ICS77040

H17.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T1557—2018

代替

GB/T1557—2006

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法

Testmethodfordetermininginterstitialoxygencontentinsiliconbyinfrared

absorption

2018-09-17發(fā)布2019-06-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1557—2018

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20189

*

書(shū)號(hào)

:155066·1-61550

版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究

GB/T1557—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法與

GB/T1557—2006《》,GB/T1557—2006

相比除編輯性修改外主要技術(shù)變化如下

,:

范圍中增加了以低溫紅外設(shè)備測(cè)試時(shí)氧含量原子數(shù)的測(cè)試范圍從15-3到硅中

———“,()0.5×10cm

間隙氧的最大固溶度見(jiàn)第章

”(1)。

在規(guī)范性引用文件中增加了見(jiàn)第章

———GB/T4059、GB/T4060、GB/T29057、GB/T35306(2)。

在方法提要中增加了低溫紅外光譜儀的測(cè)試原理并明確低溫傅里葉變換紅外光譜儀測(cè)試硅

———,“

單晶中氧含量的具體內(nèi)容見(jiàn)見(jiàn)第章

GB/T35306”(4)。

在干擾因素中增加了多晶測(cè)試環(huán)境樣品位置測(cè)試設(shè)備對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響見(jiàn)

———、、、(5.1、5.8、5.9、

5.10)。

將扣除參比光譜后樣品的透射光譜在-1處的透射率由改為

———1600cm“100%±0.5%”“100%±

見(jiàn)年版

5%”(5.4,20065.3)。

刪除了沉淀氧濃度較高時(shí)-1處的吸收譜帶對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響見(jiàn)年版

———,1230cm(20065.5)。

將千分尺修改為厚度測(cè)量設(shè)備修改設(shè)備精度大于見(jiàn)年版

———“6.3”“6.3”,0.01mm(6.3,2006

6.3)。

將熱電偶毫伏計(jì)修改為溫度測(cè)量設(shè)備熱電偶毫伏計(jì)或其他適用于測(cè)試樣品

———“6.4-”“6.4-

室溫度的設(shè)備見(jiàn)年版

”(6.4,20066.4)。

增加濕度測(cè)試設(shè)備濕度計(jì)或其他適用于測(cè)試環(huán)境濕度的設(shè)備見(jiàn)

———“6.5”(6.5)。

將設(shè)備檢查中的拋光片厚度由改為見(jiàn)年版

———0.065cm0.085cm(8.2.5,20068.2.5)。

將表面處理修改為在測(cè)試之前應(yīng)保證樣品表面無(wú)氧化物刪除了用腐蝕去除表面

———“”“,”,“HF

的氧化物見(jiàn)年版

”(8.3,20068.3)。

將厚度測(cè)量修改為測(cè)量被測(cè)樣品和參比樣品的厚度兩者中心的厚度差應(yīng)小于

———“”“?！?.5%”

見(jiàn)年版

(8.4,20068.4)。

將繪制透射譜圖列為資料性附錄見(jiàn)附錄年版

———(A,20068.7)。

根據(jù)試驗(yàn)情況修改了精密度見(jiàn)第章年版第章

———,(10,200611)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位新特能源股份有限公司有研半導(dǎo)體材料有限公司亞洲硅業(yè)青海有限公司宜

:、、()、

昌南玻硅材料有限公司隆基綠能科技股份有限公司內(nèi)蒙古盾安光伏科技有限公司峨嵋半導(dǎo)體材料

、、、

研究所北京合能陽(yáng)光新能源技術(shù)有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人銀波夏進(jìn)京邱艷梅劉國(guó)霞柴歡趙晶晶劉文明姚利忠王海禮鄧浩

:、、、、、、、、、、

高明鄭連基陳赫石宇楊旭肖宗杰

、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)代替了

GB/T1557—2006。

歷次版本發(fā)布情況為

GB/T1557—2006:

———GB/T1557—1989、GB/T14143—1993。

Ⅰ

GB/T1557—2018

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用紅外光譜法測(cè)定硅單晶晶體中間隙氧含量的方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于室溫電阻率大于的型硅單晶和室溫電阻率大于的型硅

0.1Ω·cmN0.5Ω·cmP

單晶中間隙氧含量的測(cè)定以常溫紅外設(shè)備測(cè)試時(shí)氧含量原子數(shù)測(cè)試范圍從16-3到硅中

。,()1×10cm

間隙氧的最大固溶度以低溫紅外設(shè)備測(cè)試時(shí)氧含量原子數(shù)的測(cè)試范圍從15-3到硅中間

;,()0.5×10cm

隙氧的最大固溶度

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法

GB/T4059

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法

GB/T4060

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)多晶硅棒的規(guī)程

GB/T29057

硅單晶中碳氧含量的測(cè)定低溫傅立葉變換紅外光譜法

GB/T35306、

分子光譜有關(guān)術(shù)語(yǔ)

ASTME131(Standardterminologyrelatingtomolecularspectroscopy)

3術(shù)語(yǔ)和定義

和界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264ASTME131。

31

.

色散型紅外光譜儀dispersiveinfraredspectrophotometer

一種使用棱鏡或光柵作為色散元件通過(guò)振幅波數(shù)或波長(zhǎng)光譜圖獲取數(shù)據(jù)的紅外光譜儀

,—()。

32

.

傅里葉變換紅外光譜儀Fouriertransforminfraredspectrophotometer

一種通過(guò)傅里葉變換將由干涉儀得到的干涉譜圖轉(zhuǎn)換為振幅波數(shù)或波長(zhǎng)光譜圖來(lái)獲取數(shù)據(jù)的

—()