標準解讀
《T/CIE 198-2023 柔性半導體集成電路可靠性試驗規(guī)范》是一項由中國電子學會(CIE)發(fā)布的標準,旨在為柔性半導體集成電路的可靠性測試提供一套統(tǒng)一的方法和要求。該標準覆蓋了柔性半導體集成電路在不同環(huán)境條件下可能遇到的各種應力情況下的性能評估方法,確保這些產(chǎn)品能夠滿足預期使用壽命內(nèi)的穩(wěn)定性和功能性需求。
標準詳細規(guī)定了多種類型的可靠性測試項目,包括但不限于溫度循環(huán)、濕度存儲、彎曲疲勞等,每種測試都有明確的操作步驟、參數(shù)設定以及合格判定準則。此外,還特別強調了對于樣品準備的要求,比如尺寸規(guī)格、數(shù)量以及預處理條件等,以保證測試結果的有效性和可比性。
針對不同應用場景下對柔性半導體集成電路的具體要求,《T/CIE 198-2023》提供了靈活的選擇指南,幫助企業(yè)根據(jù)自身產(chǎn)品的特點選擇合適的測試方案。同時,通過標準化測試流程與評價體系,促進了行業(yè)內(nèi)各企業(yè)間產(chǎn)品質量水平的一致性和互認度提升。
該標準適用于從事柔性半導體集成電路研發(fā)、生產(chǎn)和質量控制的相關單位和個人參考使用,為其提供了科學合理的依據(jù)和技術支持。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2023-12-29 頒布
- 2023-12-29 實施





文檔簡介
ICS31200
CCSL.56
團體標準
T/CIE198—2023
柔性半導體集成電路可靠性試驗規(guī)范
Specificationforreliabilitytestofflexiblesemiconductorintegratedcircuit
2023-12-29發(fā)布2023-12-29實施
中國電子學會發(fā)布
中國標準出版社出版
本標準版權歸中國電子學會所有除了用于國家法律或事先
。
得到發(fā)布單位文字上的許可外不許以任何形式對本標準包括電
,(
子版影印件進行復制改編翻譯匯編或將本標準用于其他任
、)、、、
何商業(yè)目的
。
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T/CIE198—2023
目次
前言
…………………………Ⅲ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術語和定義
3………………1
一般要求
4…………………2
檢驗批
5……………………2
質量評定
6…………………3
抽樣要求
7…………………3
鑒定試驗
8…………………5
質量一致性試驗
9…………………………5
篩選試驗
10………………10
參考文獻
……………………11
Ⅰ
T/CIE198—2023
前言
本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件由中國電子學會提出并歸口
。
本文件起草單位清華大學浙江清華柔性電子技術研究院浙江荷清柔性電子技術有限公司杭州
:、、、
柔谷科技有限公司浙江智柔科技有限公司浙江清華長三角研究院中國電科芯片技術研究院工業(yè)和
、、、、
信息化部電子第五研究所錢塘科技創(chuàng)新中心中國計量大學電子科技大學
、、、。
本文件主要起草人馮雪陳穎汪照賢宋欣吳桐昊王顯屈哲閆宇李海波范惠東黃曉宗
:、、、、、、、、、、、
楊超廖希異楊曉峰何志峰趙建明徐文龍牟映璇
、、、、、、。
Ⅲ
T/CIE198—2023
柔性半導體集成電路可靠性試驗規(guī)范
1范圍
本文件規(guī)定了柔性半導體集成電路可靠性試驗的一般要求檢驗批質量評定抽樣要求鑒定試
、、、、
驗質量一致性試驗篩選試驗相關內(nèi)容
、、。
本文件適用于柔性半導體集成電路可靠性的評價認證與考核
、。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分外部目檢
GB/T4937.33:
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗
GB/T4937.44:(HAST)
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分快速溫度變化雙液槽法
GB/T4937.1111:
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分引出端強度引線牢固性
GB/T4937.1414:()
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分通孔安裝器件的耐焊接熱
GB/T4937.1515:
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分可焊性
GB/T4937.2121:
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分高溫工作壽命
GB/T4937.2323:
半導體器件集成電路第部分半導體集成電路分規(guī)范不包括混合電路
GB/T12750—200611:()
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分高溫下儲存
IEC60749-66:
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分標記的永久性
IEC60749-99:
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分加速抗?jié)裥詿o偏
IEC60749-2424:HAST
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分靜電放電靈敏度試驗人
IEC60749-2626:(ESD)
體模型
(HBM)
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分靜電放電靈敏度試驗帶
IEC60749-2828:(ESD)
電
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