CCSH82團(tuán)體T/ZZB2675—2022TVS用硅單晶研磨片浙江省品牌建設(shè)聯(lián)合會發(fā)布IT/ZZB2675—2022前言 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語和定義 24產(chǎn)品分類 25基本要求 26技術(shù)要求 27試驗(yàn)方法 58檢驗(yàn)規(guī)則 6 10訂貨單（或合同）內(nèi)容 8 8T/ZZB2675—2022本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任。本文件由浙江省品牌建設(shè)聯(lián)合會提出并歸口。本文件由浙江省質(zhì)量合格評定協(xié)會牽頭組織制定。本文件主要起草單位：浙江海納半導(dǎo)體有限公司。本文件參與起草單位（排名不分先后）：浙江旭盛電子有限公司、浙江眾晶電子有限公司、浙江星宇能源科技有限公司、浙江華盛模具科技有限公司、江蘇捷捷微電子股份有限公司、浙江省質(zhì)量合格評定協(xié)會、開化縣檢驗(yàn)檢測研究院、衢州職業(yè)技術(shù)學(xué)院。本文件主要起草人：沈益軍、肖世豪、潘金平、陳洪、饒偉星、張立安、史少禮、黃云龍、詹玉峰、陳鋒、牛小群、樓鴻飛、張超、汪新華、許琴、程富榮、蘇文霞、馮小娟、梁奎、余天威。本文件評審專家組長：金勇。本文件由浙江省質(zhì)量合格評定協(xié)會負(fù)責(zé)解釋。T/ZZB2675—20221TVS用硅單晶研磨片本文件規(guī)定了瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）用硅單晶研磨片（以下簡稱硅片）的術(shù)語和定義、產(chǎn)品分類、基本要求、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存、訂貨單（或合同）內(nèi)容和質(zhì)量承諾。本文件適用于以電子級多晶硅為主要原材料，采用直拉法制備的直徑為100mm、125mm、150mm的硅單晶研磨片。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法GB/T1551硅單晶電阻率的測定直排四探針法和直流兩探針法GB/T1553硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法GB/T1554硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法GB/T1555半導(dǎo)體單晶晶向測定方法GB/T1557硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法GB/T2828.1—2012計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限（AQL）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃GB/T6616半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法GB/T6618硅片厚度和總厚度變化測試方法GB/T6619硅片彎曲度測試方法GB/T6620硅片翹曲度非接觸式測試方法GB/T6624硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗(yàn)方法GB/T11073硅片徑向電阻率變化的測量方法GB/T12962硅單晶GB/T12963—2014電子級多晶硅GB/T13387硅及其他電子材料晶片參考面長度測量方法GB/T13388硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測試方法GB/T14140硅片直徑測量方法GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語GB/T26068硅片和硅錠載流子復(fù)合壽命的測試非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減法GB/T26572電子電氣產(chǎn)品中限用物質(zhì)的限量要求GB/T29507硅片平整度、厚度及總厚度變化測試自動非接觸掃描法T/ZZB2675—20222GB/T32279硅片訂貨單格式輸入規(guī)范GB/T32280硅片翹曲度測試自動非接觸掃描法YS/T26硅片邊緣輪廓檢驗(yàn)方法YS/T28硅片包裝3術(shù)語和定義GB/T14264界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1瞬態(tài)電壓抑制二極管transientvoltagesuppressor是一種保護(hù)用的電子零件，可以保護(hù)電器設(shè)備不受導(dǎo)線引入的電壓尖峰破壞，簡稱TVS。4產(chǎn)品分類4.1硅片按導(dǎo)電類型分為N型、P型兩種。4.2硅片的摻雜劑類型分為硼（B）、磷（P）兩種。4.3硅片按表面取向可分為{100}、{111}。5基本要求5.1設(shè)計(jì)研發(fā)5.1.1應(yīng)具備產(chǎn)品全生命周期的設(shè)計(jì)能力和制程能力，包括產(chǎn)品設(shè)計(jì)、配方設(shè)計(jì)、生產(chǎn)流程設(shè)計(jì)、工藝設(shè)計(jì)以及設(shè)備和工裝設(shè)計(jì)等。5.1.2應(yīng)具備關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)能力，涉及直拉單晶硅生長技術(shù)、線切割加工技術(shù)、雙面研磨加工技術(shù)、化學(xué)清洗技術(shù)研發(fā)等，包括基于PLC的溫度自動控制、生長速度自動控制、轉(zhuǎn)速自動控制、線速自動控制、基于CCD的直徑自動控制、以及基于紅外感應(yīng)的厚度自動控制等技術(shù)研發(fā)。5.2原材料5.2.1原材料多晶硅應(yīng)滿足GB/T12963—2014第4.2條中電子2級要求。5.2.2原材料多晶硅應(yīng)滿足GB/T26572對限用物質(zhì)限量的要求。5.3工藝及裝備5.3.1應(yīng)采用半導(dǎo)體硅單晶生長爐、金剛線切割機(jī)、雙面研磨機(jī)、清洗機(jī)等自動化設(shè)備。5.3.2應(yīng)具備硅片自動分選儀，可實(shí)現(xiàn)硅片電阻率和厚度的精準(zhǔn)分檔和自動分片。5.4檢驗(yàn)檢測應(yīng)具備少數(shù)載流子壽命、氧含量、碳含量、位錯密度、表面取向、導(dǎo)電類型、電阻率、直徑、厚度、總厚度變化、彎曲度、翹曲度等指標(biāo)的檢測能力。6技術(shù)要求T/ZZB2675—202236.1理化性能6.1.1硅片的摻雜劑類型分為硼（B）、磷（P）兩種。硅片的少數(shù)載流子壽命、氧含量、碳含量及晶表1理化性能6.1.2表面取向及其偏離度應(yīng)符合下列要求：a)硅片的表面取向可分為{100}、{111}。b)硅片的表面取向偏離度可分為正晶向和偏晶向兩種：?正晶向：偏離度為0°±0.25°。?偏晶向：對{111}硅片，有主參考面的，硅片表面法線沿平行主參考面的平面向最鄰近的6.2電學(xué)性能硅片的導(dǎo)電類型分為N型、P型兩種。硅片的電阻率及徑向電阻率變化應(yīng)符合GB/T12962第5.2條的規(guī)定。6.3幾何參數(shù)硅片的幾何參數(shù)應(yīng)符合表2的規(guī)定。表2幾何參數(shù)），6.4基準(zhǔn)標(biāo)記硅片的參考面取向及位置應(yīng)符合表3的規(guī)定，如圖1所示。硅片是否制作副參考面由供需雙方協(xié)商確T/ZZB2675—20224表3主、副參考面取向及位置PNP無N圖1硅片的主、副參考面位置T/ZZB2675—202256.5邊緣輪廓硅片邊緣圓周上的所有點(diǎn)應(yīng)處于使用YS/T26測量模板的清晰區(qū)域內(nèi)，且硅片邊緣輪廓的任何部位不允許有銳利點(diǎn)或凸起物。6.6表面質(zhì)量6.6.1硅片應(yīng)無崩邊。6.6.2硅片不允許有裂紋、缺口。6.6.3硅片經(jīng)清洗干燥后，表面應(yīng)潔凈、無色斑、無沾污。6.6.4硅研磨片表面應(yīng)無劃傷、無線痕。7試驗(yàn)方法7.1少數(shù)載流子壽命測量按GB/T1553或GB/T26068的規(guī)定進(jìn)行，仲裁方法按GB/T1553的規(guī)定進(jìn)行。7.2硅單晶氧含量的測量按GB/T1557的規(guī)定進(jìn)行。7.3硅單晶碳含量的測量按GB/T1558的規(guī)定進(jìn)行。7.4位錯密度按GB/T1554的規(guī)定進(jìn)行。7.5表面取向及其偏離度的測試按GB/T1555的規(guī)定進(jìn)行。7.6導(dǎo)電類型的測試按GB/T1550的規(guī)定進(jìn)行。7.7電阻率的測試按GB/T1551中的直排四探針法或GB/T6616的規(guī)定進(jìn)行。仲裁時按照GB/T1551中的直排四探針法進(jìn)行。7.8徑向電阻率變化的測試按GB/T11073的規(guī)定進(jìn)行。7.9直徑的測量按GB/T14140的規(guī)定進(jìn)行。7.10厚度和總厚度變化的測量按GB/T6618或GB/T29507的規(guī)定進(jìn)行，仲裁時按GB/T29507的規(guī)定進(jìn)行。7.11彎曲度的測量按GB/T6619的規(guī)定進(jìn)行。7.12翹曲度的測量按GB/T6620或GB/T32280的規(guī)定進(jìn)行，仲裁時按GB/T32280的規(guī)定進(jìn)行。7.13主、副參考面長度的測量按GB/T13387的規(guī)定進(jìn)行。7.14主參考面取向的測試按GB/T13388的規(guī)定進(jìn)行。7.15副參考面的位置使用角度尺測量。T/ZZB2675—202267.16邊緣輪廓的檢驗(yàn)按YS/T26的規(guī)定進(jìn)行。7.17表面質(zhì)量的檢驗(yàn)按GB/T6624的規(guī)定進(jìn)行，必要時使用相應(yīng)精度的工具測量。8檢驗(yàn)規(guī)則8.1檢驗(yàn)分類檢驗(yàn)分為出廠檢驗(yàn)和型式檢驗(yàn)。8.2出廠檢驗(yàn)8.2.1組批產(chǎn)品以成批的形式提交驗(yàn)收，每批應(yīng)由同一牌號、相同規(guī)格的硅片組成。8.2.2檢驗(yàn)項(xiàng)目每批產(chǎn)品對應(yīng)的檢測項(xiàng)目見表4。表4檢驗(yàn)分類和檢驗(yàn)項(xiàng)目12-34-56789-），√√-√√√√√√√√√√√-√√-√√√T/ZZB2675—202278.2.3抽檢每批產(chǎn)品的檢驗(yàn)取樣按GB/T2828.1—2012中一般檢查水平Ⅱ,正常檢查一次抽樣方案進(jìn)行。8.2.4檢驗(yàn)結(jié)果的判定導(dǎo)電類型、表面取向及其偏離度的檢驗(yàn)結(jié)果中若有一片不合格，則判該批產(chǎn)品為不合格。其他檢驗(yàn)項(xiàng)目的合格質(zhì)量水平（AQL）見表5。表5接收質(zhì)量限1234567898.3型式檢驗(yàn)8.3.1有以下情形都應(yīng)進(jìn)行型式檢驗(yàn)：a)新產(chǎn)品或老產(chǎn)品轉(zhuǎn)廠生產(chǎn)試制的定型鑒定；b)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、工藝、原材料有重大改變并可能影響到產(chǎn)品性能時；c)產(chǎn)品停產(chǎn)半年以上，重新恢復(fù)生產(chǎn)時；d)出廠檢驗(yàn)結(jié)果和最近一次型式檢驗(yàn)結(jié)果有較大差異時；e)質(zhì)量監(jiān)督機(jī)構(gòu)提出型式檢驗(yàn)要求時。8.3.2型式檢驗(yàn)抽檢項(xiàng)目按表5要求的規(guī)定。8.3.3抽樣規(guī)則：型式檢驗(yàn)每年一次，抽取5片，如果有一片不合格即判為不合格。9標(biāo)志、包裝、貯存和運(yùn)輸T/ZZB2675—202289.1標(biāo)志包裝箱外側(cè)應(yīng)有“小心輕放”、“防潮”、“易碎”等標(biāo)識，并標(biāo)明：a)供方名稱；b)產(chǎn)品名稱、牌號；c)產(chǎn)品數(shù)量。9.2包裝硅片包裝按YS/T28的規(guī)定執(zhí)行。9.3貯存產(chǎn)品應(yīng)貯存在清潔、干燥的環(huán)境中。9.4運(yùn)輸產(chǎn)品在運(yùn)輸過程中應(yīng)輕裝輕卸，勿壓勿擠，并采取防震防潮措施。9.5質(zhì)量證明書每批產(chǎn)品應(yīng)有質(zhì)量證明書，其上注明：a)供方名稱；b)產(chǎn)品名稱及牌號；c)產(chǎn)品批