UDC.621.3：620.193.4KO4中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T2423.17-93電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Ka：鹽霧試驗方法BasicenvironmentaltestingproceduresforelectricandelectronicproductsTestKa：Saltmist1993-11-19發(fā)布1994-07-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程GB/T2423.17-93試驗Ka：鹽霧試驗方法代替GB2423.17-81BasicenvironmentaltestingproceduresforelectricandelectronicproductsTestKa：Saltmist本標(biāo)準(zhǔn)等效采用IEC68-2-11《基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Ka:鹽霧試驗方法》1981年第三版）1主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗的鹽霧試驗方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于考核材料及其防護層的抗鹽霧腐蝕的能力，以及相似防護層的工藝質(zhì)量比較，也可以用來考核某些產(chǎn)品抗鹽霧腐蝕的能力、本標(biāo)準(zhǔn)不通用作為通用的腐蝕試驗方法。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB2421電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程總則GB2422電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程名詞術(shù)語GB2424.10電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程大氣腐蝕加速試驗的通用導(dǎo)則3對試驗設(shè)備的要求3.11用于制造試驗設(shè)備的材料必須耐鹽霧腐蝕和不影響試驗結(jié)果。3.22試驗設(shè)備中工作空間的條件應(yīng)該保持在本標(biāo)準(zhǔn)第5章規(guī)定的限度之內(nèi)。3.3有足夠大的容積，并能提供均勾的試驗條件，且試驗時這些條件不受試驗樣品的影響。3.4鹽霧不得直接噴射到試驗樣品上。3.5試驗設(shè)備工作空間內(nèi)頂部和內(nèi)壁，以及其他部位的冷凝液不得滴落在試驗樣品上。3.6試驗設(shè)備內(nèi)外氣壓必須平衡。4試驗溶液4.1盤溶液采用氯化鈉(化學(xué)純、分析純)和蒸水或去離子水配制,其旅度為(5士0.1)%(質(zhì)量百分比)。霧化后的收集液，除擋板擋回部分外，不得重復(fù)使用。4.2霧化前的鹽溶液的pH值在6.5～7.2(35±2℃)之間。配制鹽溶液時，可采用化學(xué)純的稀鹽酸或氫氧化鈉的溶液來調(diào)整pH值，但濃度仍須符合第4.1條的規(guī)定。5試驗條件51試驗設(shè)備的工作試驗空間內(nèi)的溫度為35±2℃。5.2在工作空間內(nèi)任一位置，用面積為80cm2的漏斗收