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文檔簡介
第一章電磁現(xiàn)象的普遍規(guī)律
§1.1電荷與電場
I、庫侖定律
(1)庫侖定律
如圖ITT所示,真空中靜止電荷Q'
對另一個靜止電荷。的作用力戶為
式中%是真空介電常數(shù)。
(2)電場強度后
靜止的點電荷0在真空中所產(chǎn)生的電場強度E為
(1.1.2)
(3)電場的疊加原理
N個分立的點電荷在了處產(chǎn)生的場強為
-3Q
E=£—(1.1.3)
j=i4宓0r-ri
體積V內(nèi)的體電荷分布夕卜')所產(chǎn)生的場強為
一(-)(1.1.4)
E=——.3
4您。
式中,為源點的坐標(biāo),廠為場點的坐標(biāo)。
2、高斯定理和電場的散度
高斯定理:電場強度E穿出封閉曲面S的總電通量等于S內(nèi)的電荷的代數(shù)和
(Z。,)除以4。用公式表示為
(分離電荷情形)(1.1.5)
匕0i
或
fEdS=—[pclV(電荷連續(xù)分布情形)(1.1.6)
其中V為S所包住的體積,dS為S上的面元,其方向是外法線方向。
應(yīng)用積分變換的高斯公式
^EdS=^-EdV(1.1.7)
由(1.1.6)式可得靜電場的散度為
%
3.靜電場的旋度
由庫侖定律可推得靜電場后的環(huán)量為
^Edl=0(1.1.8)
應(yīng)用積分變換的斯托克斯公式
§戶疝=卜乂巨而
從(1.1.8)式得出靜電場的旋度為
VxE=0(1.1.9)
§1.2電流和磁場
1、電荷守恒定律
不與外界交換電荷的系統(tǒng),其電荷的代數(shù)和不隨時間變化。對于體積為丫,
邊界面為S的有限區(qū)域內(nèi),有
針曲=-裁心(1.2.1)
或
▽+史=0
(1.2.2)
dt
這就是電荷守恒定律的數(shù)學(xué)表達(dá)式。
2、畢奧一薩伐爾定律
/處的電流元//在尸處產(chǎn)生的磁感強度為
而二〃0心(尸一/)
(1.2.3)
44r-r3
參見圖由此得沿閉合”"0^^
曲線L流動的電流/所產(chǎn)生的磁感
強度為y
即)得£加守(L2.4)/
f〃r—r\
L
如果電流是體分布,則電流元圖1?1?2
為卜!/',這時
(1.2.5)
4)r-r
x
B(r)=^f川)(7)dv,(1.2.6)
3、磁場的環(huán)量和旋度
(1)安培環(huán)路定理
磁感強度后沿閉合曲線L的環(huán)量等于通過L所圍的曲面S的電流代數(shù)和的〃。
倍;即
.全疝=〃。??曲(1.2.7)
(2)磁場的旋度
由安培環(huán)路定理和斯托克斯公式
可得磁場的旋度為
VxB=〃()/(1.2.8)
這是安培環(huán)路定理的微分形式。
4、磁場的散度
磁場的散度為▽?月二0(1.2.9)
§1.3麥克斯韋方程組
I、麥克斯韋對電磁感應(yīng)定律的推廣
按照法拉第電磁感應(yīng)定律,變化的磁場在一固定導(dǎo)體回路L中產(chǎn)生的感應(yīng)電
動勢為
£=\B-dS(1.3.1)
dtdt's
依定義,感應(yīng)電動勢£是電場強度后感沿導(dǎo)體回路L的線積分,因此(1.3.1)
式可寫做
iE.dl=--\BdS(1.3.2)
J,’dt卜
其中E是變化的磁場在導(dǎo)體中產(chǎn)生的感應(yīng)電場的電場強度。
麥克斯韋的推廣:當(dāng)導(dǎo)體回路不存在時,變化的磁場在空間仍然產(chǎn)生感應(yīng)電
場%,并且滿足(1.3.2)式。
應(yīng)用斯托克斯公式,可將(1.3.2)式化為微分形式
_dB
VxE=--(1.3.3)
i'dt
在一般情況下,既有靜電場后S,又有感應(yīng)電場及,則總電場便為
£=+Et(1.3.4)
又因為▽xJgs=o,故得
_麗
Vx£=-—(1.3.5)
dt
這就是麥克斯韋推廣了的法拉第電磁感應(yīng)定律。
2、麥克斯韋對安培環(huán)路定理的推廣
穩(wěn)恒電流的安培環(huán)路定理為Vx與="/,由此得出
VJ=—V(VxB)=O(1.3.6)
4。
這與電荷守恒定律
▽?/=-義工0
(1.3.7)
dt
相矛盾。
麥克斯韋的推廣:在一般情況下,安培環(huán)路定理的普遍形式為
▽xA=〃o(7+7〃)(1.3.8)
其中
JD=—(1.3.9)
口dt
叫做位移電流密度。即
-(-db}
▽xB=〃oJ+—(1.3,10)
I%)
3、麥克斯韋方程組
我們把電磁學(xué)中最基本的實驗定律概括、總結(jié)和提高到一組在一般情況下相
互協(xié)調(diào)的方程組,這便是麥克斯韋推廣了的安培環(huán)路定理。它與電荷守恒定律不
矛盾。
DK防
VxE=----
dt
--dE
NxB=//J+—
()ct(1.3.12)
▽.左二巨
%
▽?月二0
這組方程稱為麥克斯韋方程組。
4、洛倫茲力公式
帶電荷q的粒子以速度/在電磁場中運動時,它所受的力為
F=C{E+VXB}
作用在單位體積的電荷上的力(力密度)為
f=p(E+vxB)=pE+JxB
§1.4介質(zhì)的電磁性質(zhì)
I、介質(zhì)的極化
(1)極化強度戶
在外電場的作用下,?介質(zhì)的分子產(chǎn)生電偶極矩或固有的電偶極矩趨向有規(guī)則
的排列,這叫做介質(zhì)的極化。
極化強度「是描述介質(zhì)極化狀態(tài)的量,其定義是單位體積內(nèi)的電偶極矩,即
2,
P三」—(1.4.1)
AV
式中為包含有大量分子的物理小體積,2.為第,?個分子的電偶極矩。
如果每個分子的平均電偶極矩為九,則
P=np(1.4.2)
式中〃為分子數(shù)密度。
(2)極化電荷與極化強度的關(guān)系
極化電荷體密度必與極化強度戶的關(guān)系為
jPdS=-^pPdV(1.4.3)
或
pp=-VP(1.4.4)
極化電荷面密度。2與P的關(guān)系為
分二心便一區(qū))(1.4.5)
式中斤為交界面法線方向的單位矢量,從介質(zhì)1指向介質(zhì)2o如果介質(zhì)2為真空,
則
(1.4.6)
均勻介質(zhì)內(nèi)的極化電荷
夕尸=一▽?戶=—▽?(力一/左)=」1一包p1(1.4.7)
即均勻介質(zhì)內(nèi)任意一點的極化電荷密度等于該點的自由電荷密度燈的
因此,若該點處無自由電荷分布,則夕尸=0>
(3)有介質(zhì)時的電場
在一般情況下,介質(zhì)中的電場E是自由電荷的電場號.,極化電荷的電場巨尸
以及變化磁場產(chǎn)生的感應(yīng)電場片的和,即
E=E/+EP+E/(1.4.8)
在介質(zhì)中,電場的旋度和散度分別為
cB
VxE=VxE.=——(1.4.9)
'dt
和
11]|
NE=——Pf+—pP=—pf——VP(1.4.10)
%£o£o%
(4)電位移力及其與電場強度后的關(guān)系
電位移矢量力的定義為
D=£(.E+P(1.4.11)
在各向同性的線性介質(zhì)中,戶與后成線性關(guān)系
P=%國立(1.4.12)
然叫做介質(zhì)的電極化型。代入(L4.ll)式得
力=%(1+乙)巨(1.4.13)
定義相對介電常教%和介電常數(shù)c分別為
J三1+乙,£=£,%(1.4.14)
這時
D=sE(1.4.15)
2、介質(zhì)的磁化
(1)磁化強度向
在外磁場的作用下,介質(zhì)分子產(chǎn)生的磁矩或固有磁矩趨向有規(guī)則排列,這叫
做介質(zhì)的磁化。磁化強度后是描述介質(zhì)磁化狀態(tài)的量,其定義是單位體積內(nèi)的
磁矩,即
_E見
M三」—(1.4.16)
AV
式中AV為含有大量分子的物理小體積,現(xiàn)為第I個分子的磁矩。
如果每個分子的平均磁矩為陽,則
M—nm(1.4.17)
式中n為分子數(shù)密度。
(2)磁化電流與磁化強度的關(guān)系
磁化電流體密度幾與磁化強度而的關(guān)系為
W疝=3£(1.4.18)
上式可寫作
£和/=/,“(1.4.19)
式中卻是積分環(huán)路七所套住的磁化電流的代數(shù)
和,如圖1-1-30
把斯托克斯公式用于(1.4.18)式,便得
圖1-1-3
(1.4.20)
磁化電流面密度與磁化強度后的關(guān)系:面電流是指在曲面上流動的電
流,面電流密度々的大小等于通過與々垂直的單位長度橫截線的電流。設(shè)介質(zhì)1
的磁化強度為后I,介質(zhì)2的磁化強度為后2,在兩介質(zhì)的交界面上,磁化面電流
密度為用W,交界面的單位法向矢量為萬,從介質(zhì)1指向介質(zhì)2,則
aM=?ix(M2-M1)(1.4.21)
若介質(zhì)2為真空,則
=rtx(M2-M,)(1.4.21)
(3)有介質(zhì)時的磁場
自由電流乙、磁化電流幾和位移電流乙都產(chǎn)生磁場,這些磁場的疊加就
是介質(zhì)中的磁場月。因此,在一般情況下,磁場的旋度和散度分別為
VxB=A((J/+Jw+7。)=〃0(4(1.4.23)
和
VB=O(1.4.24)
(4)磁場強度月及其與磁感強度月的關(guān)系
磁場后定義為
-8一
H=--M(1.4.25)
Ao
對于各向同性的非鐵磁物質(zhì),磁化強度而和。之間有簡單的線性關(guān)系
府=%“后(1.4.26)
XM叫做介質(zhì)的磁化率。把(1.4.26)式代入(1.4.25)式可得
與二〃。(救M)后(1.4,27)
定義相對磁導(dǎo)率〃,和磁導(dǎo)率〃分別為
人■三1+#M,〃=4M)(1.4.28)
這時
B=pH(1.4.29)
對于所有物質(zhì)來說,相對介電常數(shù)%都大于1,但相對磁導(dǎo)率4則可以大于
1(順磁質(zhì)),也可以小于1(抗磁質(zhì))。
3、介質(zhì)中的麥克斯韋方程組
電磁場遵守的普遍規(guī)律為
--dD
(1.4.29)
dt
\7D=p
V-B=O
物質(zhì)方程:在各向同性的線性介質(zhì)中
b=點,(1.4.29)
§1.5電磁場邊值關(guān)系
由麥克斯韋方程組的積分形式得出介質(zhì)交接面兩側(cè)場量的關(guān)系為
冗X(后2—后1)=0(1.5.1)
nx(H-H)=a
21(1.5.2)
n?(D2一力1)=CT(1.5.3)
n(B-B.)=0
2(1.5.4)
式中萬是交接面法線上的單位矢量,從介質(zhì)1指向介質(zhì)2;。和也分別是交界面
上的自由電荷和自由面電流密度。
在用交界面兩側(cè)的切向分量(下標(biāo)Q,和法向分量(下標(biāo)〃)表示時,邊值
關(guān)系可寫做
El\=用2(1.5.5)
(1.5.6)
D,2~?八=O-(1.5.7)
B-紇2(1.5.8)
§1.6電磁場的能量和能流
1.電磁系統(tǒng)的能量守恒定律
考慮圖1-1-4所示的空間區(qū)域V,其邊界面
為2c設(shè)V內(nèi)有電荷分布「和電流分布
(1)電磁場作用在單位體積電荷上的力為
f=p(E+vxB),這力的功率為
/?v=p(E+vxB)-v=pE-v=J-E(1.6.1)
式中/?后代表介質(zhì)單位體積消耗的焦耳熱。
(2)電磁場對體積V內(nèi)的電荷系統(tǒng)做功的功率為
(1.6.2)
(3)體積V內(nèi)電磁場能量的增加率為
—[axlV=—{-(ED+BHW
dl)vdtJ、'2
(4)單位時間內(nèi)從邊界面N流出體積V的電磁能量為
(1.6.4)
因為能量守恒,次于體積V內(nèi)的電磁場能量有
(1.6.5)
(1.6.6)
這便是電磁場的能量守恒定律。
2.電磁場的能量密度切
單位體積內(nèi)的電磁場能量為
(D=j(ED+HB)(1.6.7)
3.電磁場的能量密度S
單位時間流過垂直于能流方向的單位面積的電磁場能量為
S=ExH(1.6.7)
S通常叫做坡印廷矢量。
第二章靜電場
§2.1靜電場的標(biāo)勢及其微分方程
1、靜電場的標(biāo)勢
(1)靜電場的基本方程
VD=p(2.I.1)
或^DdS=Q(2.1.2)
VxE=O(2.1.3)
或jEdl=0(2.1.4)
其中電荷。是封閉曲面S包住的自由電荷的代數(shù)知,0是自由電荷密度。
(2)靜電場的電勢
在靜電場中,根據(jù)(2.1.3)式知道有勢函數(shù)。存在,使得
E=(2.1.5)
如果在無窮遠(yuǎn)處的電場強度為零,一般便選工)=8為電勢參考點,這時由上
式得空間一點P(/)的電勢為
,耳方(2.1.6)
①點電荷的電勢
由庫侖定律可得/處(源點)的點電荷。在尸處(場點)產(chǎn)生的電勢為
市)=4^-(2.1.7)
4宓r-r
②電勢疊加原理
分立的點電荷系爐產(chǎn)生的電勢為
。0)=小工占(2.1.8)
4尼ir-r.
連續(xù)分布的電荷所產(chǎn)生的電勢為
桁)=」_[.(2.1.9)
4^Jv|r-r,
2、靜電勢所滿足的微分方程和邊值關(guān)系
(1)電勢的微分方程
電勢0滿足方程
▽?(漢°)=一夕(2.1.10)
在均勻介質(zhì)內(nèi),(2.1.10)式可化為
寸(p=_2(2.1.11)
£
這個方程叫泊松方程°式中0是自由電荷密度。如果0=0則(2.1.11)式便化
為拉普拉斯方程
V>=0(2.1.12)
(2)電勢的邊值關(guān)系
在介電常數(shù)不同的兩種介質(zhì)交界面上,電勢。滿足下列邊值關(guān)系
例=g(2.1.13)
£粵_3=。(2.1.14)
dn“dn
其中”是由介質(zhì)1指向介質(zhì)2的單位法向矢量,。是交界面上的自由電荷面密度。
如果介質(zhì)1是導(dǎo)體,則以上兩式分別化為
%二常量(2.1.15)
和£、上”=-0(2.1.16)
■dn
3、靜電場能量
電荷分布在區(qū)域V內(nèi),密度為夕(尸),所具有的靜電能量為
卬二3「(祝(刖<2.1.17)
這能量分布在電場中,因此
W=-[EDdV=(2.1.17)
2J
式中E是上述電荷所產(chǎn)生的電場,積分遍及后不為零的全部空間。
§2.2唯一性定理
靜電學(xué)的基本問題是求出在所有邊界上滿足邊值關(guān)系或給定邊界條件妁泊
松方程的解。唯一性問題是討論在什么條件下,解是唯一的。這點很重要,因為
求解的方法不同,求出的解可能有不同的表達(dá)形式,有時要證明它們是同-解頗
非易事;但如果這些解都滿足相同的邊界條件,則它們必定相同。其次,對于有
些問題,可以根據(jù)經(jīng)驗提出嘗試解。如果所提出的嘗試解滿足唯一性定理所要求
的條件,它就是該問題的唯一正確解。
1.問題說明
假定空間v可以分為若干個小區(qū)域匕,每一個區(qū)域匕內(nèi)都是充滿均勻的,介
電常數(shù)為邑的各向同性介質(zhì)。設(shè)v內(nèi)的自由電荷分布夕卜)已知,則在匕內(nèi),電勢
滿足泊松方程
N"、=~—p(2.2.1)
與
在兩區(qū)域匕和匕的交界面上,電勢滿足邊值關(guān)系
81=%?(2.2.1)
—圖(2.2.1)
2.唯一性定理
設(shè)區(qū)域V內(nèi)自由電荷的分布P。)已知,在V的邊界S上給定
(i)電勢為,
或
(ii)電勢的法向?qū)?shù)(案)(即E“),
則V內(nèi)的電場便唯一確定。
3.有導(dǎo)體存在時的唯一性定理
設(shè)區(qū)域丫內(nèi)有一些導(dǎo)體,給定導(dǎo)體之外的電荷分布「(萬,并給定
(i)每個導(dǎo)體上的電勢化,
或
(ii)每個導(dǎo)體上的總電荷0,
以及V的邊界S上的外或(年]值,則V內(nèi)的電場便唯一地確定。
Ion人
§2.3拉普拉斯方程分離變量法
1、笛卡兒坐標(biāo)系
拉普拉斯方程(簡稱拉氏方程)的形式為
d~(pd~cpd-(p八
(2.3.1)
dx2/dz2
設(shè)電勢(p(x,y,z)可分離變數(shù),即y,z)=X(x)Y(y)Z(z),則拉氏方程可分
為以下三個方程
2
IdX/2
-----T=-k~(2.3.2)
Xdx2
1d2Y/
(2.3.3)
(2.3.4)
由此得方程的通解為
yyz)—Z(AAcoskx+A”sincosZx+13乂sinlx)
k.l
k+Cx.產(chǎn)二)(2.3.5)
式中各常數(shù)片一B”,B2/,Clu,C2H等由問題的具體條件決定。
2、柱坐標(biāo)系
拉氏方程為
\_d_,嗎+二拄+駕=0
(2.3.6)
rdrdr)r~30dz2
設(shè)電勢e(r,O,z)可分離變數(shù),即°(r,O,z)二沖(0)Z(z),代入上式求得Z(z)
的解為
Z(z)=GcoshZ?z+C>sinhbz(2.3.7)
①(。)的解為
①(0)=gcos。"。4sina。(2.3.8)
在0?。工2萬內(nèi),符合物理實際的解必須是單值的,因此。必須是整數(shù)。
R(。的解為
R⑺=C:)+C6N.)(2.3.9)
式中
z.\a±2m
“1噌
(2310)
〃br)=E皿:--
和
叵竺必㈣二回(2.3.11)
sin。4
其中級數(shù)1(力。是。階第一類貝塞耳函數(shù),如果。=〃(整數(shù)),則在累級數(shù)中的
伽瑪函數(shù)「(〃+〃7+1)可以用(〃+“)!來代替。N,(")是。階第二類貝塞耳函數(shù)。
函數(shù)N〃(Or)在r=0附近的奇異性與//相似,因此,只要已知r=()處的電
勢是有限的,在解中就不包含N<6),即系數(shù)。6為零。
3、球坐標(biāo)系
球坐標(biāo)系中拉氏方程為
13(,6(p\1d(.^d(p\1d2(p..“°[八
r—廠?+F-sin6>-^-+—~~;v=°(2.3.12)
/3八dr)/sinOaeldO)r1s\n20d(/>2
設(shè)電勢雙二"。)可分離變數(shù),即9G超且在,=o和萬時
0(八夕。)為有限值,則拉氏方程(2.3.12)的通解為
啟/。)=£。/+經(jīng)上(
cosO)cosni(/f
/,m=0\
rJ(2.3.13)
+*",+豺T(cos9)sin/
九0
式中Epcos。)是連帶勒讓德多項式。
如果問題具有軸對稱性(利=0),通解為
9(幾0)=汽。/+L〉(cosO
)(2.3.14)
1=0\r)
式中q(cos。)是勒讓德多項式。
通解中的系數(shù)即",%",1,d加或〃等由問題的具體條件確定。
§2.4鏡像法
1、平面邊界
(1)無限大導(dǎo)體平面外的點電荷
點電荷。到電勢為零的無限大導(dǎo)體平面的距離為a,如圖1-2-1,電像
q=—q在導(dǎo)體平面的另一側(cè),與導(dǎo)體平面的距離為。。則導(dǎo)體外的電勢為
*(x,y,z)=
4%口+4+&_dG+),2+(Z+〃)2
,(z>0)(2.4.1)
導(dǎo)體面上的感應(yīng)電荷面密度T
a
真空
“〃,〃〃,〃,//
導(dǎo)體
a
JLq'二_q
2乃(/+/+/£
(2.4.2)
導(dǎo)體面上的總感應(yīng)電荷為
\odS=-q(2.4.3)
導(dǎo)體上感應(yīng)電荷吸引點電荷q的力為
P.q2
F=------——Yn
16-0。
感應(yīng)電荷與點電荷的相互作用能為
(2)劈形導(dǎo)體平面間的點電荷
如圖12-2,兩無限大導(dǎo)體平板電勢為零,夾角為。(夕《乃)。其間有一點電
荷q,點電荷夕的幅角為?!?與。角的頂點。的距離為a。,有多重電像,當(dāng)
夕=^(n為整數(shù))時,電像的個數(shù)為(2n-l)個,
n
2九一。
=2/7-1(2.4.6)
~3~
所有電像均位于以。為圓心,〃為半徑的圓周上。諸電像的位置為
2兀4°4乃2(/2-1>
q:共(〃一1)個。
nnn
一q:0Q,4,....,2?!C,共〃個。
n---------n
圖1-2-2是。=工時電像的分布圖。共有七個電
4
像。
(3)介質(zhì)平面外的點電荷
兩無窮大的均勻介質(zhì)的介電常數(shù)分別為名和
名交界面為平面。在勺中有一自由點電荷“,距
交界面為。,如圖1-2-3所示。
求z4()區(qū)域(㈢)的解時,可在z>0區(qū)域內(nèi)距界面為外處設(shè)置電像電荷%,
則所求電勢處為
夕2G,y,z)=—!——]名(2.4.8)
4宓2G+y2+(z_q)-
在z二。的交界面上任意一點處,電勢應(yīng)滿足邊值關(guān)系
臼=9?(2.4.9)
%迎=£,也
(2.4.10)
dzdz
設(shè)6=42=。,則在原點處(x=y=z=O),應(yīng)用上式可得
(2.4.11)
£]£2
q-q?=q\(2.4.12)
解得
,£\一£?
%=-------二q(2.4.13)
白+e2
q=—jq(2.4.14)
5+4
因此
(PX=—--/q+i-―邑q(zNO)
4宓iyjx2+y2+(z-?)24%與+邑yjx2+y2+(z+a)2
(2.4.15)
―一「q(zWO)(2.4.16)
24(■十邑)yjx2+y2+(z-ci^
點電荷q所受的庫侖力為
F二H/
(2.4.17)
]6您](£1+4)/
2、球面邊界
(1)導(dǎo)體球外的點電荷
有一電勢為零,半徑為R的
導(dǎo)體球,球外距球心。為/處的
A點有一點電荷q。
如圖1-2-4,在球內(nèi)A‘點設(shè)
置一電像夕,距球心為/。由邊
圖1?2-4
界條件得
/=一(2.4.18)
/
q=--q(2.4.19)
于是球外pb)處的電勢為
0(了)二—!—「一^――(r〉R)(2.4.20)
7
4^0Jr-/|/|r-/jj、
這里選取球心為原點,7和7'分別為電荷q和q的位置矢量。
球上的電荷密度面為
9________"_Ra
咐…。梁廿(2.4.21)
4〃/?(/?2+/2-2/?/COS6>)^
電荷4與導(dǎo)體球的相互作用能為
"1/次、
(2.4.22)
4%2「-R2)
電荷,所受的庫侖力為
dU___1q2Rl
(2.4.23)
式4%(/2.R2)2
(2)導(dǎo)體球形空腔內(nèi)的點電荷
導(dǎo)體內(nèi)有一球形空腔,腔內(nèi)距球心。為/'處有一點電荷,,導(dǎo)體的電勢為零。
由對稱性可知,這時圖『2-4中,位于A點的電荷q便是夕的電像,并且
R2
=T(2.4.24)
R.
q=-yq(2.4.25)
這時空腔內(nèi)的電勢為
qqR(r<R)(2.4.26)
§2.5格林函數(shù)
點電荷的密度:位于工'處的單位點電荷的密度為p(x)=^(x-r)0
格林函數(shù):它是單位正點電荷在一定邊界條件下的電勢。它用G(£,1')表示,括
號內(nèi)左邊的位矢元對應(yīng)場點,右邊的P代表點源夕=+1的位矢。它滿足方程
▽2G5,F)=一-!-S(工一1')(2.5.1)
%
第一類邊值問題的格林函數(shù)滿足邊界條件
G(x,x)|v=0(2.5.2)
第二類邊值問題的格林函數(shù)滿足邊界條件
儂出(2.5.3)
dn£0S
其中〃為邊界面法線方向。
格林函數(shù)的對稱性
G(元1')=G(T,幻(2.5.4)
對于一定邊界條件下的格林函數(shù),場點和源點交換時,格林函數(shù)的值不變。如球
外空間的第一類格林函數(shù)是
111
G(x,x)=-----/,-/(2.5.5)
4%"RjRR,c°sa片嬴兀嬴二
V
工與F互換(即互換),從上式看出函數(shù)值不變。
含格林林函數(shù)的格林公式
(p(x)=£G(x\x)p(xf)r/Vz£[G(x;x)V)G(x\x)\dS1(2.5.6)
第一類邊值問題的解
9(f)=,G曰l)p?)”'—分,出(亍)*;31)6
⑵5.7)
式中的G(工',均位為第一類邊值格林函數(shù),邊界條件由°(工')I給定。
第二類邊值問題的解
,,
(p(x)=fG(Fl)p(F)dV'+/fG(x\x)—i(p(x)dS(2.5.8)
JvJsdn
式中的G(FR)為第二類邊值,邊界條件由名華|給定,S中應(yīng)包含尢限遠(yuǎn)處
dn'
的面。
§2.6電多極矩
1、電勢的多極展開
電荷分布在有限的區(qū)域v內(nèi),體密度為夕(,),則它所產(chǎn)生的電勢為
雨)/苴絲(2.6.1)
4G八r-r
對于遠(yuǎn)場(即,?>>〃處的場),上式可展開為
式中0為電荷系的總電量,即
e=fp(rWV(2.6.3)
V
P為電荷系的電偶極矩,即
p=Jrp(r'}dV(2.6.4)
6為電荷系的電四極矩,即
5=1(3r7,-r,27)p(rW(2.6.5)
V
它的「分量為
(2.6.6)
點電荷系的電四極矩為
6=£(3+/;"如
(2.6.7)
其)分量為
Dy==工(3工:/:「r:總””⑵6.8)
電四極矩張量》是對稱張量,又因為
=
D"+。22+。33。(2.6.9)
因而6只有五個獨立分量。
2、相互作用能
點電荷(7在外場夕,中的能量為
叱=q(pe
式中心是夕所在處外電場的電勢。
電荷系0(下)在外場中的能量為
叱=,/3(也丫
點電荷系的相互作用能為
I〃
叱,-£(7⑼
zk=\
式中心是除外外所有其余的點電荷在以所在點產(chǎn)生的電勢。
第三章靜磁場
§3.1矢勢及其微分方程
1、矢勢
(1)穩(wěn)恒電流磁場的基本方程
VB=O(3.1.1)
或《月?dS=O(3.1.2)
Vx/7=J(3.1.3)
或£/??/=/(3.1.4)
式中,是自由電流密度,/是被閉合環(huán)路L套住的自由電流的代數(shù)和。
(2)穩(wěn)恒磁場的矢勢
由▽.月=0知,存在空間矢量勢函數(shù)X,它滿足
B=VxA(3.1.5)
對于一個確定的磁場月,由(3.1.5)式確定的矢勢Z不是唯一的,可以有
一個附加的任意空間函數(shù)的梯度。通常用條件
VA=0(3.1.6)
來對這個任意函數(shù)加以限制。
(3)矢勢4的物理意義
£,?/=[▽>,.而=[反。6=①(3.1.7)
即矢勢只沿任一閉合環(huán)路L的積分等于通過以L為邊界的曲面S的磁通量。
2、矢勢H的微分方程和邊值關(guān)系
在均勻介質(zhì)內(nèi),矢勢H滿足泊松方程
V2A=-/J(3.1.8)
矢勢的邊值關(guān)系
在均勻介質(zhì)內(nèi),該方卷的特解是
4=:(尸(3.1.9)
式中的積分遍及電流爐分布的空間V。
3、矢勢的近似
電流分布在區(qū)域v(線度為/)內(nèi),電流密度為/(,)。
這電流在遠(yuǎn)處(即〃>>/)產(chǎn)生的磁場其矢勢可近似為
4=幺沅x=(3.1.10)
47rr3
式中
w=l£rxJ(r)t/V(3.1.11)
叫做這電流的磁矩。木于一個載流為/的小線圈L,其磁矩為
w=l£rX6//(3.1.12)
4、穩(wěn)恒電流磁場的能量
(1)自具能
電流分布在區(qū)域v內(nèi),密度為7(,),所具有的能量為
W=-{j-AdV(3.1.13)
2Jv
這能量分布在磁場中,因此
W=-\HBdV=-\juH2dV(3.1.14)
2Jv2J”
式中方是上述電流所產(chǎn)生的磁場,積分遍及后不為零的全部空間V。
(2)相互作用能
電流/9)在外磁場4中的能量為
叱(3.1.15)
載電流/的小線圈在外磁場瓦中的能量為
Wj—fn-B(3.1.16)
式中沅為小線圈的磁矩。
§3.2磁標(biāo)勢
1、磁標(biāo)勢
如果在某一閉合區(qū)域內(nèi)沒有自由電荷(即J=o),這時穩(wěn)恒磁場的基本方程
為
Vx/7=0(3.2.1)
VB=O(3.2.2)
由后=。知,在該區(qū)域內(nèi)存在勢函數(shù)外,,它滿足
巨=7儲、(3.2.3)
這時,后在形式上與靜電場的E相對應(yīng),而外則與靜電場的電勢。相對應(yīng)。
2、磁標(biāo)勢的拉氏方程和邊值關(guān)系
拉氏方程為
°(3.2.4)
在沒有傳導(dǎo)電流的兩介質(zhì)交界面上,由
(3.2.5)
穌=%(3.2.6)
得出磁標(biāo)勢的邊值關(guān)系為
化
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