場效應晶體管課件_第1頁
場效應晶體管課件_第2頁
場效應晶體管課件_第3頁
場效應晶體管課件_第4頁
場效應晶體管課件_第5頁
已閱讀5頁，還剩14頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、1.4場效應晶體管Field-Effect Transistors (FETs)內(nèi)容提要1.4.1結(jié)型場效應管,原理、輸出特性與轉(zhuǎn)移特性1.4.2絕緣柵型場效應管,原理、輸出特性與轉(zhuǎn)移特性1.4.3場效應管的主要參數(shù)1.4.5場效應管與晶體管的比較1.4.1結(jié)型場效應管的結(jié)構(gòu)和符號圖1.4.2 N溝道結(jié)型場效應管的結(jié)構(gòu)示意圖 圖1.4.3 uDS 0時uGS對導電溝道的控制作用溝道變窄溝道消失圖1.4.4 UGS(off) uGS 0的情況預夾斷恒流DS間為電阻特性圖1.4.5 場效應管的輸出特性1 2 3圖1.4.6 場效應管的轉(zhuǎn)移特性曲線 圖1.4.7 N溝道增強型MOS管結(jié)構(gòu)示意圖 及增

2、強型MOS的符號圖1.4.8 uDS 0時uGS對導電溝道的影響圖1.4.9 uGS為大于UGS(th)的某一值時 uDS對iD的影響圖1.4.10 N溝道增強型MOS管的特性曲線 圖1.4.11 N溝道耗盡型MOS管結(jié)構(gòu) 示意圖、符號及轉(zhuǎn)移特性圖1.4.13 場效應管的符號及特性1.4.3場效應管的主要參數(shù)直流參數(shù)交流參數(shù)極限參數(shù)夾斷電壓開啟電壓飽和漏極電流直流輸入電阻低頻跨導極間電容最大漏極電流擊穿電壓最大耗散功率例 1.4.2 試分析 為0V,8V和10V情況下 分別為多少？如圖所示電路,場效應管的夾斷電壓UGS(off)=-4V，飽和漏電流IDSS=4mA。試問，為保證負載電阻RL上的電流為恒流， RL的取值范圍為多少？1.4.5場效應管與晶體管的比較流控？壓控？溫度穩(wěn)定性

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論