I 1 1 1 2 3 6 8 9 1聲表面波器件用單晶晶片凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）GB/T3352人造石英晶體——規(guī)范與使用指南（MOD，IEC60758GB/T30118—2013聲表面波（SAW）器件用單晶晶片——規(guī)范與IEC62276:2016-10聲表面波（GB/T3352、GB/T30118—201324基本要求4.1設計研發(fā)4.2原材料）：）：4.2.2鈮酸鋰晶體4.2.3鉭酸鋰晶體4.2.4四硼酸鋰，硅酸鎵鑭晶體4.3生產(chǎn)及檢測設備4.3.1加工設備4.3.2高精度設備企業(yè)應具有定向儀、輪廓儀、高倍顯微鏡、差熱分析儀、平面度測試儀、Cande4.4.1工藝流程34.5環(huán)保5.2居里溫度及其允差a)LN中心值在1139℃~1145℃內(nèi)，允差為中心值±2℃;b)LT中心值在600℃~604℃內(nèi)，允差為中心值±2℃。5.3晶片取向（定向）允差5.4外觀質(zhì)量5.5直徑及其允差4）；a)SF定向允差應參照OF測量，供需方協(xié)商規(guī)定，一般為±1°;b)可使用激光標記標識晶片的正面。5.9背面粗糙度μmμmμmμm≥95%≥95%≥95%≥95%≥95%≥95%≥95%≥95%5μmμmμmμm≥95%≥95%≥95%≥95%≥95%≥95%≥95%≥95%≥95%≥95%≥95%≥95%≥95%≥95%≥95%≥95%≥95%≥95%≥95%5.10翹曲度warpLT晶體：25℃時，a0-軸0.51540nm±0.0005.14正面（傳播面）光潔度681210135.16包裹體人造石英晶體按照GB/T3352的規(guī)5.17石英晶片的腐蝕隧道密度和籽晶位置16823通過腐蝕法（見YS/T554—200用差熱法或介電測試法（見附錄C.1.1）測量鐵電7采用目測檢驗。檢驗時采用150W鹵素燈，且背對暗背景，以防止漫射光的干擾。晶片完整、無碎適用于QZ，有籽片，籽晶無穿孔、無開裂；用精度為0.001mm的千分尺測量晶片中心的厚度，按照GB/T6618中的第7項測量程序用X-射線定向儀測量幾何基準面與晶格平面參考方向的偏差。測量方法按附錄C.3.4和圖既可采用接觸方法，也可采用光學方法來測量背面粗糙度。表2所列的平均粗糙度（Ra）數(shù)值是通采用專用平坦度測試儀測量夾持狀態(tài)下晶片的P用精度為0.001mm的千分尺、按GB/T6618規(guī)定的測試方法測量TV5。選點為晶片中心點和距晶片邊8）（車間將總檢合格的產(chǎn)品，送質(zhì)檢部門檢驗，檢驗按GB/T2828.1標準的正常檢3"、3.5"≥5％、4"、6"≥20%AQL=0.4AQL=0.4AQL=0.15AQL=0.49型式檢驗項目除出廠檢驗項目外還包括單疇化，居里溫0101010101010101010101010101產(chǎn)品應儲存在干燥，無腐蝕環(huán)境的倉庫內(nèi)。晶片產(chǎn)品儲存溫度5℃~35℃;濕度：2075％RH。A.1晶片方向的歐拉角表示法角度。SAW傳播方向一般為x1方向；晶片表面法線為x3方向；晶片正面（用+x3表示）為制備電極的拋光片方向的表示提供了一個完整的方法。并且，該表示法以LN晶片為例，其Y面為極性面，采用氫氟酸進行濕法腐蝕,晶片正背兩面的腐蝕速率不同。角度90°)表示晶片的+Y面為拋光面，該基準邊仍然在晶片的+Z端上。雖然SAW的特性一般與晶片哪一面被拋光沒有關系，但是，熱釋電、腐蝕等特性卻與之有關。所以，確定晶片的拋光面是必要的。Y旋轉64°切，X方向SAW傳播Y旋轉42°切，X方向SAW傳播圖A.3某些晶片方向的晶軸、歐拉角與SAW方向之間的關系隨著熔體的逐漸冷卻和凝固，便拉制出一根晶棒。1時的晶體重量由重量傳感器進行跟蹤，如圖B.1所示。根據(jù)實時導出的感應信號，可以推斷出當前的生長直徑。隨即，自動直徑控制（ADC）裝置對射頻的功率進行動態(tài)調(diào)節(jié)，以維持適當?shù)纳L直徑到所需晶體長度的時候，將晶體快速從熔體中提下時，晶體結構從鐵電相向順電相轉變，同時沿Z軸自發(fā)極化。這種情況發(fā)生后，在晶體內(nèi)部一般會形約為1140℃,因此，其退火（約為1200℃)和極化處理通常是同時進行的。當Li/Nb（Li/Ta）摩爾比為0.93～0.95時，能從熔體中生長組分均勻的LN和LT晶體。生長LN和LT長，隨著晶體的生長，Li不斷析出到熔體中。而熔體中的Li/Nb比增加，反過來使晶體中Li含量逐漸增加。因此沿著生長方向Li/Nb比增加，聲波傳播速率也將增大。只有當晶體沿晶軸按理想組分生長，聲因之一。在LGS晶體生長過程中，Ga2O3揮發(fā)嚴重，晶體會出現(xiàn)較大的組分不均勻性，致使生長良好均勻晶體?，F(xiàn)在采用的是垂直Bridgman方法，采用這種方法可以獲得滿根據(jù)資料報道，在固液界面溫度梯度為10℃/cm～20℃/cm、生長速度0.2mm/h度不超過950℃~1100℃等生長條件下可以生長2″～4″＜001＞、＜100＞、＜110＞和＜011＞等方向原生晶體應按規(guī)定的表面方向和規(guī)定的角度去除兩側端頭（端頭表面方向的測量如圖B.4所述然后對該晶體的縱向表面進行均勻磨削，使之磨成一根直徑等于或略大于待加工晶片直徑的圓柱狀晶成形晶體進行定位夾裝時，應考慮端面的定向偏差為了表明SAW傳播方向，要在晶棒表面確定一個基準平面。該平面決定了將在下道工序中被加工的形邊緣還減少了后工序熱循環(huán)和加工作業(yè)時晶片開裂 對單晶鉭酸鋰（LT）和鈮酸鋰（LN）進行居里溫度（Tc）測定。用于測定Tc介電常數(shù)方法都是破壞性測試。應該使用哪種測量方法取決于用戶和供應商之間的協(xié)議。DTA（差熱分析）方法以單晶由鐵電相轉變?yōu)轫橂娤鄷r，會發(fā)生吸熱或放熱反應的現(xiàn)象為基礎。將進行LN或LT的DTA實驗時，一般以三氧化二鋁(α-Al2O3）作為參照物。當LN或LT超介電常數(shù)方法基于對沿鐵電晶體Z軸方向（極軸）的介電常數(shù)的測試。經(jīng)測試發(fā)現(xiàn)，介電常數(shù)的極2dsinθ=nλ...................................（1）d——晶格間距；θ——布拉格角；λ——X射線的波長；.................................是，還應將溫度、折射、散射和洛倫茲極化（Lor），66.0.....................................（4）C.3用X-射線測量晶面角度（定向αβγ000000000000000000000000放在設備電極之間。加上500V電壓時測量通過晶片的電流，在電壓加上一分鐘后讀取電流值。測量電dρvρv2 R=V/I （2）ρv——體電阻率(Ω·cmd——內(nèi)電極直徑；R