ICS29.045H80/84 T/CASA013—KOHCombinedKOHetchingandimagerecognitionmethods 第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián) 發(fā)布T/CASAT/CASA013— 前 引 范 T/CASAT/CASA013— 本文件按照GB/T1.1—20201部分：標準化文件的結構和起草規(guī)則》的規(guī)定CASAS所有，未經CASAS許可不得隨意復制；其他機構采用本文件的技術內容制定標準需經CASAST/CASAT/CASA013— 碳化硅（4H-SiC）材料作為重要的第三代寬禁帶半導體材料，具有高臨界擊穿場強、高的中高密度位錯缺陷的存在（103-104個/cm2），限制了其進一步的發(fā)展。SiC晶體中位錯主要有三種類型：螺位錯（TSD）、刃位錯（TED）和基平面位錯（BPD）。在襯克型層錯（FrankSFs），襯底中的基平面位錯大部分轉化為刃位錯、部分螺旋特征的BPD直接延伸到SiCSiC高功KOH腐蝕結合圖像識別法檢測和統(tǒng)計位錯密度的標準屬于空白領域，T/CASAT/CASA013—碳化硅晶片位錯密度檢測方法KOH4H6H-SiCSi面位錯檢測及其密度統(tǒng)計，材料表面為化學機械拋光狀SC（000）SSCSi000和C000?OCS4Si面，C面采用KOH化學腐蝕技術從Si面顯示SiC襯底或外延材料中的位錯缺陷，用光學顯微鏡觀察樣尺寸最大的六角形腐蝕坑對應TSD，尺寸較小近似圓形的腐蝕坑對應TED，貝殼形、腐蝕坑底部不在中心的腐坑對應BPD。利用圖像識別將腐蝕坑歸類并計算每個視野內的位錯密度，再結合自動運動平T/CASAT/CASA013—圖1腐蝕后的碳化硅硅面位錯形貌（a）、碳面位錯形貌±1700Φ（50~210）mm一段時間，通過調整腐蝕溫度（470℃~490℃）和腐蝕時間（10min~30min），使TSD腐蝕坑的尺環(huán)境溫度：23±575T/CASAT/CASA013—將腐蝕完畢的SiC樣品置于光學顯微鏡載物臺上，Si面朝上如圖2所示，將晶片邊緣去除2mmD按間隔5mm的距離分成若干份，然后在若干份注：上圖以4寸SiC片為例，圖中○表示測試點，最長直徑上的測試點個數n=??1圖2掃描過程中，按照圖1不同位錯腐蝕坑的特征，讀取并分別記錄各測試點TSD、TED、BPDT/CASAT/CASA013—34T/CASA013—T/CASA013—碳化硅單晶片TSD????????按式（1） =1∑????······································································ nS??=1 ——????——第i個測試點TSD ——視場面積，單位為平方厘米（cm2）。碳化硅單晶片TED????????按式（2） =1∑????······································································ nS??=1 ——????——i個測試點TED ——視場面積，單位為平方厘米（cm2）。碳化硅單晶片BPD????????按式（3） =1∑????····································································· nS??=1 ——????——第i個測試點BPD ——視場面積，單位為平方厘米（cm2）%T/CASA013—T/CASA013—T/CASAT/CASA013—參