ICS31.080.10L43中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T6351—1998idtIEC747-2-1:1989QC750108半導(dǎo)體器件分立器件第2部分:整流二極管第一篇100A以下環(huán)境或管殼額定整流二極管(包括雪崩整流二極管)空白詳細(xì)規(guī)范Semiconductordevices--DiscretedevicesPart2:RectifierdiodesSectionne--Blankdetailspecificationforrectifierdiodes（includingavalancherecti-fierdiodes）.ambientandcase-rated,upto100A1998-11-17發(fā)布1999-06-01實(shí)施國(guó)家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T6351-1998前本規(guī)范等同采用IEC747-2-1:1989《半導(dǎo)體器件、分立器件100A以下環(huán)境或管殼額定整流二極管(包括雪崩整流二極管)空白詳細(xì)規(guī)范》。本規(guī)范是GB/T6351一1987的修訂版。本規(guī)范與GB/T6351一1986的主要差別是：在第5章中增加了5.5總耗散功率。原來(lái)的5.5熱阻改為5.6,刪去了C2d分組熱阻。除非另有規(guī)定，在本規(guī)范第8章中引用的條號(hào)對(duì)應(yīng)于GB/T4589.1一1989《半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》IEC747-10:1984)的條號(hào)，測(cè)試方法引自GB/T4023一1997《半導(dǎo)體器件分立器件第2部分：整流二極管》IEC747-2:83);試驗(yàn)方法引自GB/T4937-1995《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法》IEC749:1984)。本規(guī)范由中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部提出。本規(guī)范由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口本規(guī)范由電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所負(fù)責(zé)起草。本規(guī)范主要起草人：于志賢、劉東才、王保禎。

GB/T6351—1998IEC前言1）IEC(國(guó)際電工委員會(huì))在技術(shù)問(wèn)題上的正式?jīng)Q議或協(xié)議，是由對(duì)這些問(wèn)題特別關(guān)切的國(guó)家委員會(huì)參加的技術(shù)委員會(huì)制定的,對(duì)所涉及的問(wèn)題盡可能地代表了國(guó)際上的一致意見(jiàn)。2）這些決議或協(xié)議，以推薦標(biāo)準(zhǔn)的形式供國(guó)際上使用，并在此意義上為各國(guó)家委員會(huì)所認(rèn)可，3）為了促進(jìn)國(guó)際間的統(tǒng)一,IEC希望各國(guó)家委員會(huì)在本國(guó)條件許可的情況下，采用IEC標(biāo)準(zhǔn)的文本作為其國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),IEC標(biāo)準(zhǔn)與相應(yīng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)之間的差異，應(yīng)盡可能在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中指明。本標(biāo)準(zhǔn)由IEC第47技術(shù)委員會(huì)(半導(dǎo)體器件)制定。本標(biāo)準(zhǔn)是100A以下環(huán)境或管殼額定整流二極管（包括雪崩整流二極管)空白詳細(xì)規(guī)范本標(biāo)準(zhǔn)文本以下列文件為依據(jù)：六個(gè)月法表決報(bào)告47（C095947（C01009表決批準(zhǔn)本標(biāo)準(zhǔn)的所有資料均可在上表所列的表決報(bào)告中查閱。本標(biāo)準(zhǔn)封面上出現(xiàn)的QC號(hào)是IEC電子元器件質(zhì)量評(píng)定體系(IECQ)的規(guī)范號(hào)本標(biāo)準(zhǔn)中引用的其他IEC標(biāo)準(zhǔn)：IEC68-2-17:1978基木環(huán)境試驗(yàn)程序第2部分：試驗(yàn)，試驗(yàn)Q:密封IEC191-2:1966半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第2部分：尺寸(在修訂中)IEC747-2：1983半導(dǎo)體器件分立器件第2部分：整流二極管IEC747-10:1984半導(dǎo)體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范IEC747-11:1985半導(dǎo)體器件第11部分：分立器件分規(guī)范IEC749：1984半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體器件分立器件第2部分：整流二極管第一篇高100A以下環(huán)境或管殼額定整流二極管(包括雪崩整流二極管)空白詳細(xì)規(guī)范.1998QC750108Semiconductordevices-Discretedevices代薦GB/T6351—1986Part2：RectifierdiodesSectionOne-Blankdetailspecificationforrectifierdiodes(includingavalancherecti-fierdiodes）.ambientandcase-rated.upto100A引本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定環(huán)境或管殼額定整流二極管（包括雪崩整流二極管)詳細(xì)規(guī)范的基本原則,制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)盡可能與本空白詳細(xì)規(guī)范相一致。本標(biāo)準(zhǔn)是與GB/T4589.1—1989《半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》IEC747-10：1984)和GB/T12560－1990《半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范》IEC747-11:1985)有關(guān)的一系列空白詳細(xì)規(guī)范中的·個(gè)要求資料下列所要求的各項(xiàng)內(nèi)容，應(yīng)列入規(guī)定的相應(yīng)空欄中詳細(xì)規(guī)范的識(shí)別：「11授權(quán)起草詳細(xì)規(guī)范的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的名稱[21IECQ詳細(xì)規(guī)范號(hào)?！?總規(guī)范號(hào)和分規(guī)范號(hào)以及年代號(hào)【4詳細(xì)規(guī)范號(hào)、發(fā)布日期和國(guó)家體系要求的更多的資料。器件的識(shí)別：L57器件型號(hào)，【6典型結(jié)構(gòu)和應(yīng)用資料。如果設(shè)計(jì)一種器件滿足若干應(yīng)用,則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中指出。這些應(yīng)用的特性、極限值和檢驗(yàn)要求均應(yīng)予以滿足。如果器件對(duì)靜電敏感或含有害物質(zhì),例如氧化皺·則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中附加注意事項(xiàng)?！?外形圖和(或)引用有關(guān)的外形標(biāo)準(zhǔn)。L81質(zhì)量評(píng)定類別?！?能在各器件型號(hào)之間比較的最重要