1微機電系統(tǒng)（MEMS）技術MEMS硅壓阻溫壓復合壓力傳感器芯片本文件適用于MEMS硅壓阻溫壓復合壓力傳感器芯片，其他材料基片的壓阻式芯片可參考使GB/T2828.1—2012計算抽樣檢驗程序第1部分:按接受質量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣GB/T2829—2002周期檢驗計數(shù)抽樣程序及表（適用于對過程穩(wěn)定性的檢GB/T7665—2005傳感器通用GB/T18459—2001傳感器主要靜態(tài)性能指標計GB/T26111—2023微機電系統(tǒng)（MEMS）技術術語GB/T35010.3-2018半導體芯片產品第3部分:操作、包裝和貯存GB/T7665—2005和GB/T26111—2023界利用半導體平面工藝及MEMS加工技術，將測溫元件及壓敏電阻制備到硅基結構上能夠同時實現(xiàn)溫24結構與分類連接。按MEMS硅壓阻溫壓復合壓力傳感器芯片（以下簡稱傳感器芯片）電隔離類型分為P-N結隔離和絕34.2參考感壓腔類型44.3測溫原理類型5.1測量范圍2.0×10n、±2.5×10n、±3.0×10n、±4.0×10n、±5.0×10n、±6.0×105b.除另有規(guī)定外，電阻測溫型傳感器芯片溫度測量范圍下限宜從下列數(shù)系中選?。?55℃、-70℃、85℃、100℃、125℃、150℃、175℃5.2工作溫度范圍5.3補償溫度范圍5.4激勵電源傳感器芯片測壓采用恒流激勵時，直流激勵電流的數(shù)值不宜大于8傳感器芯片測溫采用恒流激勵時，直流激勵電流的數(shù)值不宜大于26VDC、9VDC、10VDC、12VDC、15VDC、18VDC、24VD傳感器芯片測溫采用恒壓激勵時，工作電流不宜大于2m件（詳細規(guī)范）的要求不一致時，應以產品技術條件（詳細規(guī)范）為傳感器芯片測壓的電氣連接方式宜從下列中選?。洪]環(huán)、半開環(huán)、開環(huán)。6（a）閉環(huán)（b）半開環(huán)b）缺損、裂紋或劃傷裂紋不應延伸到傳感器芯片金屬化e）在傳感器芯片表面上附著的多余物的尺寸在任何一個方向上均應不大于25μm。且在芯片表面流應不大于15μΑ。偏置電壓宜從下列數(shù)值中選?。?0VDC、15VDC、20VDC、25VDC、30VDC、35VDC、對于P-N結隔離型傳感器芯片，傳感器芯片的敏感元件（包括測溫元件和壓敏電阻）與硅基底間在允許通過的最大測試電流下，其擊穿電壓應不小于7宜從下列數(shù)值中選?。骸?mV、±5mV、±10mV、±15mV、±20mV、±3080mV、100mV、120mV、150mV、200mV、300mV、400m≤0.05%FS、≤0.15%FS、≤0.30%FS、≤0.05%FS、≤0.10%FS、≤0.20%FS、≤0.05%FS、≤0.10%FS、≤0.20%FS、傳感器芯片測壓的過載應符合產品技術條件（詳細8規(guī)定時間宜從下列數(shù)值中選?。?h、8h、12h、24h、48h、72h、96h、1傳感器芯片測溫滿量程輸出應符合產品技術條件（詳細規(guī)范）的規(guī)傳感器芯片測溫符合度應符合產品技術條件（詳細規(guī)范）的規(guī)傳感器芯片測溫重復性應符合產品技術條件（詳細規(guī)范）的規(guī)在規(guī)定的最大電流下，自熱應不大于申明允差等級允差值的9流經測溫元件的測量電流值應當限定在一個確定值之內。該電流值引起測溫元件的自熱應不大于傳感器芯片測溫元件壓力漂移誤差應不大于申明允差等級對應允差值的25%。傳感器芯片應在不低于10萬級的凈化間內檢——相對濕度：3060%;當傳感器芯片不可能或無必要在參比大氣條件下進——溫度：15℃~30℃;——相對濕度：≤65%;a）壓力控制系統(tǒng)基本誤差的絕對值應小于傳感器芯片測壓基本誤差限的1/3。b）電源的穩(wěn)定度應小于傳感器芯片基本誤差限的1/5。c）數(shù)據采集設備基本誤差的絕對值應小于傳感器芯片基本誤差限d）溫場誤差應小于被測傳感器芯片測溫最大允許誤差的1傳感器芯片工作介質應為非導電性、無腐蝕性氣體或液體。按圖6所示的電氣連接方式連接，在6.2.3規(guī)定的偏置電壓U下，測量傳感器芯片在無光準電阻R標兩端的電壓V，按公式(1)計算出傳感器芯片I漏........................................(1)I漏——漏電流，單位為納安（nAR標——標準電阻的阻值，單位為兆歐（MΩ)。式(1)計算出傳感器芯片的漏電流，結果應在6.2.4規(guī)定的允許通過的最大測試電流下，測量各敏感元件（包括測溫元件和壓敏電阻）引出焊盤與硅基底的引出焊盤之間的反向電壓，傳感器芯片在無光照條件下，結果應大于6.2.4的規(guī)定最小擊在6.2.5規(guī)定的允許通過的最大測試電流下，測量各敏感元件（包括測溫元件和壓敏電阻）引出焊盤與硅基底的引出焊盤之間的電壓，結果應大于6.2.5的規(guī)定最小隔離測量各壓敏電阻引出焊盤之間的電阻阻值，結果應符合6.3.在參比大氣條件下，施加5.4規(guī)定的激勵供電，在被測壓力載荷為零時，測試輸出電壓，結果應符在參比大氣條件下，施加5.4規(guī)定的激勵供電，測試將傳感器芯片固定在可加載荷測試的基座上，進行引線鍵合將信號引出。給傳感器芯片從零負荷加載到額定負荷。待負荷穩(wěn)定時，再退至零負荷，如此施加3次預負荷后，在傳感器芯片的全量程范圍內選擇均勻分布的5個～11個試驗點進行測試，包括測量范圍下限和上限。正、反行程為一個循環(huán)，連續(xù)進行3個或3個以上標定循按附錄A.1和A.2的規(guī)定進行計算并確定傳感器芯片的參比工按附錄A.3的規(guī)定計算傳感器芯片測壓的滿量程輸出，結果應符合6.按附錄A.4的規(guī)定計算傳感器芯片測壓的非線性，結果應符合6.3.按附錄A.5的規(guī)定計算傳感器芯片測壓的遲滯，結果應符合6.3按附錄A.6的規(guī)定計算傳感器芯片測壓的重復性，結果應符合6.3.對裝配后的傳感器芯片施加6.3.4.5規(guī)定的過載負荷，保持時間不少于1min，然后卸載至零負荷，重復3次。恢復3min后測試，然后按產品技術條件（詳細規(guī)范）規(guī)定的檢驗項目進行檢測，結果應符合對裝配后的傳感器芯片在參比大氣條件下，不加載荷，在規(guī)定的時間內選擇均勻分布的不少于9個時間試驗點記錄傳感器芯片測壓的零點輸出，零點輸出漂移按附錄A.7的規(guī)定進行計算，結果應符合零點漂移按附錄A.8的規(guī)定進行計算,結果應符合6.31h[或按產品技術條件（詳細規(guī)范）規(guī)定的時間]，記錄上述各溫度點傳感器芯片測壓的滿量程輸出值。熱滿量程輸出漂移按附錄A.9規(guī)定進行計算,結果應符在傳感器芯片的工作溫度全量程范圍內選擇大致均勻分布的5個～9個試驗點進行測試，包括0℃、將7.6.2測得的傳感器測溫輸出值，帶入測溫參比曲線，計算出各測試點各次循環(huán)的傳感器測溫的溫度示值，并與試驗時的標準溫度比較計算各測試點各次循環(huán)的傳感器測溫誤差，結果應符合6.4.1的按GB/T18459—2001中3.9規(guī)定計算傳感器芯片測溫符合度，結果應符合6.4按附錄A.6的規(guī)定計算傳感器芯片測溫重復性，結果應符合6.在0℃溫度條件下測量電阻引出焊盤之間的電阻阻值，結果應符合6.4.將裝配后的傳感器芯片放入溫場中，以小于1℃/min的速率升溫或降溫，調節(jié)溫度至25±1℃,恒所引起的傳感器芯片測溫元件的溫度示值的增加值。結果應符合6.4.在25±1℃下對傳感器芯片測溫元件施加規(guī)定的偏置電壓，利用電流表測量偏置電壓工作電流。結1√√C2√√B3√√B4√√B5√√C6√√B7√√B8-√C9-√B-√B-√B-√B-√B-√B-√B-√B-√B-√B-√B-√B-√B-√B-√B結構一樣的生產批組成。若干個生產批組成的檢驗出廠檢驗按表1逐項進行,傳感器芯片均應經質量序號1和2的檢驗，AQL值為1.5，其余檢驗的A進行100%的篩選，然后按規(guī)定再次驗收。再次驗收仍型式檢驗項目及檢驗順序按表1的規(guī)定進行，根據傳感器芯片的不同用途型式檢驗的抽樣按GB/T2829—2002相應條款執(zhí)行，以不合判定數(shù)組樣本共10只，由質量管理部門按隨機的方式抽取，生產部門提供的樣品基數(shù)應大于2倍抽檢驗結果被判定為型式檢驗不合格時，按GB/T2829—2002中的規(guī)定進行9標志、包裝、運輸及貯存?zhèn)鞲衅餍酒瑓⒄誈B/T35010.3-2018半導體運輸及貯存，包裝圖示標志應符合GB/T191—2008的9.2標志9.2.1傳感器芯片包裝盒在傳感器芯片的外包裝箱（盒）外表上應有運輸標志，并標9.3包裝9.3.1傳感器圓片包裝傳感器圓片的包裝圖示標志應符合GB/T191—2008的規(guī)定。9.3.2隨箱文件包裝成箱的傳感器芯片運輸應嚴格遵照包裝箱上注明的條件。運輸方式按訂貨合同上說明的要求9.5貯存?zhèn)鞲衅鲌A片使用前宜去除外包裝箱，帶著防靜電袋密封袋存放在氮氣柜中（氮氣流量1-3L/min溫度10℃~35℃、濕度≤65％。A.1實際校準特性傳感器芯片的實際校準特性通過傳感器芯片裝配成敏感器件的靜態(tài)校準獲得。校準點上正行程試驗數(shù)據的平均值，按公式（A.2）計算每個校準點上反行程試驗數(shù)據的平均值，按公m——校準點個數(shù)；Yuij——正行程第i個校準點第j次的示值（i=1，2，3，…m，j=1，2，3，…nYDij——反行程第i個校準點第j次的示值（i=1，2，3，…m，j=1，2，3，…nDi——反行程第i個校準點的平均值；i——第i個校準點正反行程總平均值；A.2參比工作直線A.2.1端基直線平移法XH——表示測量上限壓力值；XL——表示測量下限壓力值；i?YEPi................................YEPi——端基直線平移法計算出的第i個理論值；YLH——在上、下限壓力值范圍內所計算的正反行程算術平(ΔYLH)ui——正行程第i個檢定點的算術平均值與端點方程的差值；(ΔYLH)Di——反行程第i個檢定點的算術平均值與端點方程的差值。...............................A.2.2最小二乘法Xi——第i個校準點的壓力值（i=1，2，3，……mA.3滿量程輸出（YFS）YFS=b.(XH?XL).................................(A.13)A.3.2非線性傳感器芯片滿量程輸出Yi——直線方程所計算的理論值，對于帶刻度方程的傳感器芯片為ξH——傳感器芯片的遲滯。A.6重復性(ξR）按公式（A.17）計算正行程子樣標準偏差SUi：Sui——正行程子樣標準偏差。按公式（A.18）計算反行程子樣標準偏差SDi：SDi——反行程子樣標準偏差。按公式（A.19）計算傳感器芯片在整個測量范圍內的子樣標準偏差S：S——傳感器在整個測量范圍內的子樣標ξR——傳感器芯片的重復性；λ——包含因子，傳感器芯片的校準試驗，一般只作n=3～5個循環(huán)，其測量值屬于小樣本。對于tn23456789A.7零點輸出漂移（dz）按公式（A.21）計算傳感器芯片的零點輸出漂移dz：Ymax——零點漂移考核