高壓快充趨勢(shì)及產(chǎn)業(yè)鏈降本，加速碳化硅產(chǎn)業(yè)進(jìn)展新能源車行業(yè)深度報(bào)告（一）分析師：胡鴻宇銷售服務(wù)電話：程加快催生材料新變化》2023-07-27碳化硅物理性能優(yōu)勢(shì)明顯，適應(yīng)高溫、高壓、高頻的應(yīng)用場(chǎng)景。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體，禁帶寬度大，具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，因此采用第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件不僅能在更高的溫度下穩(wěn)定運(yùn)行，適用于高電壓、高頻率場(chǎng)景，此外還能以較少的電能消耗，獲得更高的運(yùn)行能力。以碳化硅材料為襯底的產(chǎn)業(yè)鏈主要包括碳化硅襯底材料的制備、外延層的生長(zhǎng)、器件制造以及下游應(yīng)用市場(chǎng)。襯底根據(jù)電學(xué)性能不同分為半絕緣型和半導(dǎo)電型，分別應(yīng)用到不同的應(yīng)用場(chǎng)景上。下游新能源發(fā)展對(duì)高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長(zhǎng)，極大推動(dòng)了碳化硅的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。新能源汽車是未來碳化硅應(yīng)用的主要驅(qū)動(dòng)力，預(yù)計(jì)未來占據(jù)碳化硅需求的主要市場(chǎng)。碳化硅器件在新能源汽車產(chǎn)業(yè)中主要應(yīng)用在電機(jī)控制器（電驅(qū)）、車載充電機(jī)OBC、DC/DC變換器以及充電樁，碳化硅器件相比硅基器件有更優(yōu)越的物理性能，體積小，性能優(yōu)越，節(jié)能性強(qiáng)，還順帶緩解了續(xù)航問題，更適應(yīng)新能源汽車增加續(xù)航里程、縮短充電時(shí)長(zhǎng)、提高電池容量、降低車身自重的需求。我們預(yù)測(cè)2023-2026年全球新能源汽車市場(chǎng)碳化硅晶圓需求量為18、36、73、112萬片；2023-2026年全球新能源汽車市場(chǎng)碳化硅襯底需求量為32、62、121、172萬片。2024年，我們認(rèn)為碳化硅產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展會(huì)隨著高壓快充趨勢(shì)及碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈降本而加速。高壓快充是電車的大勢(shì)所趨，未來會(huì)逐漸下沉到更低區(qū)間的價(jià)格帶，高壓快充背景下，電車對(duì)碳化硅需求的迫切性預(yù)計(jì)對(duì)應(yīng)進(jìn)一步提高。另一方面，隨著產(chǎn)能的逐步釋放、8英寸量產(chǎn)的不斷成熟、碳化硅長(zhǎng)晶及加工工藝的不斷改進(jìn)、進(jìn)而碳化硅行業(yè)良率的提升，尤其是在國(guó)產(chǎn)廠商紛紛入局后，可能會(huì)進(jìn)一步加速碳化硅的降本。我們認(rèn)為2024年碳化硅產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展會(huì)隨著高壓快充趨勢(shì)及碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈降本而加速，關(guān)注碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈降本進(jìn)展、800V新車放量進(jìn)展、國(guó)內(nèi)上游材料襯底/外延廠商出貨情況、國(guó)內(nèi)下游器件/模塊廠商上車驗(yàn)證進(jìn)展。風(fēng)險(xiǎn)提示：高壓快充滲透率不及預(yù)期；碳化硅在車端、樁端滲透不及預(yù)期；國(guó)產(chǎn)化進(jìn)度不及預(yù)期；擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)程不及預(yù)期；價(jià)格戰(zhàn)風(fēng)險(xiǎn)；此外文中提及的上市公司旨在說明行業(yè)發(fā)展情況，不構(gòu)成推薦覆蓋。1.碳化硅：第三代半導(dǎo)體，物理性能優(yōu)勢(shì)明顯 42.碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包括上游襯底和外延、中游器件、下游應(yīng)用 52.1.碳化硅晶片分為半絕緣型和半導(dǎo)電型，分別應(yīng)用到不同的應(yīng)用場(chǎng)景 72.2.碳化硅外延是碳化硅器件必不可少的環(huán)節(jié)，對(duì)器件性能影響極大 82.3.碳化硅器件的主流形態(tài)包括二極管及晶體管兩大類 3.下游新能源發(fā)展加速了碳化硅的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程 3.1.半絕緣型碳化硅主要用在射頻器件，面向通信基站及雷達(dá)應(yīng)用 3.2.半導(dǎo)電型碳化硅主要用在功率器件，新能源是主要市場(chǎng) 3.2.1.新能源汽車是未來碳化硅應(yīng)用的主要驅(qū)動(dòng)力，尤其是高壓快充趨勢(shì) 3.2.2.光伏市場(chǎng)逆變器的應(yīng)用中也具有較大前景 3.2.3.工業(yè)電源、軌道交通及其他應(yīng)用 204.成本提高與性能提升之間的平衡關(guān)系是碳化硅產(chǎn)業(yè)化的核心 204.1.成本是當(dāng)下制約碳化硅加速產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵因素 204.2.關(guān)注產(chǎn)業(yè)降本節(jié)奏，襯底降本快于器件 224.3.2023年國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)回顧：繁榮與挑戰(zhàn)并存 244.4.2024年碳化硅產(chǎn)業(yè)化展望：高壓快充與降本加速的雙重驅(qū)動(dòng) 265.風(fēng)險(xiǎn)提示 27圖1：鉆石和莫桑石 4圖2：特斯拉ModelY主驅(qū)逆變器采用碳化硅MOSFET 4圖3：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈 6圖4：SiC功率器件成本構(gòu)成 6圖5：Si功率器件成本構(gòu)成 6圖6：襯底和外延是產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值量最大的兩個(gè)環(huán)節(jié) 6圖7：2021年碳化硅下游市場(chǎng)應(yīng)用構(gòu)成 8圖8：碳化硅根據(jù)電學(xué)性能不同分為半絕緣型和半導(dǎo)電型 8圖9：碳化硅晶體的堆垛次序 9圖10：導(dǎo)電型碳化硅外延示意圖 9圖11：碳化硅材料及器件的主要形式劃分 9圖12：碳化硅二極管的主要結(jié)構(gòu)主要包含SBD、JBS及PiN二極管三類 圖13：不同類型SiCMOSFET對(duì)比 圖14：碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模 圖15：氮化鎵射頻器件市場(chǎng)規(guī)模 圖16：中壓范圍是碳化硅的重點(diǎn)發(fā)展方向 圖17：碳化硅器件應(yīng)用場(chǎng)景市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)（單位：億美元） 13圖18：SiC有望在新能源車的多個(gè)子系統(tǒng)中得到應(yīng)用 圖19：SiCMOSFET與SiIGBT在新能源汽車上的應(yīng)用 圖20：采用SiC器件替代SiIGBT配合450V直流母線電壓，逆變器效率有望提高5% 15圖21：采用SiC的逆變器將帶來被動(dòng)元件體積的下降，帶來逆變器整體體積的明顯降低 圖22：采用SiC二極管替代Si二極管有望使效率提升0.3% 圖23：SiCMOSFET可以改善光伏逆變器性能 圖24：工業(yè)級(jí)1200V20A-40A碳化硅二極管價(jià)格變化（單位：元/A） 20圖25：碳化硅襯底生產(chǎn)流程 22圖26：8英寸襯底將提高晶圓利用率 23圖27：8英寸襯底成本將會(huì)顯著降低 23圖28：住友MPZ（多參數(shù)和區(qū)域控制）溶液生長(zhǎng)技術(shù) 24圖29：國(guó)產(chǎn)SiC二極管報(bào)價(jià)（單位：元/A） 26表1：碳化硅材料相比硅材料具備多種優(yōu)勢(shì) 5表2：碳化硅器件相比硅基器件性能優(yōu)越 表3：Si\GaN\SiC-MOSFET以及Si-IGBT對(duì)應(yīng)的工作環(huán)境 表4：配備SiCMOSFET的車載OBC有望助力系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高效率 表5：碳化硅在新能源汽車上的應(yīng)用 表6：應(yīng)用碳化硅的新能源車型 表7：新能源汽車市場(chǎng)碳化硅市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè) 表8：SiCMOSFET和SiIGBT成本對(duì)比 21表9：不同切割工藝的差異 22表10：國(guó)內(nèi)碳化硅企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)展 241.碳化硅：第三代半導(dǎo)體，物理性能優(yōu)勢(shì)縱觀半導(dǎo)體材料發(fā)展歷史，碳化硅并不是新鮮概念。碳化硅作為材料已有百年歷史，商業(yè)化也已超過30多年。1824年，瑞典科學(xué)家（Berzelius）在人工合成金剛石的實(shí)驗(yàn)中意外發(fā)現(xiàn)了碳化硅這一物質(zhì)，其硬度比鉆石小但光彩更亮；1893年，科學(xué)家亨利·莫桑在隕石中發(fā)現(xiàn)了天然的碳化硅，這種礦物被命名為莫桑石，并因此獲得了1904年的諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)；1955年，LELY提出生長(zhǎng)高品質(zhì)碳化硅的方法，從此將碳化硅作為重要的電子材料；1987年，科銳第一個(gè)實(shí)現(xiàn)了碳化硅的商用，制造了出世界上第一塊商用碳化硅襯底，并把它應(yīng)用在LED領(lǐng)域；2001年，英飛凌和科銳分別推出首款小型碳化硅肖特基二極管；2011年，科銳推出首款商用碳化硅功率MOSFET。而碳化硅被正式引爆獲得廣泛關(guān)注的是2018年，馬斯克首次宣布在特斯拉Model3的主驅(qū)逆變器里使用碳化硅MOSFET以替代傳統(tǒng)的硅基IGBT，奠定了碳化硅“上車”的里程碑。此后，比亞迪、小鵬、吉利紛紛效仿，開始布局碳化硅器件。圖1：鉆石和莫桑石圖2：特斯拉ModelY主驅(qū)逆變器采用碳化硅MOSFET碳化硅被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體，具有耐高溫、耐高壓、體積小、擁有更高熱導(dǎo)率的性能優(yōu)勢(shì)。第一代半導(dǎo)體材料以硅和鍺為元素半導(dǎo)體為代表，具有低壓、低頻、低功率的光電性能，可以用來生產(chǎn)傳統(tǒng)的CPU、GPU、MCU等等，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品都是用硅基材料制作的；第二代半導(dǎo)體材料一般是磷化銦、砷化鎵，砷化鎵材料的電子遷移率約是硅的6倍，具有直接帶隙，因此更具有高頻、高速的光電性能，主要用來生產(chǎn)射頻器件、光模塊、LED、激光器、探測(cè)器、傳感器等微電子和光電子器件，是制作半導(dǎo)體發(fā)光二極管和通信器件的關(guān)鍵襯底材料。第三代半導(dǎo)體是指以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，與前兩代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，因此采用第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件不僅能在更高的溫度下穩(wěn)定運(yùn)行，適用于高電壓、高頻率場(chǎng)景，此外還能以較少的電能消耗，獲得更高的運(yùn)行能力。其優(yōu)勢(shì)具體體現(xiàn)在：1）高電子遷移率，實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)。電子飽和漂移速率指電子在半導(dǎo)體材料中的最大定向移動(dòng)速度，決定器件的開關(guān)頻率。碳化硅材料的電子飽和漂移速率是硅基的2倍，有助于提升器件的工作頻率；2）高臨界擊穿電場(chǎng)，耐高壓。擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導(dǎo)通損耗高臨界擊穿電場(chǎng)的特性使其能夠?qū)OSFET帶入高壓領(lǐng)域，克服IGBT在開關(guān)過程中的拖尾電流問題，降低開關(guān)損耗和整車能耗，減少無源器件如電容、電感等的使用，從而減少系統(tǒng)體積和重量；3）更大禁帶寬度，耐高溫。更大的禁帶寬度可以保證材料在高溫下，電子不易發(fā)生躍遷，本征激發(fā)弱，從而耐受更高的工作溫度。碳化硅的禁帶寬度約為硅的3倍，硅器件的極限工作溫度一般不能超過300℃,而碳化硅器件的極限工作溫度可以達(dá)到600℃以上，高熱導(dǎo)率也將帶來功率密度的提升和熱量的更易釋放，冷卻部件可小型化，有利于系統(tǒng)的小型化和輕量化；4）更小的面積，更小的能量損耗，實(shí)現(xiàn)高功率。碳化硅器件具備更小的能量損耗，能夠提供較高的電流密度。在相同功率等級(jí)下，碳化硅功率模塊的體積顯著小于硅基模塊，有助于提升系統(tǒng)的功率密度。表1：碳化硅材料相比硅材料具備多種優(yōu)勢(shì)特征硅基4H-碳化硅GaAsGaN備注禁帶寬度:EG(eV)3.263.5禁帶寬度越大，耐高電壓和高溫性能越好電子遷移率:μN(yùn)(cm2/Vs)9008500電子遷移率越高，電阻率越小空穴遷移率:μp(cm2)600400200擊穿電場(chǎng):EB(V/cm)*1060.330.43擊穿電場(chǎng)越高越耐高壓導(dǎo)熱系數(shù)(W/cm°C)4.90.5導(dǎo)熱系數(shù)越高，工作溫度上限越高飽和漂移速度:Vs(cm/s)*0712.722.7高電子飽和漂移速度與低介電常數(shù)的半導(dǎo)體材料具有更高的頻率特性相對(duì)介電常數(shù):εs9.79.5p.n控制ООО?是否可控制導(dǎo)電/半絕緣熱氧化層ООxx注：目前商業(yè)化的只有4H-SiC和6H-SiC兩種，由于4H-SiC有著2.碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包括上游襯底和外延、中游器件、下游應(yīng)用以碳化硅材料為襯底的產(chǎn)業(yè)鏈主要包括碳化硅襯底材料的制備、外延層的生長(zhǎng)、器件制造以及下游應(yīng)用市場(chǎng)。從工藝流程上看，碳化硅一般是先被制作成晶錠，然后經(jīng)過切片、打磨、拋光得到碳化硅襯底；襯底上生長(zhǎng)單晶外延材料。外延片經(jīng)過光刻、刻蝕、離子注入、沉積等步驟制造成碳化硅功率器件和碳化硅射頻器件。將晶圓切割成die，經(jīng)過封裝得到器件，器件組合在一起放入特殊外殼中組裝成模組。圖3：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈附加值向上游集中，襯底和外延的成本占比最高。根據(jù)CASA整理的數(shù)據(jù)，產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底和外延的成本分別占整個(gè)器件成本的47%和23%，為產(chǎn)業(yè)鏈中價(jià)值量最大的兩個(gè)環(huán)節(jié)，相比硅基器件、價(jià)值量顯著倒掛。圖4：SiC功率器件成本構(gòu)成圖5：Si功率器件成本構(gòu)成圖6：襯底和外延是產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值量最大的兩個(gè)環(huán)節(jié)碳化硅從生產(chǎn)到應(yīng)用的全流程歷時(shí)較長(zhǎng)。以碳化硅功率器件為例，從單晶生長(zhǎng)到形成襯底需要耗時(shí)1個(gè)月，從外延生長(zhǎng)到晶圓前后段加工完成需要耗時(shí)6-12個(gè)月，從器件制造再到上車驗(yàn)證更是需要1-2年時(shí)間，對(duì)于碳化硅功率器件IDM廠商而言，從工業(yè)設(shè)計(jì)、應(yīng)用等環(huán)節(jié)轉(zhuǎn)化為收入增長(zhǎng)的周期非常漫長(zhǎng)，汽車行業(yè)一般需要4-5年之久。2.1.碳化硅晶片分為半絕緣型和半導(dǎo)電型，分別應(yīng)用到不同的應(yīng)用場(chǎng)景襯底根據(jù)電學(xué)性能不同分為半絕緣型和半導(dǎo)電型，分別應(yīng)用到不同的應(yīng)用場(chǎng)景。由于碳化硅功率器件突破了硅基功率器件的導(dǎo)通電阻與結(jié)電容等性能極限，大幅度減少導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗問題，適用于高壓、高功率、高頻、高溫等苛刻環(huán)境，碳化硅功率器件被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工業(yè)電源、軌道交通及5G通訊等下游領(lǐng)域。根據(jù)Yole，2021年碳化硅市場(chǎng)達(dá)到10.92億美元，其中新能源汽車領(lǐng)域占比63%，其次是能源和工業(yè)，分別占比14%和12%。根據(jù)工信部發(fā)布的《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2019年版）》，1）一類是具有高電阻率（電阻率≥10^5Ω·cm）的半絕緣型，通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進(jìn)一步制成HEMT等微波射頻器件，應(yīng)用于信息通訊、無線電探測(cè)等領(lǐng)域；2）另一類是低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導(dǎo)電型碳化硅襯底，通過在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層，制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管SBD、MOSFET、IGBT等功率器件，應(yīng)用在新能源汽車，軌道交通以及大功率輸電變電等領(lǐng)域。圖7：2021年碳化硅下游市場(chǎng)應(yīng)用構(gòu)成圖8：碳化硅根據(jù)電學(xué)性能不同分為半絕緣型和半導(dǎo)電型半絕緣型碳化硅主要用在射頻器件上，主要為面向4G/5G通信基站和新一代有源相控陣?yán)走_(dá)應(yīng)用的功率放大器。射頻器件是無線通訊設(shè)備的基礎(chǔ)性零部件，扮演信號(hào)轉(zhuǎn)換的角色，目前主流的射頻器件有砷化鎵、硅基LDMOS、碳化硅基氮化鎵等不同類型，半絕緣型碳化硅襯底制備的氮化鎵射頻器件是迄今為止最為理想的微波射頻器件，主要為面向通信基站以及雷達(dá)應(yīng)用的功率放大器，根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，到2025年，功率在3W以上的射頻器件市場(chǎng)中，砷化鎵器件市場(chǎng)份額基本維持不變的情況下，氮化鎵射頻器件有望替代大部分硅基LDMOS份額，占據(jù)50%的射頻器件市場(chǎng)份額。半導(dǎo)電型碳化硅主要用在功率器件上，主要面向電動(dòng)汽車/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等高壓高溫高頻場(chǎng)景。功率器件又被稱為電力電子器件，是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件，功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，將極大地提高現(xiàn)有使用硅基功率器件的能源轉(zhuǎn)換效率，對(duì)高效能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域產(chǎn)生重大而深遠(yuǎn)的影響，主要應(yīng)用領(lǐng)域有電動(dòng)汽車/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等。相同規(guī)格的碳化硅基MOSFET與硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅減小至原來的1/10，導(dǎo)通電阻可至少降低至原來的1/100。相同規(guī)格的碳化硅基MOSFET較硅基IGBT的總能量損耗可大大降低70%。2.2.碳化硅外延是碳化硅器件必不可少的環(huán)節(jié)，對(duì)器件性能影響極大外延是碳化硅器件必不可少的環(huán)節(jié)，外延質(zhì)量對(duì)器件性能影響極大。碳化硅外延晶片是指在碳化硅襯底的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出晶格一致、高純度、低缺陷的特定單晶薄膜。由于采用升華法制備的單晶襯底無法實(shí)現(xiàn)對(duì)載流子濃度的精密控制，且無法有效降低晶體缺陷，因此需要在襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延層方可用于器件制造，即外延生長(zhǎng)技術(shù)是碳化硅器件必不可少的環(huán)節(jié)，外延質(zhì)量對(duì)器件性能影響極大。按照晶格堆垛結(jié)構(gòu)的不同，常見的碳化硅單晶材料（襯底和外延）主要包括以下三種晶型：3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC。由于原子堆垛結(jié)構(gòu)的差異，導(dǎo)致4H-SiC在垂直型方向擁有更高的臨界電場(chǎng)強(qiáng)度、電子遷移率和更低的導(dǎo)電各向異性，因此4H-SiC更適合商業(yè)化的垂直型功率器件（SBD和MOSFET對(duì)應(yīng)SBD和MOSFET器件特性也優(yōu)于3C-SiC和6H-SiC單極型器件的理論極限。圖9：碳化硅晶體的堆垛次序圖10：導(dǎo)電型碳化硅外延示意圖根據(jù)摻雜元素不同，碳化硅外延晶片分為N型、P型和PN多層材料。N型碳化硅外延晶片是在生長(zhǎng)外延層的過程中使用氮（N）元素進(jìn)行摻雜形成，氮與硅結(jié)合后多出一個(gè)自由電子，為其導(dǎo)電性的主要來源；P型碳化硅外延晶片是在生長(zhǎng)外延層的過程中使用鋁（Al）元素進(jìn)行摻雜形成，鋁和碳結(jié)合后，會(huì)缺失一個(gè)電子，形成空穴，而空穴吸引束縛電子移動(dòng)使得P型碳化硅外延晶片具有導(dǎo)電性；PN多層碳化硅外延晶片是指在襯底上生長(zhǎng)兩層或數(shù)層外延，每層外延生長(zhǎng)分別用氮元素或鋁元素進(jìn)行摻雜，形成N型、P型外延層疊加的結(jié)構(gòu)。N型碳化硅半導(dǎo)電型外延晶片是碳化硅功率器件廠商主要使用的型號(hào)，應(yīng)用于新能源車、光伏、工業(yè)電源領(lǐng)域所需碳化硅功率器件（如SBD與MOSFET）的工業(yè)化生產(chǎn)；P型和PN多層碳化硅半導(dǎo)電型外延晶片，由于物理特性（例如P型垂直方向載流子遷移速率較低）和行業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域（例如智能電網(wǎng)應(yīng)用的雙極型超高耐壓器件）仍需開發(fā)，行業(yè)內(nèi)出貨量較少。圖11：碳化硅材料及器件的主要形式劃分2.3.碳化硅器件的主流形態(tài)包括二極管及晶體管兩大類與硅基器件類似，碳化硅器件主要分為二極管類器件、晶體管類器件兩大類。其中二極管及晶體管類的MOSFET器件應(yīng)用較為廣泛。二極管方面：碳化硅二極管主要包括肖特基勢(shì)壘二極管（SBD結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管（JBSPiN二極管（PND型）等。器件結(jié)構(gòu)來看碳化硅相比硅基器件并無創(chuàng)新，但材料的優(yōu)異特性為碳化硅制造的產(chǎn)品帶來了競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。SiCSBD耐壓高且?guī)缀鯚o反向恢復(fù)時(shí)間，可大幅度降低開關(guān)損耗，提高開關(guān)頻率，在高頻、中等電壓功率開關(guān)的應(yīng)用上有替代硅基PiN二極管（相對(duì)耐壓強(qiáng)但速度慢）的趨勢(shì)，大大優(yōu)化了200V-1700V電壓段二極管的性能，并使PiN的應(yīng)用甜區(qū)移動(dòng)至3300V以上；2）更高端的JBS器件方面，SiCJBS具有大電流密度，高工作結(jié)溫的優(yōu)勢(shì)，相比硅基器件有進(jìn)一步性能提升。晶體管方面：SiCMOSFET結(jié)構(gòu)與硅基MOSFET產(chǎn)品類似，主要分為平面型和溝槽型兩類，并擁有高耐壓、開關(guān)損耗低、導(dǎo)通損耗低、體二極管續(xù)流特性好、溫度穩(wěn)定性高等特點(diǎn)，其高電壓下依然能保持高速度、高效率的特點(diǎn)使其向原有耐壓較高，但頻率特性較差的Si-IGBT產(chǎn)品發(fā)起競(jìng)爭(zhēng)，并在未來有望對(duì)SiIGBT形成全面替代。目前，市場(chǎng)中相對(duì)成熟的仍然是在硅基領(lǐng)域較為落后的平面型（DMOS）結(jié)構(gòu)，其主要原因是平面型器件工藝簡(jiǎn)單、單元一致性較好，而溝槽結(jié)構(gòu)單元一致性差，且垂直型SiCMOSFET內(nèi)部電場(chǎng)強(qiáng)度較大，容易發(fā)生局部擊穿，可靠性不足的問題抑制了其短期內(nèi)的大規(guī)模應(yīng)用。但是，我們看到溝槽型SiCMOSFET在導(dǎo)通電阻、以及開關(guān)損耗上的優(yōu)勢(shì)明顯（根據(jù)羅姆數(shù)據(jù)，其第三代溝槽型產(chǎn)品比第二代平面型產(chǎn)品導(dǎo)通電阻降低50%，開關(guān)損耗降低30%），英飛凌、羅姆等企業(yè)都在積極推進(jìn)改進(jìn)結(jié)構(gòu)的溝槽型SiCMOSFET研發(fā)。我們認(rèn)為SiC的材料優(yōu)勢(shì)有望在溝槽型結(jié)構(gòu)大規(guī)模應(yīng)用后得到進(jìn)一步釋放。圖12：碳化硅二極管的主要結(jié)構(gòu)主要包含SBD、JBS及PiN二極管三類T.Yasunori等人：《開發(fā)用于高壓功率逆變器的6kV圖13：不同類型SiCMOSFET對(duì)比目前上游獲得近乎完美的高質(zhì)量SiC襯底難度依然較大，且由于缺陷在晶圓中一般會(huì)均勻分布，因此面積越大的SiC器件的良率也就越低，即便是其單位面積導(dǎo)通電阻大幅低于Si基器件，目前單顆SiCMOSFET的電流輸出能力依然有限。我們看到，為使更加系統(tǒng)穩(wěn)定、可靠地達(dá)到更大的輸出電流，多個(gè)SiCMOSFET器件并聯(lián)后封裝成模塊（模組）的出貨形式也非常普遍。Wolfspeed，Rohm，STMicro，OnSemi，Infineon及Semikron等海外知名廠商均推出了不同種類的SiCMOSFET模塊產(chǎn)品，從半橋模塊到三相全橋模塊均有涉及，以靈活滿足不同應(yīng)用的需求。由于碳化硅襯底分為半絕緣型和半導(dǎo)電型，對(duì)應(yīng)制作碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件分別應(yīng)用到不同的應(yīng)用場(chǎng)景，因此我們分別對(duì)兩種器件的市場(chǎng)空間進(jìn)行討論。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，2022年碳化硅器件市場(chǎng)規(guī)模為19.7億美元，其中半導(dǎo)電型碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模為17.9億美元，半絕緣型碳化硅射頻器件市場(chǎng)規(guī)模為1.8億美元；預(yù)計(jì)到2028年，半導(dǎo)電型碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到86.9億美元，年化增速達(dá)到30.12%，半絕緣型碳化硅射頻器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到22.9億美元，年化增速達(dá)到52.79%。圖14：碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模圖15：氮化鎵射頻器件市場(chǎng)規(guī)模3.1.半絕緣型碳化硅主要用在射頻器件，面向通信基站及雷達(dá)應(yīng)用射頻器件在無線通訊中扮演信號(hào)轉(zhuǎn)換的角色，是無線通信設(shè)備的基礎(chǔ)性零部件。射頻器件主要包括功率放大器、濾波器、開關(guān)、低噪聲放大器、雙工器等。目前主流的射頻器件有硅基LDMOS、砷化鎵、碳化硅基氮化鎵等不同類型。根據(jù)AnalogDialogue，硅基LDMOS器件也已在通訊領(lǐng)域應(yīng)用多年，但其主要應(yīng)用于小于4GHz的低頻率領(lǐng)域；砷化鎵器件已在功率放大器上得到廣泛應(yīng)用；碳化硅基氮化鎵射頻器件具有良好的導(dǎo)熱性能、高頻率、高功率等優(yōu)勢(shì)，有望開啟其廣泛應(yīng)用。半絕緣型碳化硅襯底制備的氮化鎵射頻器件主要為面向通信基站以及雷達(dá)應(yīng)用（4G/5G移動(dòng)通訊系統(tǒng)、新一代有源相控陣?yán)走_(dá)）的功率放大器。隨著信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)對(duì)數(shù)據(jù)流量、更高工作頻率和帶寬等需求的不斷增長(zhǎng)，氮化鎵器件在基站中應(yīng)用越來越廣泛。無線通信基礎(chǔ)設(shè)施方面，5G具有大容量、低時(shí)延、低功耗、高可靠性等特點(diǎn)，要求射頻器件擁有更高的線性和更高的效率，相比砷化鎵和硅基LDMOS射頻器件，以碳化硅為襯底的氮化鎵射頻器件同時(shí)具有碳化硅良好的導(dǎo)熱性能和氮化鎵在高頻段下大功率射頻輸出的優(yōu)勢(shì)，能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡(luò)所需要的功率和效能，成為5G基站功率放大器的主流選擇；在國(guó)防軍工領(lǐng)域，碳化硅基氮化鎵射頻器件已經(jīng)代替了大部分砷化鎵和部分硅基LDMOS器件，占據(jù)了大部分市場(chǎng)，對(duì)于需要高頻高輸出的衛(wèi)星通信應(yīng)用，氮化鎵器件也有望逐步取代砷化鎵的解決方案。根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，隨著通信基礎(chǔ)建設(shè)和軍事應(yīng)用的需求發(fā)展，全球氮化鎵射頻器件市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)從2022年的1.8億美元增長(zhǎng)至2028年的22.9億美元，期間年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到52.79%。半絕緣型碳化硅襯底的需求量有望因此獲益而持續(xù)增長(zhǎng)。至2025年，功率在3W以上的射頻器件市場(chǎng)中，砷化鎵器件市場(chǎng)份額基本維持不變的情況下，氮化鎵射頻器件有望替代大部分硅基LDMOS份額，占據(jù)射頻器件市場(chǎng)約50%的份額。3.2.半導(dǎo)電型碳化硅主要用在功率器件，新能源是主要市場(chǎng)下游新能源發(fā)展對(duì)高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長(zhǎng)，極大推動(dòng)了碳化硅的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。近年來，隨著能源結(jié)構(gòu)升級(jí)，發(fā)電端的光伏、風(fēng)電，輸電端的高壓柔直，用電端的新能源車、充電樁、白電、工控，對(duì)電壓和能源轉(zhuǎn)換效率的要求不斷提升，在成本和安全的約束下更關(guān)注系統(tǒng)的穩(wěn)定性和經(jīng)濟(jì)性，因此更耐高溫、更耐高壓、更高熱導(dǎo)率、更小體積、更輕體重、更高可靠性、性能更優(yōu)越的碳化硅器件越來越受到下游的關(guān)注。尤其是在中壓范圍的光伏、風(fēng)電、新能源車、充電樁、服務(wù)器UPS電源、工控電源、白電，近年來已陸續(xù)開始嘗試使用碳化硅器件替代或部分替代原有的硅基IGBT。以新能源車為例，2018年，特斯拉開始在Model3的主驅(qū)逆變器里，使用基于碳化硅材料的碳化硅MOSFET，以替代傳統(tǒng)的硅基IGBT，而后車企紛紛效仿。正是下游終端的熱潮加速了碳化硅的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。圖16：中壓范圍是碳化硅的重點(diǎn)發(fā)展方向新能源汽車是未來碳化硅應(yīng)用的主要驅(qū)動(dòng)力，預(yù)計(jì)未來占據(jù)碳化硅需求的主要市場(chǎng)。根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，2022年碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模為18億美元，2028年有望達(dá)到89億美元，22-28年CAGR高達(dá)31%。碳化硅功率器件可應(yīng)用于汽車、能源、交通、工業(yè)等多個(gè)領(lǐng)域，其中汽車占據(jù)主導(dǎo)地位，市場(chǎng)規(guī)模占比超過七成，2022年市場(chǎng)規(guī)模為13億美元，2028年有望達(dá)到66億美元，22-28年CAGR高達(dá)32%。圖17：碳化硅器件應(yīng)用場(chǎng)景市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)（單位：億美元）3.2.1.新能源汽車是未來碳化硅應(yīng)用的主要驅(qū)動(dòng)力，尤其是高壓快充趨勢(shì)新能源汽車是未來碳化硅應(yīng)用的主要驅(qū)動(dòng)力，預(yù)計(jì)未來占據(jù)碳化硅需求的主要市場(chǎng)。碳化硅器件在新能源汽車產(chǎn)業(yè)中主要應(yīng)用在電機(jī)控制器（電驅(qū)）、車載充電機(jī)OBC、DC/DC變換器以及充電樁，碳化硅器件相比硅基器件有更優(yōu)越的物理性能，體積小，性能優(yōu)越，節(jié)能性強(qiáng)，還順帶緩解了續(xù)航問題，更適應(yīng)新能源汽車增加續(xù)航里程、縮短充電時(shí)長(zhǎng)、提高電池容量、降低車身自重的需求。表2：碳化硅器件相比硅基器件性能優(yōu)越能量損耗降低功率密度提升系統(tǒng)成本節(jié)約尺寸縮小充電速度提升動(dòng)力總成80%80%50%OBC30%50%DC-DC30%50%充電樁30%50%2X碳化硅在主驅(qū)、OBC、DC/DC系統(tǒng)、充電樁中均已開啟對(duì)硅基IGBT或超級(jí)結(jié)器件的替代。不同子系統(tǒng)的輸出功率、工作頻率需求有一定差別，主驅(qū)逆變器為大功率低頻場(chǎng)景（功率100KW以上，工頻50KHz以下）；車載充電機(jī)OBC和DC/DC系統(tǒng)為小功率高頻場(chǎng)景（車載充電機(jī)OBC：功率3.3KW-22KW，以上）；充電樁為中低功率中高頻場(chǎng)景（功率22KW-100KW，工頻50KHz-100KHz）。圖18：SiC有望在新能源車的多個(gè)子系統(tǒng)中得到應(yīng)用圖19：SiCMOSFET與SiIGBT在新能源汽車上的應(yīng)用表3：Si\GaN\SiC-MOSFET以及Si-IGBT對(duì)應(yīng)的工作環(huán)境電壓（V）頻率（Hz）功率（kW）Si-MOSFET低壓-中低壓低-中Si-IGBT低-中GaN-MOSFET低壓、中低壓中-超高SiC-MOSFET中壓-超高壓中-超高1）主驅(qū)：SiCMOSFET有望替代Si-IGBT。在同樣的電壓下，SiCMOSFET與Si-IGBT相比有望助力逆變器輸出更大的功率，根據(jù)安森美的數(shù)據(jù)，以A級(jí)車用電控為例，以1.7mohm/2.2mohm內(nèi)阻的SiC模塊直接替換820A規(guī)格的Si-IGBT模塊，全逆變損耗有望降低45.3%/25.3%，開關(guān)平均損耗有望降低34.5%/16.3%，在不改變450V直流母線電壓替代Si-IGBT有望將系統(tǒng)效率提升7.6%。SiCMOSFET與Si-IGBT相比具有降低電機(jī)損耗、降低開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)化效率，帶來更小的體積和更長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間，可以使電驅(qū)系統(tǒng)在高溫高壓環(huán)境下保持高速穩(wěn)定運(yùn)行。特斯拉Model3是市場(chǎng)上最早在主驅(qū)逆變器里，使用基于碳化硅材料的碳化硅MOSFET，以替代傳統(tǒng)的硅基IGBT的車型，而后現(xiàn)代、起亞、通用等國(guó)際知名車企和國(guó)內(nèi)的比亞迪、蔚小理、吉利等相關(guān)企業(yè)也相繼推出相關(guān)車型。根據(jù)羅姆的預(yù)測(cè)，2023年開始，電機(jī)控制器中的SiC比率將會(huì)迅速上升，滲透率將會(huì)從2022年的9%增長(zhǎng)到25%。預(yù)計(jì)到2025年，SiC在電機(jī)控制器中的滲透率將高達(dá)40%。圖20：采用SiC器件替代SiIGBT配合450V直流母線電壓，逆變器效率有望提高5%圖21：采用SiC的逆變器將帶來被動(dòng)元件體積的下降，帶來逆變器整體體積的明顯降低2）車載充電機(jī)OBC：SiCMOSFET有望替代SiMOSFET或二極管。車載充電機(jī)（OBC）與車外固定直流快速充電樁相比，由于安裝于車內(nèi)整體體積受限，且使用頻率更高，直接影響客戶補(bǔ)能體驗(yàn)，因此OBC對(duì)于功率密度、整機(jī)效率的要求一般高于其他車載電源零部件。通過SiC-MOSFET進(jìn)行替代，可以減少散熱器、被動(dòng)元件尺寸、簡(jiǎn)化電路，實(shí)現(xiàn)效率的提升。目前，OBC供應(yīng)商已經(jīng)開始推廣配備SiC器件的產(chǎn)品，部分也采用了國(guó)產(chǎn)器件。根據(jù)電子發(fā)燒友網(wǎng)，目前國(guó)內(nèi)碳化硅芯片在OBC的滲透率已經(jīng)達(dá)到60-70%。表4：配備SiCMOSFET的車載OBC有望助力系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高效率比較項(xiàng)目SiIGBT+二極管SiCMOSFETOBC終端用戶價(jià)值開關(guān)頻率（KHz）25減少被動(dòng)元器件尺寸體積（cm2)4593提升汽車空間，減少汽車重量重量（g）77083074功率密度（KW/L）2.13.3效率（%）9497.7節(jié)能省錢3）直流轉(zhuǎn)換器DC/DC及充電樁：碳化硅耐高壓、高頻的性能優(yōu)勢(shì)適配直流快充樁需求，使用碳化硅器件還可降低拓?fù)鋸?fù)雜度，減少驅(qū)動(dòng)配套電路數(shù)量與功率器件用量，從而降低充電樁體積及系統(tǒng)成本。此外，對(duì)于運(yùn)營(yíng)商而言，應(yīng)用SiC器件還可以減少開關(guān)損耗，提升轉(zhuǎn)換效率，提高營(yíng)業(yè)利潤(rùn)。表5：碳化硅在新能源汽車上的應(yīng)用模塊SiC器件類型可替換硅基器件應(yīng)用優(yōu)勢(shì)代表車型主驅(qū)MOSFETSi-IGBT降低電機(jī)損耗、降低開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)化效率，帶來更小的體積和更長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間特斯拉Model3/Y、蔚來ET5/ET7OBCMOSFETSi-IGBT/Si-MOSFET減少散熱器、被動(dòng)元件尺寸、簡(jiǎn)化電路，實(shí)現(xiàn)效率的提升SBDPFCSi-SBD減少散熱器、被動(dòng)元件尺寸、簡(jiǎn)化電路，實(shí)現(xiàn)效率的提升DC/DCMOSFETSi-IGBT/Si-MOSFET提升效率模塊SiC器件類型可替換硅基器件應(yīng)用優(yōu)勢(shì)代表車型SBD前后兩級(jí)Si-SBD提升效率800V快充趨勢(shì)加速碳化硅上車，碳化硅裝車逐漸向中端車型滲透。后續(xù)要跨越電動(dòng)車滲透率鴻溝，獲得主流消費(fèi)者廣泛的支持，推廣快充是必然之路，提高充電功率可以實(shí)現(xiàn)快充，基于功率kW=電流A×電壓V，快充可通過高電壓或大電流實(shí)現(xiàn)，而充電電流加大意味著更粗更重的線束、更多的發(fā)熱量以及更多附屬設(shè)備瓶頸，而充電電壓提升則有更大的設(shè)計(jì)自由度，這直接推動(dòng)了400V電壓平臺(tái)向800V電壓平臺(tái)轉(zhuǎn)換。800V快充是目前最有可能改變電動(dòng)車?yán)锍探箲]的新技術(shù)，我們預(yù)計(jì)800V是未來的發(fā)展趨勢(shì)。碳化硅MOSFET在800V快充具有無可替代的優(yōu)勢(shì)，電壓升高后硅基IGBT的導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗都有顯著上升，增本降效使得800V的實(shí)際經(jīng)濟(jì)性大為降低，因此在800V電壓平臺(tái)中，企業(yè)更傾向選擇高頻低損耗的碳化硅MOSFET方案，因此目前800V電控乃至配套的OBC大部分已選用或規(guī)劃采用碳化硅MOSFET器件。2023年碳化硅裝車向中端車型滲透趨勢(shì)明顯，根據(jù)汽車之家數(shù)據(jù)，23年有小鵬G6、極氪X、智己LS6等多款20-25萬元價(jià)格段的標(biāo)配碳化硅車型上市。表6：應(yīng)用碳化硅的新能源車型車企車型碳化硅應(yīng)用上市年份價(jià)格區(qū)間海外特斯拉Model3主驅(qū)201825.99-29.74ModelY主驅(qū)202026.39-36.39ModelXPlaid主驅(qū)202183.89ModelSPlaid主驅(qū)202182.89通用凱迪拉克Lyriq/202243.97-47.97福特MachE主驅(qū)202126.50-37.99LucidMotorsLucidAir主驅(qū)、OBC202150.33-116.28RivianR1T主驅(qū)202154起R1S主驅(qū)202155.8起德國(guó)保時(shí)捷TaycanOBC202088.8起奧迪e-tronGT主驅(qū)202399.98保時(shí)捷MacanEV主驅(qū)2024未上市路特斯英國(guó)ELETRE主驅(qū)202282.80-102.80EMEYA主驅(qū)2024未上市沃爾沃瑞典EM90主驅(qū)202381.8現(xiàn)代韓國(guó)loniq5主驅(qū)202133.24起loniq6主驅(qū)202329.95起GenesisGV60主驅(qū)202328.58-35.18GenesisGV70主驅(qū)202338.58-43.98GenesisGV80主驅(qū)202340.68-47.58起亞EV6主驅(qū)202328.3-44.2loniq7主驅(qū)/未上市GenesisX主驅(qū)/未上市起亞EV9主驅(qū)/未上市豐田bZ4XOBC、DC-DC202219.98-28.48Mirai主驅(qū)202236.36起車企車型碳化硅應(yīng)用上市年份價(jià)格區(qū)間Prius主驅(qū)、DC-DC202323.5雷克薩斯RZ主驅(qū)202337.5-46.5比亞迪主驅(qū)202018.98-33.18唐EV(2021新款)主驅(qū)202127.95-31.48海豹主驅(qū)202216.68-27.98仰望U8主驅(qū)2023方程豹豹5主驅(qū)202328.98-35.28仰望U9主驅(qū)2024未上市蔚來ET7主驅(qū)202142.8-50.6ET5主驅(qū)202129.8-35.6主驅(qū)202243.8-51.8EC7主驅(qū)202245.8-54.8ES8（全新）主驅(qū)202349.6-65.6ES6（全新）主驅(qū)202322.8-39.6EC6（全新）主驅(qū)202335.8-55.4ET5T主驅(qū)202329.8-35.6G9主驅(qū)202226.39-41.99G6主驅(qū)202320.99-27.69理想MEGA主驅(qū)2024未上市華為智界S7主驅(qū)202325.80-35.80/202330.08-40.08/202350-60SU7/2024未上市Smart精靈#1主驅(qū)202217.9-28.49極氪001主驅(qū)202126.9-34.9極氪009主驅(qū)202249.9-58.8極氪X主驅(qū)202318.98-22.98極氪001FR主驅(qū)202376.9極越01主驅(qū)202324.99-33.99極氪CSIE主驅(qū)2023未上市極氪007主驅(qū)202322.99起上汽智己LS6主驅(qū)、OBC202322.99-29.19上汽通用五菱五菱凱捷混合動(dòng)力版主驅(qū)202312.98-14.98戰(zhàn)略型SUV五菱星辰混動(dòng)版主驅(qū)20239.98-10.98長(zhǎng)城機(jī)甲龍/202248.8嵐圖主驅(qū)202131.36-33.36紅旗新能源E001主驅(qū)/未上市E202主驅(qū)2024未上市哪吒GT主驅(qū)202319.78-23.58江鈴汽車主驅(qū)202318.26-26.99以現(xiàn)今量產(chǎn)車型搭載碳化硅的情況來看，特斯拉在中低端車型采用混用SiCMOS和SiIGBT外（從原來的24個(gè)SiCMOS變成6個(gè)SiCMOS+18個(gè)SiIGBT混用的方案），在高端車型（Model3以上的車型）仍采用純SiCMOS的方案（24個(gè)SiCMOS），其他大部分廠商均采用36-48顆芯片。車用OBC和DC/DC對(duì)碳化硅的用量與主驅(qū)的比例大概是1：2。我們基于以上分析和以下假設(shè)對(duì)新能源汽車市場(chǎng)碳化硅市場(chǎng)規(guī)模進(jìn)行預(yù)測(cè)：1）假設(shè)一——單車用量：若一輛車主驅(qū)用36或48顆碳化硅MoS芯片，假設(shè)平均主驅(qū)用量為42顆碳化硅MoS芯片，按照車用OBC和DC/DC對(duì)碳化硅的用量與主驅(qū)的比例大概是1：2計(jì)算，假設(shè)平均單車用量為60顆碳化硅MoS芯片；2）假設(shè)二——碳化硅搭載車型銷量：假設(shè)800V高壓快充新車全部搭載碳化硅；非800V搭載率隨著碳化硅成本的不斷下降從2022-2026年分別為1%、3%、5%、10%、15%；3）假設(shè)三——襯底良率：根據(jù)“芯八哥”微信公眾號(hào)，目前頭部廠商晶圓良率和襯底良率在50-60%左右，假設(shè)隨著技術(shù)和工藝水平的不斷提升，晶圓和襯底良率從2022-2026年分別為50%、55%、58%、60%、65%。基于以上假設(shè)，我們預(yù)測(cè)2023-2026年全球碳化硅晶圓需求量為18、36、73、112萬片；2023-2026年全球碳化硅襯底需求量為32、62、121、172萬片。表7：新能源汽車市場(chǎng)碳化硅市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)20222023E2024E2025E2026E國(guó)內(nèi)新能源車銷量6288339991169134533%20%全球新能源車銷量1020138817822204264536%28%24%20%國(guó)內(nèi)B/C級(jí)新能源車銷量250300351403全球B/C級(jí)新能源車銷量306416535661794800V架構(gòu)滲透率3%20%30%40%國(guó)內(nèi)800V車型銷量/國(guó)內(nèi)800V車型搭載碳化硅銷量（萬輛）63060yoy430%100%75%53%全球800V車型銷量/全球800V車型搭載碳化硅銷量（萬輛）950317yoy444%114%86%60%非800V車型搭載碳化硅比例3%5%國(guó)內(nèi)非800V車型銷量62380393910641183全球非801V車型銷量10101338167520062328國(guó)內(nèi)非800V車型搭載碳化硅銷量（萬輛）62447全球非801V車型搭載碳化硅銷量（萬輛）4084201349國(guó)內(nèi)搭載碳化硅車型銷量（萬輛）54212339全球搭載碳化硅車型銷量（萬輛）90399667單車碳化硅芯片用量（顆）6060606060國(guó)內(nèi)碳化硅芯片需求量（萬顆）7133,2446,41612,69720,330全球碳化硅芯片需求量（萬顆）1,1575,40511,44223,93939,995單片晶圓可以切出來的芯片數(shù)量550550550550550晶圓良率50%55%58%60%65%單片晶圓實(shí)際可以切出來的芯片數(shù)量27530331933035820222023E2024E2025E2026E國(guó)內(nèi)所需晶圓片數(shù)（萬片）3203857全球所需晶圓片數(shù)（萬片）43673襯底良率50%55%58%60%65%所需襯底片數(shù)（萬片）5356487所需襯底片數(shù)（萬片）83262碳化硅優(yōu)良的物理性能，在光伏組串式逆變器的應(yīng)用中也具有較大前景。光伏產(chǎn)業(yè)也向“大組件、大逆變器、大跨度支架、大組串”方向發(fā)展，光伏電站電壓等級(jí)將從1000及以上，對(duì)功率器件的物理性能提出了更高的要求。光伏逆變器作為碳化硅器件的另一大主要應(yīng)用場(chǎng)景，也迎來新的發(fā)展機(jī)遇。未來更主流，裝機(jī)貢獻(xiàn)更大的組串式逆變器有望受益于SiC優(yōu)良的物理特性，來實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的降本提效，并在“平價(jià)上網(wǎng)”的市場(chǎng)環(huán)境下有望為終端用戶創(chuàng)造更大經(jīng)濟(jì)價(jià)值。根據(jù)SimonWall等人在《High-efficiencyPVinverterwithSiC》的研究中，在50KW的組串式逆變器中，Si二極管被SiC二極管替代后有望實(shí)現(xiàn)0.3%的系統(tǒng)效率提升。根據(jù)天科合達(dá)招股說明書，使用全SiCMOSFET或SiCMOSFET與SiCSBD結(jié)合的功率模塊的光伏逆變器，轉(zhuǎn)換效率可從96%提升至99%以上，能量損耗降低50%以上，設(shè)備循環(huán)壽命提升50倍。圖22：采用SiC二極管替代Si二極管有望使效率提升0.3%資料來源：《High-efficiencyPVinverterwithSiC》（SimonWall），圖23：SiCMOSFET可以改善光伏逆變器性能碳化硅器件在光儲(chǔ)逆變器中應(yīng)用比例持續(xù)增加，光儲(chǔ)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)相比車規(guī)產(chǎn)品更為激烈。從2010年以來，光伏逆變器廠商就已經(jīng)采用碳化硅二極管替代硅基器件使用，隨著國(guó)產(chǎn)二極管價(jià)格的下降，越來越多的企業(yè)開始大批量使用碳化硅，2023年5月上海SNEC2023展上，英威騰XGPLUS、上能電氣320kW組串逆變器、邁格瑞能G2混合逆變器等眾多參展產(chǎn)品都采用了碳化硅技術(shù)，光伏企業(yè)與碳化硅芯片企業(yè)合作案例也在增加，如上能電氣與安森美達(dá)成戰(zhàn)略合作、科士達(dá)與意法半導(dǎo)體深化合作等。比車規(guī)產(chǎn)品光伏市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)相對(duì)更為激烈，一方面，光伏市場(chǎng)產(chǎn)品驗(yàn)證周期相比車規(guī)產(chǎn)品更短，進(jìn)入門檻更低，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更多；另一方面，由于2023年下游逆變器企業(yè)處于產(chǎn)能出清周期，受到海外需求增速下滑和庫存的影響，下游競(jìng)爭(zhēng)加劇，價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)也同樣傳導(dǎo)到上游。根據(jù)InSmei調(diào)研，國(guó)內(nèi)工業(yè)碳化硅二級(jí)管的價(jià)格今年以來跌幅明顯，截止到2023年6月，國(guó)內(nèi)碳化硅二級(jí)管的價(jià)格已接近0.5元/A，跌幅超30%。未來，碳化硅二極管價(jià)格的下降也有望進(jìn)一步提升對(duì)SiIGBT的替代。圖24：工業(yè)級(jí)1200V20A-40A碳化硅二極管價(jià)格變化（單位：元/A）除新能源車及光伏逆變器之外，在通信及服務(wù)器電源、軌道交通牽引變流器等電力電子應(yīng)用領(lǐng)域，均需要實(shí)現(xiàn)整流、逆變等基本功能，而采用SiC器件有望提高電能轉(zhuǎn)換效率，從不同程度上降低系統(tǒng)成本，或?yàn)榻K端客戶帶來更大收益及良好使用體驗(yàn)。以軌道交通牽引變流器為例，碳化硅功率器件相較傳統(tǒng)硅基IGBT能夠有效提升開關(guān)頻率，降低開關(guān)損耗，其高頻化可以進(jìn)一步降低無源器件的噪聲、溫度、體積與重量，提升裝置應(yīng)用的機(jī)動(dòng)性、靈活性，是新一代牽引逆變器技術(shù)的主流發(fā)展方向。目前SiC器件已在城市軌道交通系統(tǒng)中得以應(yīng)用，蘇州軌交3號(hào)線0312號(hào)列車是國(guó)內(nèi)首個(gè)基于SiC變流技術(shù)的永磁直驅(qū)牽引系統(tǒng)項(xiàng)目，實(shí)現(xiàn)了牽引節(jié)能20%的目標(biāo)。2012年東京地鐵銀座線進(jìn)行了世界首次SiC器件裝車運(yùn)營(yíng)試驗(yàn)。自2015年起，日本開始在鐵路車輛上大量采用SiC器件，到2021年，已進(jìn)入普及應(yīng)用階段。4.成本提高與性能提升之間的平衡關(guān)系是碳化硅產(chǎn)業(yè)化的核心4.1.成本是當(dāng)下制約碳化硅加速產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵因素上文中我們判斷了高壓快充有效解決里程焦慮問題，是電車產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，大量800V車型的推出上市導(dǎo)入也印證了這一點(diǎn)，這進(jìn)一步促進(jìn)了SiC的需求爆發(fā)。盡管碳化硅器件相比硅基產(chǎn)品具有明顯優(yōu)勢(shì)，但現(xiàn)階段SiC仍然存在一些問題限制了大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推廣和應(yīng)用。一方面，受SiC材料缺陷密度高、SiC器件設(shè)計(jì)和工藝成熟度、產(chǎn)品良率和可靠性較低等問題限制，單芯片SiCMOSFET的額定電流遠(yuǎn)小于單芯片SiIGBT的額定電流，這限制了SiC（SCT3022KLHR）分立器件的最大載流能力為95A，商用650VSiCMOSFET（SCT3017AL）分立器件的最大載流能力為118A；科銳公司的商用1200VSiCMOSFET（C3M0016120D）分立器件的最大載流能力為115A，商用650VSiCMOSFET（C3M0015065D）分立器件的最大載流能力為120A；英飛凌公司的商用1200VSiIGBT（IKY75N120CH3）分立器件的最大載流能力可達(dá)150A，650VSiIGBT（IGZ100N65H5）分立器件的最大載流能力可達(dá)161A。實(shí)際上，兩種類型功率模塊的載流能力差距更大，SiIGBT模塊載流能力超過SiCMOSFET模塊載流能力的5倍以上。另一方面，SiCMOSFET長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的可靠性仍要差于SiIGBT，這限制了該功率器件在高可靠電能變換領(lǐng)域中的應(yīng)用。相比SiIGBT，SiCMOSFET主要體現(xiàn)在短路能力和柵氧在高溫強(qiáng)電場(chǎng)下的可靠性不足。此外，SiCMOSFET的開關(guān)速度更快，這意味著該功率器件將在開關(guān)過程中產(chǎn)生更高的dv/dt和di/dt，從而產(chǎn)生更嚴(yán)重的傳導(dǎo)EMI噪聲而威脅變換器性能及可靠性。因此，采用SiCMOSFET將對(duì)變換器EMI噪聲的抑制提出更高要求。而最重要的原因在于成本問題，受高昂SiC材料成本、復(fù)雜器件制作工藝以及較低產(chǎn)品良品率等因素的影響，SiCMOSFET的成本與同類SiIGBT分立器件相比仍然有較大差距，這阻礙了SiC器件大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)化推廣。碳化硅商業(yè)化的關(guān)鍵在于下游對(duì)碳化硅器件成本和碳化硅器件優(yōu)越性能帶來的綜合成本下降間的平衡。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，襯底和器件的價(jià)格呈一定下降趨勢(shì)，但是目前碳化硅功率器件的價(jià)格仍數(shù)倍于硅基器件，SiCMOSFET分立器件的單價(jià)是SiIGBT分立器件成本的3~15倍，且隨著載流能力的提升，價(jià)格差距也越來越大，下游應(yīng)用領(lǐng)域仍需平衡碳化硅器件的高價(jià)格與碳化硅器件優(yōu)越性能帶來的綜合成本下降間的關(guān)系，短期內(nèi)一定程度上限制了碳化硅器件在功率器件領(lǐng)域的滲透率，使得碳化硅材料即使在部分相對(duì)優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域的大規(guī)模應(yīng)用仍存較大挑戰(zhàn)。但是，在SiC器件成本難以對(duì)Si實(shí)現(xiàn)平價(jià)化的前提下，我們認(rèn)為碳化硅依然存在商業(yè)價(jià)值，其核心原因在于以半導(dǎo)體成本的提升換取系統(tǒng)效率的提升，最終可以帶來系統(tǒng)成本降低，或幫助下游客戶在產(chǎn)品的全生命周期內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的經(jīng)濟(jì)利益，在碳化硅成本逐步下降的同時(shí)，下游市場(chǎng)也有望迎來較大規(guī)模成長(zhǎng)。表8：SiCMOSFET和SiIGBT成本對(duì)比型號(hào)器件類型額定電壓額定電流（25℃)單價(jià)（元）C2M0080120DSiCMOSFET1200V31.6A132.42C3M0032120KSiCMOSFET63A415.30C3M0016120KSiCMOSFET560.76SCT3060ALSiCMOSFET39A89.45SCT3030ALHRSiCMOSFET70A106.21SCT3017ALHRSiCMOSFET854.13IKW15N120BH6SiIGBT1200V30A39.32IKW40T120SiIGBT75A72.44IKQ75N120CS6SiIGBTIKP28N65ES5SiIGBT38A26.30AIGW40N65H5SiIGBT74A48.13IGZ75N65H5SiIGBT52.43資料來源：《SiIGBT/SiCMOSFET混合器件的開關(guān)控制策略及其應(yīng)用研究》（彭子舜部4.2.關(guān)注產(chǎn)業(yè)降本節(jié)奏，襯底降本從產(chǎn)業(yè)鏈成本構(gòu)成來看，襯底降本快于器件。碳化硅的成本直接決定了滲透率，影響市場(chǎng)規(guī)模，因此需要密切關(guān)注產(chǎn)業(yè)降本節(jié)奏。襯底占碳化硅成本的比例高達(dá)47%，其次是外延，再其次是后道等環(huán)節(jié)，我們判斷襯底降本快于器件。襯底的降本面對(duì)諸多技術(shù)難點(diǎn)，包括襯底生長(zhǎng)“慢”、加工“難”、缺陷密度去除工藝壁壘“高”。碳化硅器件降本的技術(shù)路徑，從市場(chǎng)上的動(dòng)態(tài)來看，主要包括擴(kuò)大晶圓尺寸、改進(jìn)碳化硅長(zhǎng)晶及加工工藝以提高良率。碳化硅襯底制造工藝復(fù)雜技術(shù)壁壘高，生長(zhǎng)速度“慢”。碳化硅襯底的制造對(duì)溫度和壓力的控制要求極高，碳化硅襯底的生長(zhǎng)過程在2300℃以上高溫和接近真空的低壓密閉高溫石墨坩堝中進(jìn)行（硅材料只需要1600攝氏度），無法即使觀察晶體的生長(zhǎng)狀況，隨著尺寸擴(kuò)大，其生長(zhǎng)難度呈幾何式增長(zhǎng)，溫度和壓力的控制稍有失誤，就有可能導(dǎo)致碳化硅材料的微管密度、錯(cuò)位密度、電阻率、翹曲度、表面粗糙度等一系列參數(shù)出現(xiàn)差錯(cuò)，產(chǎn)生異質(zhì)晶型，影響良率；長(zhǎng)晶速度非常慢，傳統(tǒng)的硅材料只需3天就可以長(zhǎng)成一根晶棒，而碳化硅晶棒需要7天，這就導(dǎo)致碳化硅生產(chǎn)效率天然地更低，產(chǎn)出非常受限；此外，晶型要求高、良率低，只有少數(shù)幾種晶體結(jié)構(gòu)的單晶型碳化硅才可作為半導(dǎo)體材料。圖25：碳化硅襯底生產(chǎn)流程此外，碳化硅襯底加工“難”，晶棒切割、研磨拋光等后端工藝也面臨較大困難。碳化硅性質(zhì)偏硬、脆，斷裂韌性較低，切割、研磨、拋光技術(shù)難度大，工藝水平的提高需要長(zhǎng)期的研發(fā)積累，也需要上游設(shè)備商特殊設(shè)備的配套開發(fā)。目前碳化硅切片加工技術(shù)主要包括固結(jié)、游離磨料切片、激光切割、冷分離和電火花切片；研磨拋光時(shí)容易開裂或留下?lián)p傷，這要求在切割襯底的時(shí)候需要預(yù)留更多的研磨拋損耗，這進(jìn)一步降低了晶錠的出片率，同時(shí)也影響了整體的生產(chǎn)良率。全球碳化硅制造加工技術(shù)和產(chǎn)業(yè)尚未成熟，在一定程度上限制了碳化硅器件市場(chǎng)的發(fā)展，要充分實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的優(yōu)異性能，開發(fā)提高碳化硅晶片加工技術(shù)是關(guān)鍵所在。表9：不同切割工藝的差異切割工藝磨料切片激光切割冷分離電火花材料去除原理磨料研磨脈沖激光改性激光改性脈沖火花放電蝕除切縫寬度/um180-250＜100總厚度變化/um），碳化硅缺陷密度去除工藝壁壘“高”。碳化硅單晶生長(zhǎng)熱場(chǎng)存在溫度梯度，導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)過程中存在原生內(nèi)應(yīng)力及由此誘生的位錯(cuò)、層錯(cuò)等缺陷，其可靠性備受關(guān)注。在密閉高溫腔體內(nèi)進(jìn)行原子有序排列并完成晶體生長(zhǎng)、同時(shí)控制微管密度、位錯(cuò)密度、電阻率、翹曲度、表面粗糙度等參數(shù)指標(biāo)是復(fù)雜的系統(tǒng)工程，涉及一系列高難度工藝調(diào)控，工藝壁壘高。正是因?yàn)檫@些技術(shù)難點(diǎn)造成了成本問題，成為碳化硅器件規(guī)?；瘧?yīng)用的難題。目前，降本的主要途徑包括擴(kuò)大晶圓尺寸、改進(jìn)碳化硅長(zhǎng)晶及加工工藝以提高良率等。擴(kuò)大晶圓尺寸是降低成本的有效手段，6英寸是目前主流，8英寸是未來方向。襯底尺寸越大，單位襯底可制造的芯片數(shù)量越多，單位芯片成本越低；襯底的尺寸越大，邊緣的浪費(fèi)就越小，有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。根據(jù)Wolfspeed，從6寸轉(zhuǎn)向8寸晶圓，碳化硅芯片數(shù)量（32mm2)有望從448顆增加到845顆，在良率為80%、60%水平下，有效產(chǎn)出顆數(shù)分別為358、507顆，若假設(shè)單車使用同樣規(guī)格的芯片54顆（48顆主逆+6顆OBC），則一片晶圓理論可供6.6、9.5臺(tái)車，效率得到顯著提升。根據(jù)GTAT公司的預(yù)估，相對(duì)于6寸晶圓平臺(tái)，預(yù)計(jì)8寸襯底的引入將使整體碳化硅器件成本降低20-35%。而且，6寸SiC晶體厚度為350微米，而最初投放市場(chǎng)的8寸SiC襯底厚度為500微米。盡管晶體成本會(huì)略微上漲，但是由于更厚的晶體可以切出更多的襯底片，預(yù)計(jì)也有望進(jìn)一步降低器件生產(chǎn)成本。目前導(dǎo)電型碳化硅襯底以6英寸為主，8英寸襯底開始發(fā)展；半絕緣碳化硅襯底以4英寸為主，目前逐漸向6英寸襯底發(fā)展。隨著尺寸的增大，碳化硅單晶擴(kuò)徑技術(shù)的要求越來越高。擴(kuò)徑技術(shù)需要綜合考慮熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、擴(kuò)徑結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、晶體制備工藝設(shè)計(jì)等多方面的技術(shù)控制要素，最終實(shí)現(xiàn)晶體迭代擴(kuò)徑生長(zhǎng)，從而獲得直徑達(dá)標(biāo)的高質(zhì)量籽晶，繼而實(shí)現(xiàn)后續(xù)大尺寸籽晶的連續(xù)生長(zhǎng)。這也是國(guó)產(chǎn)廠商需要著重突破的技術(shù)難點(diǎn)。圖26：8英寸襯底將提高晶圓利用率圖27：8英寸襯底成本將會(huì)顯著降低改進(jìn)碳化硅長(zhǎng)晶及加工工藝以提高良率等也是降低成本的有效方式。目前國(guó)內(nèi)6英寸良率約40-50%，海外約60-70%，較低的良率使得有效產(chǎn)能減少?gòu)亩杀驹黾?。長(zhǎng)晶慢、質(zhì)量低、大尺寸難度高、加工工藝不足帶來的損耗等方面都是造成良率降低的因素，目前頭部廠商正積極通過技術(shù)改進(jìn)來提升良率，如2021年8月5日，住友官網(wǎng)提到了他們利用一種所謂的MPZ技術(shù)，生長(zhǎng)了高質(zhì)量、低成本的SiC襯底和SiC外延片，消除了表面缺陷和基面位錯(cuò)(BPD)，無缺陷區(qū)（DFA）達(dá)到99%，相比PVT法，SiC長(zhǎng)晶速度提高了5倍左右，相比普通的LPE法速度提升了200倍。但目前國(guó)內(nèi)廠商的良率水平與海外廠商還存在一定差距。圖28：住友MPZ（多參數(shù)和區(qū)域控制）溶液生長(zhǎng)技術(shù)4.3.2023年國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)回顧：繁榮與挑戰(zhàn)并存2023年，國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了快速發(fā)展的一年。從需求情況來看，汽車與光伏應(yīng)用增長(zhǎng)，市場(chǎng)供不應(yīng)求。從2021年-2022年起，碳化硅器件便進(jìn)入供應(yīng)短缺狀態(tài)，至今依然沒有得到完全緩解。其中，汽車對(duì)碳化硅器件應(yīng)用量的提升，成為拉動(dòng)行業(yè)增長(zhǎng)的主要因素。根據(jù)EV芯聞，截至2023年上半年，全球已有40款碳化硅車型進(jìn)入量產(chǎn)交付，上半年全球碳化硅車型銷量超過120萬輛。從YoleIntelligence發(fā)布的2023年版《功率碳化硅報(bào)告》來看，碳化硅行業(yè)近年實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)紀(jì)錄的增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2028年，全球功率碳化硅器件市場(chǎng)將增長(zhǎng)至近90億美元。其中，新能源汽車可以稱得上當(dāng)前碳化硅的殺手級(jí)應(yīng)用。在上文（見3.2.1章節(jié)）中我們也對(duì)碳化硅未來在電車上的市場(chǎng)需求進(jìn)行了展望。碳化硅器在光伏市場(chǎng)應(yīng)用值得關(guān)注，隨著碳化硅在光伏領(lǐng)域應(yīng)用逐漸成熟，碳化硅器件可有效提高光伏發(fā)電轉(zhuǎn)換效率，光伏逆變器的轉(zhuǎn)換效率可從硅基的96%提升至SiCMOSFET的99%以上，能量損耗降低50%，設(shè)備循環(huán)壽命提升50倍。這使得光伏逆變器擁有更大替換碳化硅的動(dòng)力。伴隨滲透率的進(jìn)一步提升，未來的碳化硅有望逐漸替代硅基IGBT在光伏逆變器上的應(yīng)用。從供給情況來看，大廠紛紛擴(kuò)產(chǎn)，國(guó)內(nèi)差距正在縮短。隨著需求的增長(zhǎng)，碳化硅大廠紛紛加速產(chǎn)業(yè)布局，三菱、博世、意法半導(dǎo)體、安森美等國(guó)際巨頭紛紛擴(kuò)產(chǎn)。國(guó)內(nèi)企業(yè)也在積極研發(fā)和探索碳化硅器件的產(chǎn)業(yè)化，已經(jīng)形成相對(duì)完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈，部分產(chǎn)業(yè)節(jié)點(diǎn)有所突破。碳化硅襯底方面，天岳先進(jìn)在半絕緣碳化硅襯底的市場(chǎng)占有率連續(xù)多年保持全球前三；天科合達(dá)在國(guó)內(nèi)率先成功研制6英寸碳化硅襯底，并已實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)和器件銷售。碳化硅外延片方面，廈門瀚天天成與東莞天域可生產(chǎn)6英寸碳化硅外延片。碳化硅器件方面，泰科天潤(rùn)、瀚薪、揚(yáng)杰科技、中電55所、中電13所、科能芯、中車時(shí)代電氣等形成一定實(shí)力，正在縮短與國(guó)外差距。值得一提的是，三安光電和天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等獲得海外芯片巨頭的認(rèn)可，簽下碳化硅襯底長(zhǎng)期供貨協(xié)議；意法半導(dǎo)體還與三安合資建設(shè)碳化硅器件工廠，并由三安配套供應(yīng)碳化硅襯底。行業(yè)產(chǎn)能快速擴(kuò)張，2024年以來國(guó)內(nèi)碳化硅襯底產(chǎn)能逐步落地，多家廠商的擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目都在2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)或是在產(chǎn)能爬坡過程中。表10：國(guó)內(nèi)碳化硅企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)展公司產(chǎn)業(yè)布局工廠分布現(xiàn)有產(chǎn)能（截至截至2022年12月產(chǎn)能2023年產(chǎn)能進(jìn)展與規(guī)劃公司產(chǎn)業(yè)布局工廠分布現(xiàn)有產(chǎn)能（截至截至2022年12月產(chǎn)能