犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國(guó)有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

犢犛／犜６７９—２００８

非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的

穩(wěn)態(tài)表面光電壓測(cè)試方法

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２００８０３１２發(fā)布２００８０９０１實(shí)施

國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)發(fā)布

書(shū)

中華人民共和國(guó)有色金屬

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的

穩(wěn)態(tài)表面光電壓測(cè)試方法

ＹＳ／Ｔ６７９—２００８

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

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開(kāi)本８８０×１２３０１／１６印張１字?jǐn)?shù)２４千字

２００８年５月第一版２００８年５月第一次印刷

書(shū)號(hào)：１５５０６６·２１８６５９

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書(shū)

犢犛／犜６７９—２００８

前言

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用ＳＥＭＩＭＦ３９１１１０６《非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的穩(wěn)態(tài)表面光電壓測(cè)

試方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＳＥＭＩＭＦ３９１１１０６相比主要有如下變化：

———標(biāo)準(zhǔn)格式按ＧＢ／Ｔ１．１要求編排；

———將ＳＥＭＩＭＦ３９１１１０６中的部分注轉(zhuǎn)換為正文；

———將ＳＥＭＩＭＦ３９１１１０６中部分內(nèi)容進(jìn)行了編排。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)由有研半導(dǎo)體材料股份有限公司負(fù)責(zé)起草。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：孫燕、盧立延、杜娟、李俊峰、翟富義。

Ⅰ

書(shū)

犢犛／犜６７９—２００８

非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的

穩(wěn)態(tài)表面光電壓測(cè)試方法

１范圍

１．１本標(biāo)準(zhǔn)適用于非本征單晶半導(dǎo)體材料樣品或相同導(dǎo)電類型重?fù)揭r底上沉積已知電阻率的同質(zhì)外

延層中的少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的測(cè)量。要求樣品或外延層厚度大于４倍的擴(kuò)散長(zhǎng)度。

１．２本標(biāo)準(zhǔn)是為單晶硅樣品的應(yīng)用而開(kāi)發(fā)的，可用于測(cè)量其他半導(dǎo)體，如砷化鎵（同時(shí)調(diào)整相應(yīng)的光照

波長(zhǎng)（能量）范圍和樣品的制備工藝）上的有效擴(kuò)散長(zhǎng)度和評(píng)價(jià)晶粒間界垂直于表面的多晶硅樣品上有

效擴(kuò)散長(zhǎng)度。本標(biāo)準(zhǔn)也可用于硅片的潔凈區(qū)的寬度測(cè)定。

１．３本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)樣品的電阻率和壽命的應(yīng)用極限尚未確定，但已經(jīng)成功的對(duì)電阻率（０．１～５０）Ω·ｃｍ、載

流子壽命短至２ｎｓ的ｐ和ｎ型硅樣品進(jìn)行了測(cè)量。本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量的擴(kuò)散長(zhǎng)度僅在室溫２２℃±０．５℃下進(jìn)

行，壽命和擴(kuò)散長(zhǎng)度是溫度的函數(shù)。

注：本標(biāo)準(zhǔn)不涉及安全問(wèn)題，即使有也與標(biāo)準(zhǔn)的使用相聯(lián)系。標(biāo)準(zhǔn)使用前，建立合適的安全和保障措施以及制定管

理界限的應(yīng)用范圍是標(biāo)準(zhǔn)使用者的責(zé)任。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１５５２硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針?lè)?/p>

ＧＢ／Ｔ１５５３硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法

ＧＢ／Ｔ６６１６半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)定非接觸渦流法

ＧＢ／Ｔ６６１８硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

ＧＢ／Ｔ１１４４６．１電子級(jí)水

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

ＧＢ／Ｔ１４８４７重?fù)揭r底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法

３方法概述

本標(biāo)準(zhǔn)建立在作為入射光能量（波長(zhǎng)）函數(shù)的表面光電壓測(cè)量的基礎(chǔ)上。

本標(biāo)準(zhǔn)描述了兩種