(zhǎng)和脈沖光斑大小見(jiàn)

”(9.1.3,9.1.5);

根據(jù)試驗(yàn)情況修訂了精密度見(jiàn)第章年版第章

———(10,201011);

Ⅲ

GB/T26068—2018

增加了資料性附錄并將年版部分調(diào)整為附錄的見(jiàn)附錄年版的

———E,20108.3EE.3(E,20108.3)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研半導(dǎo)體材料有限公司瑟米萊伯貿(mào)易上海有限公司中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院

:、()、、

浙江省硅材料質(zhì)量檢驗(yàn)中心廣州市昆德科技有限公司江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司天津市環(huán)

、、、

歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司北京合能陽(yáng)光新能源技術(shù)有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人曹孜孫燕黃黎趙而敬徐紅騫高英石宇樓春蘭王昕張雪囡林清香

:、、、、、、、、、、、

劉卓肖宗杰

、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T26068—2010。

Ⅳ

GB/T26068—2018

硅片和硅錠載流子復(fù)合壽命的測(cè)試

非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了單晶和鑄造多晶的硅片及硅錠的載流子復(fù)合壽命的非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測(cè)試

方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅錠和經(jīng)過(guò)拋光處理的型或型硅片當(dāng)硅片厚度大于時(shí)通常稱(chēng)為硅塊

np(1mm,)

載流子復(fù)合壽命的測(cè)試在電導(dǎo)率檢測(cè)系統(tǒng)靈敏度足夠的條件下本標(biāo)準(zhǔn)也可用于測(cè)試切割或經(jīng)過(guò)研

。,

磨腐蝕的硅片的載流子復(fù)合壽命通常被測(cè)樣品的室溫電阻率下限在之

、。,0.05Ω·cm~10Ω·cm

間由檢測(cè)系統(tǒng)靈敏度的極限確定載流子復(fù)合壽命的測(cè)試范圍為大于可測(cè)的最短壽命值取決

,。0.1μs,

于光源的關(guān)斷特性及衰減信號(hào)測(cè)定器的采樣頻率最長(zhǎng)可測(cè)值取決于樣品的幾何條件及其表面的鈍化

,

程度

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試方法

GB/T1550