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文檔簡介

60分（4題

高通量表征：照相術(shù)，掃描光譜儀、FTIR光譜成像，陣列微四探針、SEMM（介電、壓電、磁電、X射線分析，μSIMS，合成表征答：PIMSVUV波段連續(xù)可調(diào)，分辨能力強；O2，H2O，CO，andCO更容易被電離；3。與投射電鏡相比，軟x射線顯微術(shù)主要有哪些優(yōu)勢？（，軟X射線顯微）（1）（3）利用元素的吸收差異進行XANES或EXAFS成像，在細胞水平上研究蛋白4。何謂VUV光子的量子剪裁？試以Gd-Eu為例圖示說明其光躍遷過程？（，Gd3+6Gj后，Gd3+6GjEu3+7Fj態(tài)通過交叉答：面：k空間占有電子與不占有電子區(qū)域的分界面。則面就是一個半徑為kf的球。如果k表示Bloch矢量，那么在第一Brillouin區(qū)，固體材料的許多特性，如電導(dǎo)、磁阻、超導(dǎo)以及鐵磁性等,都是由靠近邊的電子決kTkT=25毫電子伏特。自從上世紀九十年代中期以來，光電子能譜實驗的能量和動量分辨率有了大幅度的提升邊以下十個電子伏特甚至更低能量電子的測量都可覆蓋了從紅外到硬X射線的各種波長。由于光譜連續(xù)、亮度高、準直性好，又有偏振、脈束團的發(fā)散度：第一代光源的團發(fā)散度為幾百納米弧度；第二代在150－40納米弧隨著入射X3個區(qū)域：低能NEXAFS；NEXAFS；HRXPS（NEXAFS（PED（PEEM（IR光光譜（FSX射線散射（SXS填空題：20Ek為電子的動能；hv為光子能量；Eb為電子的束縛能；?3。同步輻射XX射線亮度；準直性好；光源穩(wěn)定，有4（Rn散射66中的上半部分為掠入射光束線，覆蓋的光譜范圍5~120nm。下半部分為正入射光束線，覆蓋的光譜范

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