2025年半導(dǎo)體物理氣相沉積（PVD）設(shè)備應(yīng)用能力考核試卷一、單項(xiàng)選擇題（每題1分，共30題）1.PVD設(shè)備中，用于提高沉積速率的主要方法是？A.降低沉積溫度B.增大反應(yīng)氣體流量C.提高靶材旋轉(zhuǎn)速度D.增大基底與靶材距離2.在磁控濺射中，常用的靶材材料不包括？A.鈦B.鋁C.金D.硅3.PVD設(shè)備中，真空度通常要求達(dá)到？A.1×10^-2PaB.1×10^-5PaC.1×10^-3PaD.1×10^-6Pa4.濺射過程中，靶材的消耗主要是由？A.離子轟擊B.溫度升高C.氣體反應(yīng)D.靶材氧化5.PVD設(shè)備中，常用的氣體助焊劑是？A.氮?dú)釨.氬氣C.氫氣D.氧氣6.在PVD設(shè)備中，沉積均勻性主要受以下因素影響，除了？A.靶材質(zhì)量B.真空度C.基底溫度D.電源頻率7.PVD設(shè)備中，常用的靶材形狀不包括？A.圓形B.方形C.管狀D.三角形8.在磁控濺射中，常用的磁控濺射器類型是？A.直流磁控濺射器B.交流磁控濺射器C.脈沖磁控濺射器D.以上都是9.PVD設(shè)備中，沉積速率通常受以下因素影響，除了？A.靶材純度B.真空度C.基底溫度D.氣體流量10.在PVD設(shè)備中，沉積層的厚度通常通過以下方法控制，除了？A.時間控制B.基底移動速度C.靶材旋轉(zhuǎn)速度D.真空度11.PVD設(shè)備中，常用的基底材料不包括？A.玻璃B.金屬板C.塑料D.陶瓷12.在濺射過程中，靶材的濺射效率主要受以下因素影響，除了？A.離子能量B.離子流密度C.靶材溫度D.氣體類型13.PVD設(shè)備中，常用的靶材材料純度要求？A.99%B.99.99%C.99.999%D.99.9999%14.在PVD設(shè)備中，沉積層的附著力主要受以下因素影響，除了？A.沉積溫度B.真空度C.靶材純度D.基底溫度15.PVD設(shè)備中，常用的沉積氣體不包括？A.氬氣B.氮?dú)釩.氧氣D.氫氣16.在磁控濺射中，常用的靶材材料厚度通常是？A.1-2mmB.3-5mmC.5-10mmD.10-20mm17.PVD設(shè)備中，沉積層的均勻性通常通過以下方法改善，除了？A.增大基底與靶材距離B.提高沉積溫度C.使用多靶材系統(tǒng)D.增大氣體流量18.在濺射過程中，靶材的濺射效率主要受以下因素影響，除了？A.離子能量B.離子流密度C.靶材溫度D.氣體類型19.PVD設(shè)備中，常用的靶材材料純度要求？A.99%B.99.99%C.99.999%D.99.9999%20.在PVD設(shè)備中，沉積層的附著力主要受以下因素影響，除了？A.沉積溫度B.真空度C.靶材純度D.基底溫度21.PVD設(shè)備中，常用的沉積氣體不包括？A.氬氣B.氮?dú)釩.氧氣D.氫氣22.在磁控濺射中，常用的靶材材料厚度通常是？A.1-2mmB.3-5mmC.5-10mmD.10-20mm23.PVD設(shè)備中，沉積層的均勻性通常通過以下方法改善，除了？A.增大基底與靶材距離B.提高沉積溫度C.使用多靶材系統(tǒng)D.增大氣體流量24.在濺射過程中，靶材的濺射效率主要受以下因素影響，除了？A.離子能量B.離子流密度C.靶材溫度D.氣體類型25.PVD設(shè)備中，常用的靶材材料純度要求？A.99%B.99.99%C.99.999%D.99.9999%26.在PVD設(shè)備中，沉積層的附著力主要受以下因素影響，除了？A.沉積溫度B.真空度C.靶材純度D.基底溫度27.PVD設(shè)備中，常用的沉積氣體不包括？A.氬氣B.氮?dú)釩.氧氣D.氫氣28.在磁控濺射中，常用的靶材材料厚度通常是？A.1-2mmB.3-5mmC.5-10mmD.10-20mm29.PVD設(shè)備中，沉積層的均勻性通常通過以下方法改善，除了？A.增大基底與靶材距離B.提高沉積溫度C.使用多靶材系統(tǒng)D.增大氣體流量30.在濺射過程中，靶材的濺射效率主要受以下因素影響，除了？A.離子能量B.離子流密度C.靶材溫度D.氣體類型二、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共20題）1.PVD設(shè)備中，提高沉積速率的方法包括？A.降低沉積溫度B.增大反應(yīng)氣體流量C.提高靶材旋轉(zhuǎn)速度D.增大基底與靶材距離2.磁控濺射的常用靶材材料包括？A.鈦B.鋁C.金D.硅3.PVD設(shè)備中，真空度通常要求達(dá)到？A.1×10^-2PaB.1×10^-5PaC.1×10^-3PaD.1×10^-6Pa4.濺射過程中，靶材的消耗主要是由？A.離子轟擊B.溫度升高C.氣體反應(yīng)D.靶材氧化5.PVD設(shè)備中，常用的氣體助焊劑是？A.氮?dú)釨.氬氣C.氫氣D.氧氣6.影響PVD設(shè)備沉積均勻性的因素包括？A.靶材質(zhì)量B.真空度C.基底溫度D.電源頻率7.PVD設(shè)備中，常用的靶材形狀包括？A.圓形B.方形C.管狀D.三角形8.磁控濺射器的類型包括？A.直流磁控濺射器B.交流磁控濺射器C.脈沖磁控濺射器D.以上都是9.影響PVD設(shè)備沉積速率的因素包括？A.靶材純度B.真空度C.基底溫度D.氣體流量10.控制PVD設(shè)備沉積層厚度的方法包括？A.時間控制B.基底移動速度C.靶材旋轉(zhuǎn)速度D.真空度11.PVD設(shè)備中，常用的基底材料包括？A.玻璃B.金屬板C.塑料D.陶瓷12.影響濺射過程中靶材濺射效率的因素包括？A.離子能量B.離子流密度C.靶材溫度D.氣體類型13.PVD設(shè)備中，常用的靶材材料純度要求？A.99%B.99.99%C.99.999%D.99.9999%14.影響PVD設(shè)備沉積層附著力的因素包括？A.沉積溫度B.真空度C.靶材純度D.基底溫度15.PVD設(shè)備中，常用的沉積氣體包括？A.氬氣B.氮?dú)釩.氧氣D.氫氣16.磁控濺射中，常用的靶材材料厚度通常是？A.1-2mmB.3-5mmC.5-10mmD.10-20mm17.改善PVD設(shè)備沉積層均勻性的方法包括？A.增大基底與靶材距離B.提高沉積溫度C.使用多靶材系統(tǒng)D.增大氣體流量18.影響濺射過程中靶材濺射效率的因素包括？A.離子能量B.離子流密度C.靶材溫度D.氣體類型19.PVD設(shè)備中，常用的靶材材料純度要求？A.99%B.99.99%C.99.999%D.99.9999%20.影響PVD設(shè)備沉積層附著力的因素包括？A.沉積溫度B.真空度C.靶材純度D.基底溫度三、判斷題（每題1分，共20題）1.PVD設(shè)備中，沉積速率主要受靶材旋轉(zhuǎn)速度影響。（×）2.磁控濺射中，常用的靶材材料是鈦。（×）3.PVD設(shè)備中，真空度通常要求達(dá)到1×10^-5Pa。（√）4.濺射過程中，靶材的消耗主要是由離子轟擊。（√）5.PVD設(shè)備中，常用的氣體助焊劑是氮?dú)?。（×?.影響PVD設(shè)備沉積均勻性的因素包括靶材質(zhì)量。（√）7.PVD設(shè)備中，常用的靶材形狀是圓形。（×）8.磁控濺射器的類型包括直流磁控濺射器。（√）9.影響PVD設(shè)備沉積速率的因素包括氣體流量。（√）10.控制PVD設(shè)備沉積層厚度的方法包括時間控制。（√）11.PVD設(shè)備中，常用的基底材料是玻璃。（×）12.影響濺射過程中靶材濺射效率的因素包括離子能量。（√）13.PVD設(shè)備中，常用的靶材材料純度要求是99.99%。（√）14.影響PVD設(shè)備沉積層附著力的因素包括基底溫度。（√）15.PVD設(shè)備中，常用的沉積氣體是氬氣。（×）16.磁控濺射中，常用的靶材材料厚度是1-2mm。（×）17.改善PVD設(shè)備沉積層均勻性的方法包括使用多靶材系統(tǒng)。（√）18.影響濺射過程中靶材濺射效率的因素包括氣體類型。（√）19.PVD設(shè)備中，常用的靶材材料純度要求是99.999%。（√）20.影響PVD設(shè)備沉積層附著