太陽能電池基礎知識介紹第一頁，共二十九頁，2022年，8月28日2太陽電池分類硅基薄膜太陽電池的發(fā)展硅基薄膜太陽電池的優(yōu)缺點薄膜電池的光照性能衰退現(xiàn)象電池光電轉(zhuǎn)換效率的計算薄膜電池工藝基礎簡介提綱第二頁，共二十九頁，2022年，8月28日3薄膜太陽電池分類硅基薄膜太陽電池的發(fā)展薄膜電池的光照性能衰退現(xiàn)象電池光電轉(zhuǎn)換效率的計算電池片的應用一、太陽能電池分類匯總第三頁，共二十九頁，2022年，8月28日薄膜太陽電池簡介硅薄膜

碲鎘系(CdTe)染料薄膜和有機薄膜(TiO2)非晶,非晶/微晶(a-Si,a-Si/c-Si)FirstSolar，USUnitedSolar(~8%),EPV(5~6%)USKaneka,Sharp(8~10%)JapanLG,周星(~9.6%)韓國銅銦系(CIS,CIGS)金屬薄膜正泰(~9.0%),天威(6`7%),新奧(8~8.5%),金太陽(~8%%),尚德(6`7%),百世德(8~8.5%)中國LeyboldOptics(~9.5%)GermanJSTGerman山東孚日股份中國第四頁，共二十九頁，2022年，8月28日51975年Spear等在非晶氫硅中實現(xiàn)可控摻雜，1976年美國RCA實驗室制成了世界上第一個非晶硅太陽電池效率2.4%1980年日本三洋電器公司利用非晶硅太陽電池制成袖珍計算器；1987年摻C,摻Ge,光陷阱工藝非晶硅電池轉(zhuǎn)化效率達12%(Initial)；面積從0.1M2

發(fā)展到0.3M2,Module功率14W(stableEff~5%)1988年與建筑材料相結(jié)合的非晶硅太陽能電池投入應二、硅基薄膜太陽電池的發(fā)展HistoryToday實驗室:Triple電池~15.3%

產(chǎn)業(yè)化:非晶硅/微晶硅疊層電池G5(1.1*1.3M2)~9.6%G8.5(2.2*2.6M2)~8.5%

第五頁，共二十九頁，2022年，8月28日6硅基薄膜太陽電池的技術(shù)發(fā)展EPV,Oerlikon,AMATEPVEPV

泉州金太陽Unit-solarOerlikonAMATKanakaSharp……..?第六頁，共二十九頁，2022年，8月28日BestSOLARConfidential三、硅基薄膜電池優(yōu)缺點優(yōu)點:耗材少:硅薄膜太陽電池的厚度在2μm左右其厚度只有晶硅電池的1%能耗低:硅薄膜電池制備工藝200OC左右，而晶體硅核心工藝需要1000OC無毒，無污染

更多的發(fā)電量

a.良好的弱光性:使得在陰雨天比晶體硅電池有多10%左右的發(fā)電量

b.高溫性能好:溫度系數(shù)低,使得薄膜電池在高溫工作狀況下同樣有比晶體硅電池高的發(fā)電量美觀、大方

電池組件的顏色與建筑物的顏色比較容易匹配，美化室內(nèi)外環(huán)境，加上精細、整齊的激光切割線，使建筑物更加美觀、大方，更有魅力。

應用穩(wěn)定性更好由于非晶硅太陽電池的電流密度較小,熱斑效應不明顯，所以，使用起來更加方便、可靠。

能源回收期短

成本低且下降空間大

第七頁，共二十九頁，2022年，8月28日缺點前期資金投資大光致衰退(S-w效應)效率偏低設備、原材料國產(chǎn)化減薄非晶硅層,改善光衰疊層電池如非晶硅/微晶硅,改善光衰,提高效率改善各層材料間界面性能，提高功率新產(chǎn)品的開發(fā)、新材料、新工藝解決方案硅基薄膜太陽電池缺點以及應對第八頁，共二十九頁，2022年，8月28日四、非晶硅的光照衰退(Staebler-Wronski效應)光致衰退現(xiàn)象：非晶硅電池在強光下照射數(shù)小時，電性能下降并逐漸趨于穩(wěn)定；若樣品在160℃下退火，電學性能可恢復原值(S-W效應)非晶硅制造過程中Si-Si弱鍵的作用第九頁，共二十九頁，2022年，8月28日薄膜太陽電池LID測試

(IEC認證)資料來源:應用材料第十頁，共二十九頁，2022年，8月28日光老化試驗第十一頁，共二十九頁，2022年，8月28日測試環(huán)境標準條件（STC）光強：光功率密度為1000W/m2光譜特征：AM1.5環(huán)境溫度：25℃五、電池的光電轉(zhuǎn)換效率計算第十二頁，共二十九頁，2022年，8月28日光譜特征：AM1.5ΘcosΘ=2/3(48.2o)AM1.5=1/cosΘLight第十三頁，共二十九頁，2022年，8月28日Eff=Pm/（1000W/m2×組件面積)例如公司電池片輸出功率為480W，面積為5.7m2

，則效率η=480/(1000*5.7)=8.42%

StableEff&InitialEff

初始最大輸出功率

穩(wěn)定最大輸出功率

(初始功率-穩(wěn)定功率)/初始功率組件效率Eff計算InitialEffStableEffLID第十四頁，共二十九頁，2022年，8月28日SOL:I-V曲線指標介紹(Q-size)第十五頁，共二十九頁，2022年，8月28日名詞解釋Pm：在標準環(huán)境下的輸出功率，等于Vm*ImVoc：為電池片在不帶任何負載下的電壓Isc：為電池片正負極短路條件的電流Vm：為最大輸出功率時對應的電壓Im：為最大輸出功率時對應的電流FF：為Pm/(Voc*Isc)Rs：表征電池內(nèi)部的串聯(lián)電阻Rsh：表征電池元之間的并聯(lián)電阻第十六頁，共二十九頁，2022年，8月28日六、薄膜電池工藝簡介第十七頁，共二十九頁，2022年，8月28日疊層電池結(jié)構(gòu)SiO2(20~40nm)TCO(700~1000nm)a-si(~300nm)SiO2(100nm)μc-Si(~1.7μm)AZO(~100nm)Ag(130~200nm)第十八頁，共二十九頁，2022年，8月28日ITO(In2O3:Sn)氧化銦(錫)FTO(SnO2:F)摻氟氧化錫ZAO(ZnO:Al)摻鋁氧化鋅其他(GAO,ATO,…..)TCO(transparentconductiveoxide)[透明導電氧化物]的分類TCO簡介第十九頁，共二十九頁，2022年，8月28日ITO(In2O3:Sn)氧化銦(錫)

1、應用范圍主要平板顯示器、液晶顯示、觸摸屏薄膜太陽能電池(CIGS、HIT)缺點:成本高，熱性能較差

(耐還原性差,在等離子體下易被還原)2、制備方式DC-磁控濺射RF-磁控濺射電子束蒸發(fā)磁控濺射第二十頁，共二十九頁，2022年，8月28日FTO(SnO2:F)摻氟氧化錫1、應用范圍薄膜太陽能電池缺點:Sn4+易被氫離子還原2、制備方式:APCVD法在線式APCVD(浮法線)AGC(Asahifloatglass),NSG離線式APCVD(離線式)優(yōu)點:成本低,制備技術(shù)相對成熟,耐熱性能好第二十一頁，共二十九頁，2022年，8月28日ZnO:Al(ZAO)氧化鋅

1、應用范圍a-si;uc-si;a-si/uc-si優(yōu)點:穩(wěn)定性好;近紅外高透過率,不受氫離子還原作用2、制備方式磁控濺射+制絨(leyboldoptics,PIANova,信義玻璃)缺點：成本較高,產(chǎn)品有待驗證第二十二頁，共二十九頁，2022年，8月28日TCO與薄膜太陽能電池的關(guān)聯(lián)薄膜太陽能電池Sunlightglass-AgZnO:Aln:a-sii:a-sip:a-siTCO(SnO2:F)+光生電壓VocTCO用于薄膜電池的前電極第二十三頁，共二十九頁，2022年，8月28日TCO作為薄膜電池前電極的性能要求透光性:可見光(Transimission)>80%表面絨面度:(Roughness)12~15%面電阻R□9~13Ω第二十四頁，共二十九頁，2022年，8月28日

更低的成本

薄膜太陽能電池的未來TJCost:-40%第二十五頁，共二十九頁，2022年，8月28日26ZnO:Ag+TCOQ4Q1Q4Q3Q2Q2Q4Q3Q1Q3CY2010CY2011CY20098.5%9.0%10.0%12.0%IntermediateLayer(SOIR)Q29.5%10.5%Q1Q2Q3Q4CY201211.0%Project-XEnhancedLightTrappingQ1Q2Q3Q4Q1CY2013$Production/watt=Watt/m2Cost/m2DrivingCostDownDrivingWattsUp更高的效率第二十六頁，共二十九頁，2022年，8月28日非晶硅/微晶硅電池的未來結(jié)構(gòu)氧化硅(摻磷)夾層非晶硅微晶硅氧化鋅(ZnO)/銀氧化鋅(ZnO)玻璃光捕獲(LightTrapping)示意圖第二十七頁，共二十九頁，2022年，8月28日

單位基礎常識微米1um＝10-6m（米）納米1nm＝10-9m（米）埃米1?

＝10-10m（米）赫