ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標準

GB/T33922—2017

MEMS壓阻式壓力敏感芯片性能的

圓片級試驗方法

WaferleveltestmethodsforMEMSpiezoresistivepressure-sensitive

dieperformances

2017-07-12發(fā)布2018-02-01實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T33922—2017

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

試驗條件

4…………………1

大氣條件

4.1……………1

電磁條件

4.2……………2

振動條件

4.3……………2

測試系統(tǒng)

4.4……………2

試驗的一般規(guī)定

5…………………………2

證書文件

5.1……………2

預熱時間

5.2……………2

連接方式

5.3……………2

試驗內(nèi)容和方法

6…………………………2

試驗準備

6.1……………2

電阻

6.2…………………2

常壓輸出

6.3……………3

靜態(tài)性能試驗

6.4………………………4

溫度性能試驗

6.5………………………7

Ⅰ

GB/T33922—2017

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國微機電技術標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標準主要起草單位北京大學中機生產(chǎn)力促進中心北京必創(chuàng)科技股份有限公司中國電子科

:、、、

技集團公司第十三研究所中北大學

、。

本標準主要起草人張威程紅兵陳得民李海斌崔波石云波朱悅

:、、、、、、。

Ⅲ

GB/T33922—2017

MEMS壓阻式壓力敏感芯片性能的

圓片級試驗方法

1范圍

本標準規(guī)定了壓阻式壓力敏感芯片簡稱壓力敏感芯片的術語和定義試驗條件試驗的

MEMS()、、

一般規(guī)定試驗內(nèi)容和方法

、。

本標準適用于閉環(huán)和開環(huán)壓阻式壓力敏感芯片性能的圓片級試驗

MEMS。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

半導體器件第部分半導體傳感器壓力傳感器

GB/T2052214-3:———

微機電系統(tǒng)技術術語

GB/T26111(MEMS)

3術語和定義

和界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T20522GB/T26111。

31

.

壓阻式壓力敏感芯片piezoresistivepressure-sensitivedie

采用技術在硅襯底上制造腔膜結構在膜上制作半導體電阻并組成惠斯通電橋利用半導

MEMS,,

體的壓阻效應實現(xiàn)將壓力信號轉化為電信號的芯片

。

32

.

閉環(huán)壓阻式壓力敏感芯片closedlooppiezoresistivepressure-sensitivedie

惠