標準解讀

《GB/T 1557-2006 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法》相比于《GB/T 1557-1989》和《GB/T 14143-1993》，主要在以下幾個方面進行了更新與調(diào)整：

  1. 適用范圍擴展：新標準可能對適用的硅晶體類型或樣品條件進行了更明確或更廣泛的定義，以適應技術進步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要。

  2. 測量技術改進：引入了更為精確和先進的紅外吸收測量技術，這可能包括對測量設備的要求提升、測量過程的優(yōu)化或數(shù)據(jù)處理方法的革新，以提高測試結果的準確性和重復性。

  3. 校準與標準化：新標準可能提供了更加詳細和嚴格的校準程序，確保不同實驗室間測試結果的一致性。同時，可能引入了新的參考物質(zhì)或校準曲線，以更好地適應當前硅材料中氧含量變化的測量需求。

  4. 測試程序細化：對樣品的預處理、測試環(huán)境控制、以及測試步驟的描述可能更加詳盡和具體，有助于減少操作中的不確定性，提高測試效率。

  5. 結果表述與判定準則：新標準可能對測試結果的表述方式、精度要求及判定氧含量是否符合規(guī)格的準則進行了修訂，使得判定結果更加科學合理。

  6. 質(zhì)量控制與不確定度評估：增加了對測量不確定度評估的要求，以及質(zhì)量控制措施的指導，幫助實驗室建立更為嚴格的質(zhì)量管理體系。

  7. 術語與定義更新：隨著行業(yè)的發(fā)展，一些專業(yè)術語可能有了新的定義或解釋，新標準對此進行了相應的更新，以保證技術交流的準確無誤。

這些變更反映了隨著科學技術的進步和行業(yè)實踐的積累，對硅晶體中間隙氧含量測量的精度、一致性和可操作性要求的提升。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 1557-2018
  • 2006-07-18 頒布
  • 2006-11-01 實施
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文檔簡介

ICS77.040.01H17中華人民共和國國家標準GB/T1557—2006代替GB/T1557--1989、GB/T14143-1993硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法Themethodofdetermininginterstitialoxygencontentinsiliconbyinfraredabsorption2006-07-18發(fā)布2006-11-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布中國國家標準化管理委員會

GB/T1557—2006本標準是對GB/T1557—1989、GB/T14143-1993進行的整合修訂。本標準在原標準基礎上.修改采用ASTMF1188:2000《用紅外吸收法測量硅中間隙氧原于含量的標準方法》.本標準與ASTMF1188:2000的一致性程度為修改，其差異如下：-刪去了ASTMF1188:2000第1章“范圍”中涉及方法原理、安全的1.3、1.4條及第5章“意義和用途”：將將ASTMF1188:2000第8章“儀器測試”和第10章“測量步驛”并為第8章“測量步驃”：本標準與原標準相比主要變動如下：采用ASTMF1188:2000第7章“儀器"(刪去其中7.2條)作為第6章“測量儀器"用ASTMF1188:2000第11章“計算”中的計算公式替代原（B/T1557—1989.GB/T14143-1993的計算公式；參照ASTMF1188:2000增加了"術語”章和"干擾因素”章；參照ASTMF1188:2000增加了采用經(jīng)認證的硅中氧含量標準物質(zhì)對光譜儀進行校準的內(nèi)容：參照ASTMF1188:2000將原GB/T1557-1989、GB/T14143—1993規(guī)定的“本標準適用于室溫電阻率大于0.1Q·cm的硅品體”改為“本標準適用于室溫電阻率大于0.1Q·cm的n型硅單品和室溫電阻率大于0.5·cm的p型硅單品"；-采用ASTMF1188:2000中規(guī)定的0.04cm～0.4cm樣品厚度范圍替代原GB/T15571989、GB/T14143-1993規(guī)定的樣品厚度范圍：規(guī)定的氧含量測量范圍替代原GB/T1557—1989、GB/T14143—1993的測量范圍：刪去了原GB/T1557—1989、GB/T14143-1993的附錄，采用ASTMF1188:2000的附錄X1作為本標準的附錄A.本標準的附錄A是資料性附錄本標準自實施之日起,同時代替GB/T1557—1989、GB/T14143-1993.本標準由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。本標準由全國有色金屬標準化技術委員會歸口。本標準起草單位：峨眉半導體材料廠。本標準主要起草人：梁洪、草銳兵、王炎本標準由全國有色金屬標準化技術委員會負責解釋。本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：GB/T1557-1989、—GB/T14143-1993

GB/T1557—2006硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法1范圍本標準規(guī)定了采用紅外光譜法測定硅單品中的間隙氧含量的方法本標準適用于室溫電阻率大于0.12·cm的n型硅單品和室溫電阻率大于0.52·cm的p型硅單品中間隙氧含量的測量。本標準測量氧含量的有效范圍從1×10*at·cm-到硅中間隙氧的最大固溶度2規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標準.然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。GB/T14264半導體材料術語ASTME131分分子光譜有關術語術語和定義GB/T14264和ASTME131確立的以下術語和定義適用于本標準31色散型紅外光譜儀dispersiveinfraredspectrophotometer-種使用棱鏡或光柵作為色散元件的紅外光譜儀。它通過振幅-波數(shù)(或波長)光譜圖獲取數(shù)據(jù)3.2傅立葉變換紅外光譜儀Fouriertransforminfraredspectrophotometer一種通過傅立葉變換將由干涉儀得到的干涉譜圖轉換為振幅-波數(shù)（或波長)光譜圖來獲取數(shù)據(jù)的紅外光譜儀。3.3參比光譜referencespectrum參比樣品的光譜。當用雙光束光譜儀測量時,它可以通過直接將參比樣品放人樣品光路.讓參比光路空著獲得；在用單光束光譜儀測量時,它可以通過由紅外光路中獲得的參比樣品的光譜計算扣除背景光譜后獲得3.4洋品光譜sampleSPectrum測試樣品的光譜。當用雙光束光譜儀測量時,它可以通過直接將測試樣品放入樣品光路,讓參比光路空著獲得;在用單光束光譜儀測量時,它是由測試樣品放入紅外光路獲得的光譜扣除背景光譜后算出的4方法原理使用經(jīng)過校準的紅外光譜儀和適當?shù)膮?/p>

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