標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 11313.201-2018 是一項(xiàng)中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),專注于射頻連接器的電氣試驗(yàn)方法,特別針對(duì)反射系數(shù)和電壓駐波比這兩個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。該標(biāo)準(zhǔn)為射頻連接器的性能測(cè)試提供了統(tǒng)一的方法和要求,以確保其在通信、電子設(shè)備以及其他需要高效信號(hào)傳輸領(lǐng)域的可靠性和兼容性。以下是該標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容的概述:

標(biāo)準(zhǔn)適用范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了射頻連接器在特定頻率范圍內(nèi)進(jìn)行反射系數(shù)和電壓駐波比測(cè)量的方法。它適用于各種類型和結(jié)構(gòu)的射頻連接器,目的是評(píng)估這些連接器的匹配質(zhì)量和信號(hào)傳輸效率。

主要定義與術(shù)語(yǔ)

標(biāo)準(zhǔn)首先明確了反射系數(shù)和電壓駐波比的基本概念,以及測(cè)試中涉及的相關(guān)術(shù)語(yǔ)和定義,確保測(cè)試過(guò)程中的表述準(zhǔn)確無(wú)誤。

測(cè)試環(huán)境與設(shè)備要求

  • 測(cè)試環(huán)境:描述了進(jìn)行電氣測(cè)試所需的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境條件,包括溫度、濕度等,以減少外界因素對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響。
  • 測(cè)試設(shè)備:列舉了執(zhí)行反射系數(shù)和電壓駐波比測(cè)量所必需的儀器和設(shè)備,如矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(VNA),并規(guī)定了這些設(shè)備的精度要求和校準(zhǔn)方法。

測(cè)試方法

  1. 反射系數(shù)測(cè)量:詳細(xì)說(shuō)明了如何通過(guò)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量射頻連接器的輸入和輸出端口的反射系數(shù),包括連接器在直通、開(kāi)路、短路等不同條件下的測(cè)量步驟。

  2. 電壓駐波比計(jì)算:基于反射系數(shù)的測(cè)量結(jié)果,標(biāo)準(zhǔn)提供了計(jì)算電壓駐波比(VSWR)的方法。VSWR是衡量信號(hào)傳輸線中電磁波能量反射程度的一個(gè)重要參數(shù),直接關(guān)系到信號(hào)的損耗和系統(tǒng)性能。

數(shù)據(jù)處理與評(píng)估

指導(dǎo)如何正確處理測(cè)試數(shù)據(jù),包括數(shù)據(jù)平滑、誤差分析及結(jié)果的表示方式。同時(shí),標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定了反射系數(shù)和電壓駐波比的合格判定準(zhǔn)則,幫助判斷射頻連接器是否滿足設(shè)計(jì)或應(yīng)用要求。

附錄與補(bǔ)充信息

可能包含校準(zhǔn)過(guò)程示例、常見(jiàn)問(wèn)題解答、參考文獻(xiàn)等附加內(nèi)容,為實(shí)施標(biāo)準(zhǔn)提供更全面的指導(dǎo)和支持。

該標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施有助于保證射頻連接器產(chǎn)品的互換性、可靠性和性能的一致性,對(duì)于制造商、檢測(cè)機(jī)構(gòu)及用戶來(lái)說(shuō),是進(jìn)行質(zhì)量控制和產(chǎn)品驗(yàn)收的重要依據(jù)。


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....

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  • 現(xiàn)行
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  • 2018-09-17 頒布
  • 2019-01-01 實(shí)施
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GB/T 11313.201-2018射頻連接器第201部分:電氣試驗(yàn)方法反射系數(shù)和電壓駐波比_第1頁(yè)
GB/T 11313.201-2018射頻連接器第201部分:電氣試驗(yàn)方法反射系數(shù)和電壓駐波比_第2頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS3312010

L27..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T11313201—2018

.

射頻連接器

第201部分電氣試驗(yàn)方法

:

反射系數(shù)和電壓駐波比

Radio-freuencconnectors—Part201Electricaltestmethods—

qy:

Reflectioncoefficientandvoltagestandingwaveratio

2018-09-17發(fā)布2019-01-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T11313201—2018

.

前言

射頻連接器的電氣試驗(yàn)方法部分計(jì)劃發(fā)布以下部分

GB/T11313《》:

第部分電氣試驗(yàn)方法反射系數(shù)和電壓駐波比

———201:;

第部分電氣試驗(yàn)方法插入損耗

———202:;

第部分電氣試驗(yàn)方法屏蔽效率

———203:;

第部分電氣試驗(yàn)方法耐射頻高電位電壓

———204:;

……

本部分為的第部分

GB/T11313201。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本部分由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國(guó)電子設(shè)備用高頻電纜及連接器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC190)。

本部分起草單位中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十研究所通鼎互聯(lián)信

:、、

息股份有限公司

。

本部分主要起草人吳正平王鳳喻志安

:、、。

GB/T11313201—2018

.

射頻連接器

第201部分電氣試驗(yàn)方法

:

反射系數(shù)和電壓駐波比

1范圍

的本部分規(guī)定了射頻連接器的反射系數(shù)電壓駐波比和回波損耗的測(cè)試方法包括頻

GB/T11313、,

域法時(shí)域法門(mén)控時(shí)域法

、、。

本部分適用于接電纜的射頻連接器以下簡(jiǎn)稱電纜連接器接微帶射頻連接器以下簡(jiǎn)稱微帶連接

()、(

器和射頻連接器轉(zhuǎn)接器以下簡(jiǎn)稱轉(zhuǎn)接器等的測(cè)試也適用于多通道射頻連接器和混裝連接器中的各

)(),

射頻通道的測(cè)試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

射頻連接器第部分總規(guī)范一般要求和試驗(yàn)方法

GB/T11313.11:

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T11313.1。

31

.

反射系數(shù)reflectionfactor

在連接器的任一截面上的反射波波矢量的幅值與入射波波矢量的幅值之比用式表示

,(1)。

VZ-Z

Γ=r=L0

VZZ…………(1)

iL+0

式中

:

Γ反射系數(shù)

———;

V入射電壓

i———;

V反射電壓

r———;

Z傳輸線的標(biāo)稱阻抗單位為歐姆

0———,(Ω);

Z傳輸線終端負(fù)載阻抗單位為歐姆

L———,(Ω)。

32

.

電壓駐波比voltagestandingwaveratio

在連接器的任一截面上的最大電壓與最小電壓之比其表達(dá)式及與反射系數(shù)的關(guān)系用式表示

,(2)。

VV+V+Γ

=max=ir=1

VSWRVV-V

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