課程名稱：芯片解剖實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)一去塑膠芯片的封裝實(shí)驗(yàn)時(shí)間：同組人員：1.了解集成電路封裝知識(shí)，集成電路封裝類型。二、實(shí)驗(yàn)儀器設(shè)備三、實(shí)驗(yàn)原理和內(nèi)容實(shí)驗(yàn)原理：1..傳統(tǒng)封裝：塑料封裝、陶瓷封裝具有氣密性好，高可靠性或者大功率A.耐熔陶瓷（三氧化二鋁和適當(dāng)玻璃漿料針柵陣列PGA、化學(xué)方法腐蝕，沸煮。實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：去塑膠芯片的封裝2.將要去封裝的芯片（去掉引腳）放入有柄石英燒杯中。3.帶上塑膠手套，在藥品臺(tái)上去濃硝酸。向石英燒杯中注入5.觀察燒杯中的變化，并做好記錄。7.等完成腐蝕后，對(duì)廢液進(jìn)行處理。五、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)此時(shí)溶液顏色開(kāi)始變黑。六、結(jié)果及分析此時(shí)如果不去除，它會(huì)與酸反應(yīng)，消耗酸液。2：在芯片去塑膠封裝的時(shí)候，加熱一定要小火加熱，因?yàn)榘l(fā)煙鹽酸是易揮發(fā)物質(zhì)，如果采用大火加熱，其中的酸累物質(zhì)變會(huì)分解揮發(fā)，引起容易濃度變低，進(jìn)而可能照成芯片去封裝不完全，或者去封裝速度較慢的情況。實(shí)驗(yàn)二金屬層芯片拍照實(shí)驗(yàn)時(shí)間：同組人員：3.能夠正確使用顯微鏡和電動(dòng)平臺(tái)二、實(shí)驗(yàn)儀器設(shè)備三、實(shí)驗(yàn)原理和內(nèi)容的顯微鏡對(duì)芯片進(jìn)行拍照。以行列式對(duì)芯片進(jìn)行圖像采集。采集去封裝后金屬層照片。1.打開(kāi)拍照電腦、顯微鏡、電動(dòng)平臺(tái)。心取下載物臺(tái)四英寸硅片平方在桌上，用塑料鑷子小心翼翼的將裸片放到硅片靠中心的位置上，將硅片放到載物臺(tái)。3.小心移動(dòng)硅片盡量將芯片平整。4.打開(kāi)拍照軟件，建立新拍照任務(wù)，選擇適當(dāng)倍數(shù)，并調(diào)整5.將顯微鏡物鏡旋轉(zhuǎn)到最低倍5X，慢慢載物臺(tái)粗調(diào)整旋鈕使載物臺(tái)慢慢上升，直到有模糊圖像，這時(shí)需要小心調(diào)整載物.臺(tái)位置，直至看到圖像最清晰。10.觀測(cè)整體效果，觀察是否有嚴(yán)重錯(cuò)位現(xiàn)象。如13.逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)粗調(diào)焦旋鈕，使載物臺(tái)下降到最低。五、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)采集后的芯片金屬層圖片如下：六、結(jié)果及分析微鏡的使用，熟悉了圖像采集軟件的使用方法。2：在拍攝金屬層圖像時(shí)，每拍完一行照片要進(jìn)行檢查，因?yàn)樾酒杏嗥毓夂途劢沟牟町?，可能?huì)使某些照片不清晰，對(duì)后面的金屬層拼接照成困難。所以拍完一行后要對(duì)其進(jìn)行檢查，對(duì)不符合標(biāo)準(zhǔn)的照片進(jìn)行重新拍照。個(gè)四邊形平面，要確定芯片的四個(gè)角在采集視野里，就可以保證整個(gè)芯片都在采集視野里。4：拍照時(shí)的倍數(shù)選擇要與工程分辨率保持一致，過(guò)大或過(guò)小會(huì)引起芯片在整個(gè)視野里的分辨率，不能達(dá)到合適的效實(shí)驗(yàn)三金屬層圖像拼接實(shí)驗(yàn)時(shí)間：同組人員：2.理解手工拼接與自動(dòng)拼接的關(guān)系二、實(shí)驗(yàn)儀器設(shè)備三、實(shí)驗(yàn)原理和內(nèi)容根據(jù)采集芯片的圖像相同位置對(duì)圖像進(jìn)行拼接，人工打定位釘子，至少要打一行一列。對(duì)于比較小的工程，可以完全人工拼接，這樣會(huì)減少錯(cuò)位。對(duì)于大的工程，首先是人工打足夠多的定位點(diǎn)，然后使用自動(dòng)拼接，之后進(jìn)行人工修改。拼接時(shí)X-Y偏差均要≦∣4∣才不會(huì)影響工程質(zhì)量。因?yàn)榕恼諘r(shí)芯片未必放平，當(dāng)拼接完成后進(jìn)行旋平操作。件夾復(fù)制到自己學(xué)號(hào)文件夾。6.先打能確定的釘子，打完后，按E打無(wú)法確定五、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)..六、結(jié)果及分析范圍在（+3--3）之間，以保證較好的拼接效果。但是并不是誤差為0時(shí)就表示絕對(duì)沒(méi)有誤差，因?yàn)檎`差的計(jì)算是軟件根據(jù)記憶功能計(jì)算出來(lái)的，并不是圖像的真實(shí)誤差。對(duì)芯片極性旋平，為后面的不同圖像層之間進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)打基實(shí)驗(yàn)四去氮化硅保護(hù)層實(shí)驗(yàn)時(shí)間：同組人員：二、實(shí)驗(yàn)儀器設(shè)備三、實(shí)驗(yàn)原理和內(nèi)容去氮化硅一般有兩種方法。2.用等離子刻蝕機(jī)進(jìn)行干法刻蝕2.將要去掉封裝的裸片放入有柄石英燒杯中。5.觀察燒杯中的變化，定時(shí)取出再顯微鏡下觀察，看腐蝕效果，并做好記錄。注意時(shí)間不易過(guò)長(zhǎng)。間開(kāi)始加熱（2:14）→搖晃燒杯，見(jiàn)有氣泡冒出，將火調(diào)小并用玻璃棒攪拌芯片（2:24）→停止加熱（2:33）取出芯片7.等完成腐蝕后，對(duì)廢液進(jìn)行處理。五、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)2.將要去掉封裝的裸片放入有柄石英燒杯中。5.觀察燒杯中的變化，定時(shí)取出再顯微鏡下觀察，看腐蝕效果，并做好記錄。注意時(shí)間不易過(guò)長(zhǎng)。7.等完成腐蝕后，對(duì)廢液進(jìn)行處理。六、結(jié)果及分析對(duì)接下來(lái)的時(shí)間照成影響！實(shí)驗(yàn)時(shí)間：同組人員：二、實(shí)驗(yàn)儀器設(shè)備三、實(shí)驗(yàn)原理和內(nèi)容試驗(yàn)內(nèi)容：2.將要去掉保護(hù)層的裸片放入有柄石英燒杯中。5.觀察燒杯中的變化，定時(shí)取出再顯微鏡下觀察，看腐蝕效果，并做好記錄。注意時(shí)間不易過(guò)長(zhǎng)。7.等完成腐蝕后，對(duì)廢液進(jìn)行處理五、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)六、結(jié)果及分析通過(guò)實(shí)驗(yàn)掌握了芯片去除AL層的步驟和方法.實(shí)驗(yàn)六去二氧化硅實(shí)驗(yàn)時(shí)間：同組人員：一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康亩?、?shí)驗(yàn)儀器設(shè)備三、實(shí)驗(yàn)原理和內(nèi)容去二氧化硅一般有兩種方法。實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：去除芯片的二氧化硅層。2.將要去掉AL的裸片放入塑料燒杯中。4.觀察燒杯中的變化，看腐蝕效果，并做好記錄。7.等完成腐蝕后，對(duì)廢液進(jìn)行處理五、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)六、結(jié)果及分析通過(guò)實(shí)驗(yàn)掌握了用HF酸去除二氧化硅的過(guò)程和方法。但是HF不容易控制反應(yīng)速率，所以可以換用等離子刻蝕。實(shí)驗(yàn)七對(duì)多晶硅層拍照和圖像拼接實(shí)驗(yàn)時(shí)間：同組人員：二、實(shí)驗(yàn)儀器設(shè)備三、實(shí)驗(yàn)原理和內(nèi)容的顯微鏡對(duì)芯片進(jìn)行拍照。以行列式對(duì)芯片進(jìn)行圖像采集。注意調(diào)平芯片，注意拍照時(shí)的清晰度。根據(jù)采集芯片的圖像相同位置對(duì)圖像進(jìn)行拼接，人工打定位釘子，至少要打一行一列。對(duì)于比較小的工程，可以完全人工拼接，這樣會(huì)減少錯(cuò)位。對(duì)于大的工程，首先是人工打足夠多的定位點(diǎn)，然后使用自動(dòng)拼接，之后進(jìn)行人工修改。拼接時(shí)X-Y偏差均要≦∣4∣才不會(huì)影響工程質(zhì)量。因?yàn)榕恼諘r(shí)芯片未必放平，當(dāng)拼接完成后進(jìn)行旋平操作。實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：對(duì)多晶硅層進(jìn)行拍照，并進(jìn)行圖像拼接2.對(duì)拍照后的多晶硅層圖像進(jìn)行拼接。五、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)..六、結(jié)果及分析實(shí)驗(yàn)八相鄰圖像層對(duì)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)時(shí)間：同組人員：二、實(shí)驗(yàn)儀器設(shè)備三