結(jié)晶學(xué)導(dǎo)論試題及答案

一、單項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.晶體的基本性質(zhì)不包括（）A.均一性B.異向性C.無固定熔點(diǎn)D.對(duì)稱性2.空間格子中的最小重復(fù)單位是（）A.結(jié)點(diǎn)B.行列C.面網(wǎng)D.平行六面體3.晶體中對(duì)稱軸的軸次最高為（）A.3次B.4次C.5次D.6次4.面角守恒定律中的“面角”是指（）A.晶面夾角B.晶棱夾角C.晶面法線夾角D.上述都不對(duì)5.等軸晶系的晶體中，晶軸關(guān)系為（）A.a≠b≠c，α=β=γ=90°B.a=b≠c，α=β=γ=90°C.a=b=c，α=β=γ=90°D.a=b=c，α≠β≠γ6.下列不屬于晶體生長理論的是（）A.層生長理論B.螺旋生長理論C.擴(kuò)散理論D.強(qiáng)調(diào)生長理論7.晶體定向就是在晶體中確定（）A.晶軸B.晶面C.晶棱D.對(duì)稱要素8.晶面hkl與晶軸X、Y、Z相交截的截距系數(shù)之比為（）A.h:k:lB.1/h:1/k:1/lC.l:k:hD.hk:kl:hl9.32種對(duì)稱型對(duì)應(yīng)（）個(gè)晶族A.2個(gè)B.3個(gè)C.4個(gè)D.5個(gè)10.下列屬于單形的是（）A.立方體B.聚形C.四方柱與四方雙錐的組合D.上述都不是答案：1.C2.D3.D4.C5.C6.D7.A8.B9.B10.A二、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.晶體的對(duì)稱操作包括（）A.旋轉(zhuǎn)B.反映C.倒反D.旋轉(zhuǎn)倒反2.屬于低級(jí)晶族的晶系有（）A.三斜晶系B.單斜晶系C.斜方晶系D.四方晶系3.晶體生長的基本條件有（）A.溫度B.壓力C.溶液濃度D.酸堿度4.以下屬于面網(wǎng)的特性的有（）A.面網(wǎng)密度與面網(wǎng)間距成正比B.相互平行的面網(wǎng)，面網(wǎng)密度和面網(wǎng)間距都相等C.面網(wǎng)密度大的面網(wǎng)容易解理D.晶面常平行于面網(wǎng)密度大的面網(wǎng)5.決定晶體習(xí)性的內(nèi)部因素有（）A.化學(xué)鍵類型B.晶格類型C.離子半徑比D.微量雜質(zhì)6.常見的晶體生長形態(tài)有（）A.柱狀B.板狀C.粒狀D.樹枝狀7.對(duì)稱型中包含的對(duì)稱要素可以有（）A.對(duì)稱軸B.對(duì)稱面C.對(duì)稱中心D.旋轉(zhuǎn)反伸軸8.以下屬于結(jié)晶學(xué)研究范疇的有（）A.晶體的結(jié)構(gòu)B.晶體的形態(tài)C.晶體的性質(zhì)D.晶體的形成9.單形的命名原則包括（）A.根據(jù)形態(tài)B.根據(jù)晶面數(shù)目C.根據(jù)對(duì)稱性D.根據(jù)晶面與晶軸的關(guān)系10.晶體的分布十分廣泛，以下存在晶體的有（）A.礦物B.巖石C.生物體內(nèi)D.人造材料答案：1.ABCD2.ABC3.ABCD4.ABCD5.ABC6.ABCD7.ABCD8.ABCD9.ABCD10.ABCD三、判斷題（每題2分，共10題）1.所有的固體都是晶體。（）2.晶體的對(duì)稱軸可以出現(xiàn)在任意方向。（）3.晶面與晶軸截距越小，晶面符號(hào)中相應(yīng)指數(shù)越大。（）4.晶體生長過程中，晶面的生長速度與其面網(wǎng)密度成正比。（）5.晶體的對(duì)稱不僅體現(xiàn)在外形上，也體現(xiàn)在內(nèi)部結(jié)構(gòu)上。（）6.等大球最緊密堆積只有一種方式。（）7.聚形是由若干個(gè)單形聚合而成的。（）8.一個(gè)晶體只能有一種單形。（）9.低級(jí)晶族的晶體對(duì)稱性最高。（）10.晶體的形態(tài)只受到內(nèi)部結(jié)構(gòu)影響。（）答案：1.×2.×3.√4.×5.√6.×7.√8.×9.×10.×四、簡答題（每題5分，共4題）1.簡述晶體的基本性質(zhì)。答案：晶體有自限性，能自發(fā)形成規(guī)則幾何多面體外形；均一性，內(nèi)部各部分性質(zhì)相同；異向性，不同方向性質(zhì)有差異；對(duì)稱性，具有特定對(duì)稱規(guī)律；最小內(nèi)能性和穩(wěn)定性。2.說明晶體生長的層生長理論要點(diǎn)。答案：層生長理論認(rèn)為晶體生長是晶面層層平行向外推移，每層從晶核開始生長，先生長一條行列，再生長相鄰行列成一層面網(wǎng)，層層堆積使晶體長大。3.簡述晶面符號(hào)的確定方法。答案：先建立晶體坐標(biāo)系及晶軸，測量晶面在晶軸上截距，取截距系數(shù)倒數(shù)化成最簡單整數(shù)比，按X、Y、Z順序用小括號(hào)括起，即為晶面符號(hào)。4.簡述對(duì)稱型的概念。答案：對(duì)稱型是指在晶體中，全部對(duì)稱要素的組合。不同晶體有不同對(duì)稱要素組合，根據(jù)對(duì)稱型可對(duì)晶體進(jìn)行分類和研究其特性。五、討論題（每題5分，共4題）1.討論晶體形態(tài)與內(nèi)部結(jié)構(gòu)及外部生長環(huán)境的關(guān)系。答案：內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定晶體基本形態(tài)，如晶格類型影響習(xí)性；化學(xué)鍵特點(diǎn)決定晶面生長。外部環(huán)境，像溫度、壓力、溶液濃度等，可改變晶體生長速度和方向。如低溫促進(jìn)柱狀生長，高溫易成板狀。2.談?wù)勀銓?duì)晶體對(duì)稱性在結(jié)晶學(xué)中重要性的理解。答案：晶體對(duì)稱性是結(jié)晶學(xué)核心內(nèi)容。它可用于晶體分類，劃分晶族、晶系等；幫助理解晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)，揭示原子排列規(guī)律；還與晶體物理性質(zhì)相關(guān)，不同對(duì)稱型晶體性質(zhì)有差異。3.討論不同晶體生長理論的適用范圍和局限性。答案：層生長理論適用于理想光滑晶面生長，局限性在于對(duì)實(shí)際復(fù)雜晶面生長解釋有限。螺旋生長理論能解釋一些缺陷存在下的生長，不