1月1+X集成電路理論練習題庫+參考答案一、單選題（共40題，每題1分，共40分）1.下列對芯片檢測描述正確的是（）。選項A、測試完成后直接進入市場選項B、所有芯片的測試、分選和包裝的類型相同選項C、集成電路測試是確保產(chǎn)品良率和成本控制的重要環(huán)節(jié)選項D、測試機分為數(shù)字測試機和模擬測試機正確答案：C2.單晶爐的開機順序正確的是()。選項A、籽晶開關(guān)→坩堝開關(guān)→加熱器開關(guān)→電源開關(guān)選項B、電源開關(guān)→籽晶開關(guān)→坩堝開關(guān)→加熱器開關(guān)選項C、電源開關(guān)→加熱器開關(guān)→坩堝開關(guān)→籽晶開關(guān)選項D、電源開關(guān)→坩堝開關(guān)→加熱器開關(guān)→籽晶開關(guān)正確答案：C詳解：單晶爐的開機順序為：電源開關(guān)→加熱器開關(guān)→坩堝開關(guān)→籽晶開關(guān)。3.8英寸的晶圓直徑大小為：()。選項A、200mm選項B、150mm選項C、300mm選項D、125mm正確答案：A詳解：5英寸：125mm，6英寸：150mm，8英寸：200mm，12英寸：300mm。4.共模抑制比定義為放大器（）之比。選項A、對共模電壓放大倍數(shù)與差模電壓的放大倍數(shù)選項B、差模電壓的放大倍數(shù)與對共模電壓放大倍數(shù)選項C、差模電壓的放大倍數(shù)與對共模電壓縮小倍數(shù)選項D、差模電壓的縮小倍數(shù)與對共模電壓放大倍數(shù)正確答案：B詳解：共模抑制比是指放大器差模電壓放大倍數(shù)與共模電壓放大倍數(shù)之比，它反映了放大器對差模信號的放大能力和對共模信號的抑制能力。差模電壓放大倍數(shù)越大，對共模電壓放大倍數(shù)越小，共模抑制比就越高，放大器抑制共模信號的能力就越強。5.晶圓切割的作用是（）。選項A、將完整的晶圓分割成單獨的晶粒選項B、切除電氣性能不良的晶粒選項C、對晶圓邊緣進行修正選項D、在完整的晶圓上劃出切割道的痕跡，方便后續(xù)晶粒的分離正確答案：A詳解：晶圓切割將整片晶圓切割成一顆顆獨立的晶粒，用于后續(xù)集成電路的制造。6.清洗是晶圓制程中不可缺少的環(huán)節(jié)，使用DHF清洗液進行清洗時，可以去除的物質(zhì)是（）。選項A、光刻膠選項B、自然氧化物選項C、金屬選項D、顆粒正確答案：B詳解：在晶圓制程中，DHF清洗液即氫氟酸（HF）溶液，它主要用于去除自然氧化物。氫氟酸能夠與硅的氧化物發(fā)生反應，從而將其去除。光刻膠一般用特定的顯影液去除；顆粒通常通過物理沖洗等方式去除；金屬去除一般使用專門的金屬蝕刻液等，而不是DHF清洗液。7.把塑封后的芯片放到溫度為175±5℃的高溫烘箱內(nèi)的作用是（）。選項A、改變塑封外形選項B、剔除塑封虛封的產(chǎn)品選項C、測試產(chǎn)品耐高溫效果選項D、消除內(nèi)部應力，保護芯片正確答案：D詳解：注塑之后為了保護芯片，消除內(nèi)部的應力，我們還需要把塑封后的芯片放到溫度為175±5℃的高溫烘箱內(nèi)進行高溫固化，一般需要8小時的固化時間。8.下面選項中不屬于鍍錫工序中酸洗的目的是（）。選項A、中和堿性膜選項B、消毒選項C、增強鍍層與框架結(jié)合度選項D、增加表面活性正確答案：B詳解：酸洗的目的一般是為了中和堿性膜，并將引線金屬表面的氧化膜清除，增加基層表面活性，使鍍錫時鍍層能與引線金屬牢固結(jié)合。9.平移式分選機完成測試后，會進入()環(huán)節(jié)。選項A、真空包裝選項B、分選選項C、外觀檢查選項D、上料正確答案：B詳解：平移式分選機的操作步驟一般為：上料→測試→分選→外觀檢查→真空包裝。10.封裝工藝中，在完成芯片粘接后需要進行銀漿固化，該環(huán)節(jié)在烘干箱中進行，一般在（）℃的環(huán)境下烘烤1小時。選項A、225選項B、150選項C、200選項D、175正確答案：D11.當測壓手臂未吸起芯片，經(jīng)檢查有芯片在入料梭上后，需按“()”鍵繼續(xù)吸取一次。選項A、RETRY選項B、STOP選項C、SKIP選項D、RESTART正確答案：A詳解：當測壓手臂未吸起芯片，經(jīng)檢查有芯片在入料梭上后，需按“RETRY”鍵繼續(xù)吸取一次。12.（）是芯片制造過程中在元器件表面上淀積金屬薄膜以及隨后刻印圖形以便形成互連線和集成電路填充塞的過程。選項A、刻蝕選項B、金屬化選項C、薄膜制備選項D、填充正確答案：B詳解：金屬化是芯片制造過程中在元器件表面上淀積金屬薄膜以及隨后刻印圖形以便形成互連線和集成電路填充塞的過程。13.在制備完好的單晶襯底上，沿其原來晶向，生長一層厚度、導電類型、電阻率及晶格結(jié)構(gòu)都符合要求的新單晶層，該薄膜制備方法是（）。選項A、CVD選項B、PVD選項C、外延選項D、熱氧化正確答案：C詳解：外延是在制備完好的單晶襯底上，沿其原來晶向，生長一層厚度、導電類型、電阻率及晶格結(jié)構(gòu)都符合要求的新單晶層。14.重力分選機自動裝料步驟中將待測料管放在篩選機的入料區(qū)內(nèi)，料管隨傳送帶上升到（）。選項A、顯示區(qū)選項B、激光檢測區(qū)選項C、廢料區(qū)選項D、入料區(qū)正確答案：B詳解：重力分選機自動裝料時，待測料管先放在篩選機入料區(qū)，然后隨傳送帶上升，上升到激光檢測區(qū)，在這里對物料進行檢測等后續(xù)操作，而不是入料區(qū)、廢料區(qū)和顯示區(qū)。15.用平移式分選機設備進行芯片檢測的第二個環(huán)節(jié)是()。選項A、測試選項B、外觀檢查選項C、分選選項D、上料正確答案：A詳解：平移式分選機設備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料→測試→分選→外觀檢查→真空包裝。16.銅電鍍之前，需要沿著側(cè)壁和底部，淀積一層連續(xù)的薄種子層，若種子層不連續(xù)可能導致電鍍的銅產(chǎn)生。選項A、電遷移選項B、空洞選項C、肖特基現(xiàn)象選項D、尖刺正確答案：B詳解：如果種子層不連續(xù)，就可能在電鍍的銅中產(chǎn)生空洞17.晶圓檢測工藝的測試車間符合()潔凈區(qū)標準。選項A、千級選項B、100萬級選項C、萬級選項D、10萬級正確答案：C詳解：晶圓檢測工藝對環(huán)境的要求：測試車間符合10萬級潔凈區(qū)標準，溫度常年保持在22±3℃，濕度保持在45±15%。18.{平移式分選機進行芯片檢測時，芯片在該區(qū)域的操作完成后會進入()區(qū)域。}選項A、測試選項B、待測選項C、上料選項D、分選正確答案：D詳解：該圖紅色所框區(qū)域有L字型的測壓手臂，為平移式分選機設備芯片檢測工藝的測試區(qū)域。測試完成后，會根據(jù)測試結(jié)果進行分選。19.在電子產(chǎn)品測試中需保證測試環(huán)境穩(wěn)定，其中測試環(huán)境是指（）。選項A、硬件環(huán)境（硬件配置一致）選項B、軟件環(huán)境（軟件版本一致）選項C、以上都是選項D、使用環(huán)境（周圍環(huán)境對測試的影響）正確答案：C詳解：測試環(huán)境包括硬件環(huán)境（硬件配置一致）、軟件環(huán)境（軟件版本一致）以及使用環(huán)境（周圍環(huán)境對測試的影響），所以以上都是正確的，應選D。20.{下國所示的內(nèi)盤是（）的內(nèi)盤。}選項A、編帶選項B、料盤選項C、料管選項D、以上都是正確答案：B詳解：該圖所示示的內(nèi)盒從上往是料盤的內(nèi)盒.21.選擇集成電路的關(guān)鍵因素主要包括（）。選項A、以上都是選項B、性能指標選項C、工作條件選項D、性價比正確答案：A詳解：選擇集成電路的關(guān)鍵因素包括性能指標，它決定了集成電路能否滿足具體應用的功能需求；工作條件如溫度、濕度、電壓范圍等，影響其在實際環(huán)境中的可靠性和穩(wěn)定性；性價比則綜合考慮了性能與成本的關(guān)系，確保在預算范圍內(nèi)獲得最佳性能。所以以上都是選擇集成電路的關(guān)鍵因素。22.在全自動探針臺上進行扎針調(diào)試時，若發(fā)現(xiàn)探針整體偏移，則對應的處理方式是：()。選項A、更換探針測試卡D、調(diào)節(jié)扎針深度選項B、相關(guān)技術(shù)人員手動撥針，使探針移動至相應位置選項C、利用搖桿微調(diào)扎針位置正確答案：C詳解：扎針調(diào)試時通過對焦圖檢查到針印整體偏移，需要用搖桿微調(diào)整體的扎針位置。23.重力式分選設備進行芯片并行測試時，在測試軌道完成芯片測試后，下一環(huán)節(jié)需要進行（）操作。選項A、上料選項B、外觀檢查選項C、真空入庫選項D、分選正確答案：D詳解：重力式分選設備在測試軌道完成芯片測試后，接下來要對芯片按照不同參數(shù)進行分選操作，將合格芯片與不合格芯片區(qū)分開等，所以下一環(huán)節(jié)是分選。24.4英寸的單晶硅錠的切割方式為：()。選項A、內(nèi)圓切割選項B、外圓切割選項C、線鋸切割選項D、以上均可正確答案：A詳解：直徑＜300mm時采用內(nèi)圓切割，直徑≥300mm時采用外圓切割、線鋸切割。4英寸的單晶硅錠直徑為100mm，切割方式為內(nèi)圓切割。25.編帶過程中，在進行熱封處理后，需要進行()環(huán)節(jié)。選項A、編帶收料選項B、密封選項C、光檢選項D、芯片放入載帶正確答案：A詳解：轉(zhuǎn)塔式分選機進行編帶的步驟是：芯片光檢→載帶移動→熱封處理→編帶收料→清料。26.晶圓扎針測試在測到一定數(shù)量時，需要檢查扎針情況。若發(fā)現(xiàn)針痕有異常，需如何處理（）。選項A、重新設置扎針深度或扎針位置選項B、記錄測試結(jié)果選項C、繼續(xù)扎針測試選項D、重新輸入晶圓信息正確答案：A詳解：當發(fā)現(xiàn)針痕有異常時，很可能是扎針深度或扎針位置不準確導致的，所以需要重新設置扎針深度或扎針位置來解決問題，而不是重新輸入晶圓信息、繼續(xù)扎針測試或者直接記錄測試結(jié)果。27.芯片檢測工藝中，進行管裝包裝時，將真空包裝的編帶盤放入內(nèi)盒、合上蓋子后，需要在內(nèi)盒的封口邊（）處貼上“合格”標簽。選項A、右側(cè)選項B、中央選項C、任意位置選項D、左側(cè)正確答案：B詳解：芯片檢測工藝中管裝包裝時，將真空包裝的編帶盤放入內(nèi)盒、合上蓋子后，在內(nèi)盒封口邊中央處貼上“合格”標簽是行業(yè)標準或常規(guī)操作要求，這樣能保證標簽位置醒目且符合工藝規(guī)范，放置在其他位置可能會影響標簽的展示效果或不符合相關(guān)工藝規(guī)定。28.晶圓進行扎針測試時，測試機將測試結(jié)果通過（）傳輸給探針臺。選項A、GPIB選項B、USD選項C、HDMI選項D、VGA正確答案：A詳解：在晶圓扎針測試過程中，測試機通常通過GPIB（通用接口總線）將測試結(jié)果傳輸給探針臺，以實現(xiàn)設備之間的數(shù)據(jù)交互和通信。而USD并非常見的這種測試數(shù)據(jù)傳輸接口；HDMI主要用于高清視頻傳輸；VGA常用于計算機視頻輸出，均不符合測試機與探針臺之間傳輸測試結(jié)果的需求。29.芯片外觀檢查前為了防止靜電擊穿損壞，工作人員必須佩戴（）。選項A、絕緣服選項B、無紡布手套選項C、絕緣手套選項D、防靜電護腕正確答案：D詳解：芯片外觀檢查前為防止靜電擊穿損壞芯片，工作人員必須佩戴防靜電護腕。防靜電護腕能將人體靜電導入大地，避免靜電對芯片造成損害。絕緣手套主要用于防止觸電等電氣絕緣防護；絕緣服也是用于電氣絕緣相關(guān)場景；無紡布手套主要起到一般性防護作用，對于防止靜電擊穿芯片并不具備針對性。所以應該選擇防靜電護腕。30.常用的干法去膠方法有（）。選項A、介質(zhì)去膠選項B、等離子去膠選項C、氧化劑去膠選項D、溶劑去膠正確答案：B詳解：常用的去膠方法有溶劑去膠、氧化劑去膠、等離子去膠，其中干法去膠的方法為等離子去膠。31.利用高能粒子撞擊具有高純度靶材料表面，撞擊出的原子最后淀積在硅片上的物理過程是（）。選項A、電子束蒸發(fā)選項B、濺射選項C、電阻加熱蒸發(fā)選項D、電鍍正確答案：B詳解：濺射是在高真空下，利用高能粒子撞擊具有高純度靶材料表面，撞擊出的原子最后淀積在硅片上的物理過程。32.平移式分選機設備測試環(huán)節(jié)的流程是：()。選項A、吸取、搬運芯片→入料梭轉(zhuǎn)移芯片→壓測→記錄測試結(jié)果→搬運、吹放芯片選項B、搬運、吹放芯片→入料梭轉(zhuǎn)移芯片→吸取、搬運芯片→壓測→記錄測試結(jié)果選項C、入料梭轉(zhuǎn)移芯片→搬運、吹放芯片→壓測→記錄測試結(jié)果→吸取、搬運芯片選項D、入料梭轉(zhuǎn)移芯片→吸取、搬運芯片→壓測→記錄測試結(jié)果→搬運、吹放芯片正確答案：D詳解：平移式分選機設備測試環(huán)節(jié)的流程是：入料梭轉(zhuǎn)移芯片→吸取、搬運芯片→壓測→記錄測試結(jié)果→搬運、吹放芯片。33.對準和曝光過程中，套準精度是指形成的圖形層與前層的最大相對位移大約是關(guān)鍵尺寸的（）。選項A、四分之一選項B、二分之一選項C、三分之一選項D、五分之一正確答案：C詳解：版圖套準過程有了對準規(guī)范，也就是常說的套準容差或套準精度。具體是指要形成的圖形層與前層的最大相對位移。一般而言大約是關(guān)鍵尺寸的三分之一。34.探針臺上的()處于()狀態(tài)時不能進行其他操作，容易引起探針臺死機，導致晶圓撞擊探針測試卡。選項A、紅色指示燈、滅燈選項B、綠色指示燈、亮燈選項C、指示燈、亮燈選項D、紅色指示燈、亮燈正確答案：C詳解：探針臺上的指示燈處于亮燈狀態(tài)時不能進行其他操作，容易引起探針臺死機，導致晶圓撞擊探針測試卡。其中紅色指示燈表示下降，綠色指示燈表示上升，當至少有一盞指示燈處于亮燈狀態(tài)時不能進行其他操作。35.進行芯片檢測工藝的芯片外觀檢查時，將工作臺整理干凈后，根據(jù)物流提供的（）到待檢查品貨架上領(lǐng)取待外檢的芯片。選項A、晶圓測試隨件單選項B、中轉(zhuǎn)箱號選項C、芯片名稱選項D、芯片測試隨件單正確答案：B詳解：芯片外觀檢查時，需根據(jù)物流提供的中轉(zhuǎn)箱號到待檢查品貨架上領(lǐng)取待外檢的芯片。芯片測試隨件單和晶圓測試隨件單與領(lǐng)取芯片這一操作并無直接關(guān)聯(lián)，芯片名稱也不能作為領(lǐng)取芯片的依據(jù)，只有中轉(zhuǎn)箱號能明確待檢查芯片所在的位置，所以選[C]。36.利用平移式分選設備進行芯片測試時，設備在測試區(qū)完成測試后，會進入（）環(huán)節(jié)。選項A、外觀檢查選項B、分選選項C、上料選項D、真空包裝正確答案：B詳解：在利用平移式分選設備進行芯片測試時，測試流程通常是測試區(qū)完成測試后進入分選環(huán)節(jié)，對芯片按照不同標準進行分類等操作。上料是在測試前，外觀檢查一般不是緊接著測試后的常規(guī)環(huán)節(jié)，真空包裝也不是測試后馬上進行的，所以選B。37.封裝工藝的電鍍工序中，完成前期的清洗后，下一步操作是（）。選項A、裝料選項B、電鍍選項C、后期清洗選項D、高溫退火正確答案：B詳解：電鍍工序中，完成前期清洗后，下一步操作就是進行電鍍，在清洗干凈的工件表面鍍上所需的金屬等鍍層。裝料在清洗之前可能就已完成；高溫退火不屬于電鍍工序的流程；后期清洗是在電鍍之后。38.利用平移式分選機進行芯片分選時，吸嘴從（）上吸取芯片，然后對芯片進行分選。選項A、待測料盤選項B、入料梭選項C、收料盤選項D、出料梭正確答案：D39.風淋室在運行時，風淋噴嘴可以噴出（）的潔凈強風。選項A、低溫處理選項B、高溫烘烤選項C、高效過濾選項D、車間內(nèi)部正確答案：C詳解：風淋是為了吹出人體表面的灰塵，故其噴出的風必須是經(jīng)過高效過濾，除掉掉微塵的潔凈風。40.LK32T102單片機內(nèi)部有一個（）ADC。選項A、8位選項B、18位選項C、12位選項D、24位正確答案：C詳解：該單片機內(nèi)部有一個10位逐次逼近型ADC，10位大于8位，所以答案選B。二、多選題（共10題，每題1分，共10分）1.選擇集成電路的關(guān)鍵因素主要包括（）。選項A、芯片原料選項B、性能價格比選項C、性能指標選項D、工作條件正確答案：BCD詳解：性能指標直接關(guān)系到集成電路能否滿足具體應用的需求，是關(guān)鍵因素之一；工作條件會影響集成電路的正常運行和性能表現(xiàn)，也是需要考慮的重要方面；性能價格比則綜合考量了集成電路的性能和成本，對于選擇合適的集成電路至關(guān)重要；而芯片原料一般不是選擇集成電路時的關(guān)鍵考慮因素。2.平移式分選機的分選機構(gòu)主要由()組成。選項A、收料架選項B、出料梭選項C、料盤選項D、吸嘴正確答案：ABCD詳解：平移式分選機的分選機構(gòu)主要由出料梭、吸嘴、料盤、收料架組成。3.封裝按材料分一般可分為（）等封裝形式。選項A、橡膠封裝選項B、塑料封裝選項C、泡沫封裝選項D、陶瓷封裝選項E、玻璃封裝選項F、金屬封裝正確答案：BDEF詳解：按照封裝材料的不同，IC封裝可分為塑料封裝、金屬封裝、陶瓷封裝、和玻璃封裝等，其中塑料封裝為常用的封裝形式，約占IC封裝市場的90%。4.在單片機程序裝載中，使用串口助手燒入Hex文件時需注意（）。選項A、燒入前重新加載一遍新生成的Hex文件選項B、每次燒入前，需在串口助手軟件內(nèi)擦除單片機內(nèi)的程序選項C、燒入完程序后按單片機復位鍵自動擦除程序選項D、需在keil軟件的output中先設置生成hex文件正確答案：ABD5.屬于濕法刻蝕的優(yōu)點的是（）。選項A、提高刻蝕的選擇比選項B、各向異性選項C、各向同性選項D、不產(chǎn)生襯底損傷正確答案：AD詳解：濕法刻蝕可以控制刻蝕液的化學成分，使得刻蝕液對特定薄膜材料的刻蝕速率遠大于其他材料的刻蝕速率，從而提高刻蝕的選擇比，同時也不產(chǎn)生襯底損傷。濕法刻蝕的效果是各向同性的，這導致刻蝕后的線寬難以控制，是濕法刻蝕的缺點。6.第四道光檢主要是針對哪些工藝的檢查？選項A、芯片粘接選項B、去飛邊及電鍍選項C、切筋成型選項D、激光打字選項E、塑封選項F、引線鍵合正確答案：BCDE詳解：切筋成型之后需要進行第四道光檢，針對后段工序的產(chǎn)品進行檢查、剔除。后段工序包括塑封、激光打字、去飛邊、電鍍、切筋成型。芯片粘接和引線鍵合主要是通過第三道光檢進行檢查7.5mil的墨管常用于（）的晶圓。選項A、6英寸選項B、5英寸選項C、12英寸選項D、8英寸正確答案：AB8.以下屬于導片步驟的是()。選項A、從氮氣柜中取出花籃選項B、將花籃放入氮氣柜中選項C、核對晶圓批號選項D、核對晶圓片號選項E、核對晶圓數(shù)量正確答案：ACDE詳解：導片步驟是：從氮氣柜中取出裝有晶圓的花籃和對應的晶圓測試隨件單→核對晶圓數(shù)量→核對印章批號→核對片號，根據(jù)晶圓片號將晶圓放在相應的花籃編號中。導片完成后進行上片，不需要再放入氮氣柜中。9.防靜電鋁箔袋具有()三大功能。選項A、防靜電選項B、防潮選項C、防電磁干擾選項D、防塵正確答案：ABC詳解：防靜電鋁箔袋具有防靜電、防電磁干擾、防潮三大功能，具有良好的防水、阻氧、避光等特點，可以最大程度地保護靜電敏感元器件免受潛在靜電危害。10.下列描述正確的是（）。選項A、在測量相關(guān)參數(shù)時需要按照待測芯片數(shù)據(jù)手冊向待測芯片施加電源、輸入等條件。選項B、輸入失調(diào)電壓指在差分放大器或差分輸入的運算放大器中，為了在輸出端獲得恒定的零電壓輸出，而需在兩個輸入端所加的直流電壓之差，越大越好選項C、輸入失調(diào)電壓的范圍幾微伏到幾十毫伏選項D、輸入失調(diào)電壓測試方法有輔助運放測試法和簡易測試法正確答案：ACD詳解：選項A錯誤，輸入失調(diào)電壓是為使輸出電壓為零在輸入端加的直流電壓之差，越小越好，它反映了放大器輸入級差分對管的不對稱程度。選項B正確，輸入失調(diào)電壓測試方法有輔助運放測試法和簡易測試法等。選項C正確，測量芯片相關(guān)參數(shù)時需按照數(shù)據(jù)手冊施加電源、輸入等條件。選項D正確，輸入失調(diào)電壓的范圍通常是幾微伏到幾十毫伏。三、判斷題（共40題，每題1分，共40分）1.防靜電鋁箔袋中，干燥劑、濕度卡要隨料管一起放入。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：A2.重力式分選機自動上料時，放入自動篩選機入料區(qū)的料管方向沒有特殊要求。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：B詳解：重力式分選機自動上料時，放入自動篩選機入料區(qū)的料管的方向需要保持一致，且藍色塞釘一端朝向上料夾具的一側(cè)。3.電阻絲加熱蒸發(fā)可以淀積難熔金屬。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：B詳解：有些難熔金屬不易用電阻加熱蒸發(fā)來實現(xiàn)。4.看到以下軟件流程圖，會想到用循環(huán)嵌套結(jié)構(gòu)來寫程序。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：A5.LK32T102單片機的所有I/O口具有可編程的上下拉、開漏輸出模式、數(shù)字輸入濾波以及輸入反相，具有可編程的兩檔驅(qū)動能力，部分I/O可用作外部中斷輸入，支持邊沿和電平觸發(fā)。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：B6.使用平移式分選機進行芯片測試時，料盤輸送到待測區(qū)的指定位置后，吸嘴從料盤上真空吸取芯片，然后轉(zhuǎn)移至“中轉(zhuǎn)站”，等待芯片傳輸裝置移動到“中轉(zhuǎn)站”接收芯片并將芯片轉(zhuǎn)移至測試區(qū)。（）選項A、正確選項B、錯誤正確答案：A7.在使用串口助手燒入程序時會用到Hex文件，keil中的hex不需要設置，程序編譯完成后自動生成。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：B8.當項目被編譯后，任何錯誤都將顯示在Messages面板上，如果電路圖有嚴重的錯誤，Messages面板將自動彈出，否則Messages面板不出現(xiàn)。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：A9.導片是在核對晶圓與晶圓測試隨件單上的信息一致后，將同一批次的晶圓按片號依次放入常溫花籃的過程。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：A10.輸出高電平電壓測試方法是設置控制端G1、G2G2B為高電平，給定輸出管腳-4000uA的電流測量芯片的高電平電壓。測試代碼如下。（）VOL[0]=cy->_pmu_test_iv(output[0],4,4000,2)；選項A、正確選項B、錯誤正確答案：B11.集成電路制作工藝的車間需要定期進行除塵清掃，其可以有效減少生產(chǎn)環(huán)境的變化對產(chǎn)品質(zhì)量的影響。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：A詳解：由于車間內(nèi)設備、通風、空調(diào)等的運行會逐漸帶入灰塵，經(jīng)過累積會使車間內(nèi)的微粒數(shù)超過該車間的無塵指標，此時電路和設備易被灰塵污染、損壞，造成一定的損失，所以定期對車間進行除塵清掃是必不可少的環(huán)節(jié)，防止生產(chǎn)環(huán)境的變化而影響產(chǎn)品質(zhì)量。12.鍍錫之后的框架條表面會更有光澤，且具有良好的抗氧化性、抗蝕性和可焊性。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：A13.Cadence軟件中，圖層的顏色決定了圖層的性質(zhì)和作用。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：B14.設備在使用過程中，由于受到各種力和化學作用，使用方法、工作規(guī)范、工作持續(xù)時間等影響，其技術(shù)狀況發(fā)生變化而逐漸降低工作能力。實踐證明，設備的壽命在很大程度上決定于維護保養(yǎng)的程度。（）選項A、正確選項B、錯誤正確答案：A15.料盤外觀檢查采用全檢的方式。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：A16.上料時，取下包裹在料管一端的塑料氣泡膜后，需要檢查有無芯片落在氣泡膜內(nèi)。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：A17.等寬線常用于金屬連線。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：A18.在進行反相器電路設計過程中，在Array一行中，可以填入行數(shù)與列數(shù)，以陣列形式放置器件。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：A19.12英寸的晶圓進行單面研磨。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：B詳解：對300mm的硅片來說，一般進行雙面拋光，以保證大直徑硅片的平整度。20.如果涂膠機停止使用30min以上需要重新使用時，操作者需要對涂膠噴頭進行清洗。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：A21.共模抑制比定義為放大器對差模電壓的放大倍數(shù)與對共模電壓放大倍數(shù)之比。共模抑制比（CommonModeRejectionRatio）簡寫為CMRR，單位是分貝dB，表征差分電路抑制共模信號及對差模信號的放大能力。（）選項A、正確選項B、錯誤正確答案：A22.固-固擴散是利用晶圓表面含有所需雜質(zhì)的氧化層作為雜質(zhì)源進行擴散的方法。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：A23.封裝管理器檢查對話框的元件列表（ComponeneList）區(qū)域，顯示原理圖內(nèi)的所有元件。用鼠標左鍵選擇每一個元件，當選中一個元件時，在對話框的右邊的封裝管理編輯框內(nèi)設計者可以添加、刪除、編輯、復制當前選中元件的封裝。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：B24.刻蝕過程中有一項重要的參數(shù)是選擇比?？涛g選擇比高表現(xiàn)為對作為掩模的抗蝕劑和處于其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：A25.粘塵墊的作用是粘除進入車間員工鞋底的灰塵，防止將灰塵帶入車間。風淋室的出口和入口都需要布置粘塵墊。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：A詳解：粘塵墊又名粘塵地板膠，主要適用于貼放在潔凈空間的出入口處及緩沖區(qū)間，它能有效地粘除鞋底和車輪上的灰塵，最大限度的減少塵埃對潔凈環(huán)境質(zhì)量的影響，從而達到簡易除塵的效果。26.排片機完成自動排片后，工作人員將排完片的模具放置到模具加熱座上進行加熱。選項A、正確選項B、錯誤正確答案：B詳解：排片機完成自動排片后，直接在排片機上預熱。27.編帶機進行編帶時，載帶設置數(shù)量到達極限，無法包裝一卷或觀察載帶沒有足夠多的數(shù)量，不足包裝一盤時，可以包裝完載帶，再更換新的載帶。（）選項A、正確選項B、錯誤正確答案：B28.單晶硅生長結(jié)束后，用四探針技術(shù)測量單晶硅錠的電