ICS.29.045H24中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)CB/T17169－1997硅拋光片和外延片表面質(zhì)量光反射測試方法Testmethodforthesurfacequalityofpolishedsiliconwafersandepitaxiallwafersbyyoptical-reflection1997-12-22發(fā)布1998-08-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T17169-1997前目前尚無檢索到鏡面狀半導(dǎo)體品片表面缺陷光反射無報檢驗(yàn)的國際標(biāo)準(zhǔn)或國外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)本標(biāo)準(zhǔn)利用近代激光技術(shù)、先進(jìn)的光學(xué)接收裝置，經(jīng)過信息處理系統(tǒng)，可快速、無損完成對鏡面狀試樣表面狀態(tài)分析，試樣表面缺陷的圖像可直觀地在屏幕上顯示出來。本標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)顯示出的缺陷圖像已編成圖譜本標(biāo)準(zhǔn)可實(shí)現(xiàn)對半導(dǎo)體硅拋光片、外延片表面直觀、靈敏、快速、無損檢驗(yàn)。本標(biāo)準(zhǔn)是光電子技術(shù)與徽電子技術(shù)相結(jié)合應(yīng)用于表面質(zhì)最檢驗(yàn)的研究所取得的重要成果本標(biāo)準(zhǔn)于1998年8月1日起實(shí)施。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)總公司提出。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量研究所歸口本標(biāo)準(zhǔn)由南開大學(xué)、天津市半導(dǎo)體材料廠負(fù)資起草。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：李增發(fā)、王宏杰、張福禎、顏彩繁、張光寅、鄧江東本標(biāo)準(zhǔn)于1997年12月22日首次發(fā)布。

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)硅拋光片和外延片cB/T17169-1997表面質(zhì)量光反射測試方法Testmethodforthesurfacegualityofpolishedsiliconwafersandepitaxialwafcrsbyoptical-reflection1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體硅拋光片和外延片表面常見缺陷的光反射無損檢驗(yàn)方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體硅拋光片和外延片表面質(zhì)最的無損檢驗(yàn)。本標(biāo)準(zhǔn)的檢驗(yàn)結(jié)果與GB/T6624、GB/T14142的檢驗(yàn)結(jié)果一致。2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。在標(biāo)準(zhǔn)出版時，所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性GB/T6624—1995硅地光片表面質(zhì)量目測檢驗(yàn)方法GB/T14142—93硅外延層品體完整性檢驗(yàn)方法腐蝕法GB/T14262—93半導(dǎo)體材料術(shù)語3方法原理用澈光作光源，利用激光的相干性和空間濾波的方法，形成波面高度均勻的發(fā)散光束，照射試樣表面。由于試樣表面存在各種不均勾性，反射光束的波面將發(fā)生畸變，畸變波面空間折疊，相干成像，形成與各種缺陷對應(yīng)的圖像。用一定的接收裝置(CCD或攝像機(jī))接收、記錄反射圖像，經(jīng)過計(jì)算機(jī)信息處理系統(tǒng)，可完成試樣表面的狀態(tài)分析、儲存。圖像通過監(jiān)視器，可直觀地在屏幕上顯示出來。由此可對試樣