ICS.29.045H24中華人民共和國國家標準CB/T17169－1997硅拋光片和外延片表面質(zhì)量光反射測試方法Testmethodforthesurfacequalityofpolishedsiliconwafersandepitaxiallwafersbyyoptical-reflection1997-12-22發(fā)布1998-08-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T17169-1997前目前尚無檢索到鏡面狀半導(dǎo)體品片表面缺陷光反射無報檢驗的國際標準或國外先進標準本標準利用近代激光技術(shù)、先進的光學(xué)接收裝置，經(jīng)過信息處理系統(tǒng)，可快速、無損完成對鏡面狀試樣表面狀態(tài)分析，試樣表面缺陷的圖像可直觀地在屏幕上顯示出來。本標準檢驗顯示出的缺陷圖像已編成圖譜本標準可實現(xiàn)對半導(dǎo)體硅拋光片、外延片表面直觀、靈敏、快速、無損檢驗。本標準是光電子技術(shù)與徽電子技術(shù)相結(jié)合應(yīng)用于表面質(zhì)最檢驗的研究所取得的重要成果本標準于1998年8月1日起實施。本標準由中國有色金屬工業(yè)總公司提出。本標準由中國有色金屬工業(yè)總公司標準計量研究所歸口本標準由南開大學(xué)、天津市半導(dǎo)體材料廠負資起草。本標準主要起草人：李增發(fā)、王宏杰、張福禎、顏彩繁、張光寅、鄧江東本標準于1997年12月22日首次發(fā)布。

中華人民共和國國家標準硅拋光片和外延片cB/T17169-1997表面質(zhì)量光反射測試方法Testmethodforthesurfacegualityofpolishedsiliconwafersandepitaxialwafcrsbyoptical-reflection1范圍本標準規(guī)定了半導(dǎo)體硅拋光片和外延片表面常見缺陷的光反射無損檢驗方法。本標準適用于半導(dǎo)體硅拋光片和外延片表面質(zhì)最的無損檢驗。本標準的檢驗結(jié)果與GB/T6624、GB/T14142的檢驗結(jié)果一致。2引用標準下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構(gòu)成為本標準的條文。在標準出版時，所示版本均為有效。所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應(yīng)探討使用下列標準最新版本的可能性GB/T6624—1995硅地光片表面質(zhì)量目測檢驗方法GB/T14142—93硅外延層品體完整性檢驗方法腐蝕法GB/T14262—93半導(dǎo)體材料術(shù)語3方法原理用澈光作光源，利用激光的相干性和空間濾波的方法，形成波面高度均勻的發(fā)散光束，照射試樣表面。由于試樣表面存在各種不均勾性，反射光束的波面將發(fā)生畸變，畸變波面空間折疊，相干成像，形成與各種缺陷對應(yīng)的圖像。用一定的接收裝置(CCD或攝像機)接收、記錄反射圖像，經(jīng)過計算機信息處理系統(tǒng)，可完成試樣表面的狀態(tài)分析、儲存。圖像通過監(jiān)視器，可直觀地在屏幕上顯示出來。由此可對試樣