犐犆犛２９．０４５

犎８３

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１１０９４—２００７

代替ＧＢ／Ｔ１１０９４—１９８９

水平法砷化鎵單晶及切割片

犎狅狉犻狕狅狀狋犪犾犫狉犻犱犵犿犪狀犵狉狅狑狀犵犪犾犾犻狌犿犪狉狊犲狀犻犱犲狊犻狀犵犾犲犮狉狔狊狋犪犾犪狀犱犮狌狋狋犻狀犵狑犪犳犲狉

２００７０９１１發(fā)布２００８０２０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

書

犌犅／犜１１０９４—２００７

前言

本標(biāo)準(zhǔn)是對ＧＢ／Ｔ１１０９４—１９８９《水平法砷化鎵單晶及切割片》的修訂。

本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比，主要變動如下：

———單晶生長方向上增加了近幾年在生產(chǎn)中大量使用的＜１１０＞晶帶上由＜１１１＞Ｂ方向向最遠(yuǎn)的

＜１００＞Ａ方向偏轉(zhuǎn)０°～２０°生長單晶，明確提出了生長偏角由生產(chǎn)工藝參數(shù)決定；

———明確了晶錠作為單晶產(chǎn)品；

———切割片中取消了目前基本已被淘汰的直徑為４０ｍｍ、５０ｍｍ以及矩形和Ｄ形片的規(guī)定；

———增加了目前大量使用的直徑５０．８ｍｍ、６３．５ｍｍ切割片和國際上少量使用的直徑７６ｍｍ

切割片的規(guī)定等等。

本標(biāo)準(zhǔn)實施之日代替ＧＢ／Ｔ１１０９４—１９８９。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：北京有色金屬研究總院。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：武壯文、王繼榮、張海濤、于洪國。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１１０９４—１９８９。

Ⅰ

書

犌犅／犜１１０９４—２００７

水平法砷化鎵單晶及切割片

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了水平法砷化鎵單晶、單晶錠及切割片的要求、試驗方法及檢驗規(guī)則等。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于水平法砷化鎵單晶、單晶錠及切割片，產(chǎn)品主要用于光電器件、微波器件和傳感元件

等的制作。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１５５５半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計數(shù)抽樣檢驗程序第１部分：按接收質(zhì)量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗抽樣計劃

ＧＢ／Ｔ４３２６非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

ＧＢ／Ｔ８７６０砷化鎵單晶位錯密度的測量方法

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導(dǎo)體材料術(shù)語

ＧＪＢ１９２７砷化鎵單晶材料測試方法

３術(shù)語、定義

ＧＢ／Ｔ１４２６４確立的以及下列術(shù)語和標(biāo)準(zhǔn)適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

３．１

水平法犺狅狉犻狕狅狀狋犪犾犫狉犻犱犵犿犪狀犵狉狅狑狀

本標(biāo)準(zhǔn)中特指水平布里奇曼法，簡寫為：ＨＢ。

３．２

單晶狊犻狀犵犾犲犮狉狔狊狋犪犾

本標(biāo)準(zhǔn)中出現(xiàn)的單晶專指水平布里奇曼法砷化鎵單晶。

３．３

晶錠犻狀犵狅狋

本標(biāo)準(zhǔn)中出現(xiàn)的晶錠專指水平布里奇曼法砷化鎵單晶晶錠。

３．４

晶片狑犪犳犲狉

本標(biāo)準(zhǔn)中出現(xiàn)的晶片專指水平布里奇曼法砷化鎵