氮化鎵GaN功率器件的特點(diǎn)、應(yīng)用及發(fā)展_第1頁(yè)
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氮化鎵(GaN)功率器件的特點(diǎn)、應(yīng)用及發(fā)展現(xiàn)有硅功率器件已經(jīng)達(dá)到了理論極限,而第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵材料的基礎(chǔ)參數(shù)更加優(yōu)異,也將具有更大的發(fā)展空間。本文從GaN功率器件的基礎(chǔ)參數(shù)分析其特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì),列舉其在消費(fèi)類(lèi)電源和電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用,最后闡述現(xiàn)有國(guó)家政策和國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展情況。標(biāo)簽:氮化鎵(GaN);消費(fèi)類(lèi)電源;電動(dòng)汽車(chē);新基建。隨著硅功率MOSFET技術(shù)的不斷發(fā)展,其參數(shù)達(dá)到了硅基器件的理論極限。而作為第三代半導(dǎo)體材料中的SiC和GaN為原材料的功率器件則是優(yōu)良的升級(jí)品。本文主要對(duì)GaN功率器件的特點(diǎn)、應(yīng)用和發(fā)展進(jìn)行論述。由表1得出GaN材料的特性包括禁帶寬度大、臨界擊穿電場(chǎng)高、電子遷移率較高、飽和漂移速度高及導(dǎo)熱率大。高的禁帶寬度意味著具有較低的本征泄露電流和較高的工作溫度。在相同擊穿電壓下,GaN材料的高臨界擊穿電場(chǎng)可以使漂移區(qū)厚度可以比硅器件小1/10左右,體積更小,寄生參數(shù)更小。理論導(dǎo)通電阻與偏移區(qū)厚度成正比,與電子遷移率成反比。所以,較小的偏移區(qū)厚度和較高的電子遷移率可以使導(dǎo)通電阻進(jìn)一步降低。高飽和漂移速度,說(shuō)明更適合高頻工作。導(dǎo)熱率越大,說(shuō)明其傳遞熱量的能力越強(qiáng),則更適宜于高溫環(huán)境[1]。綜合以上分析可知,第三代寬禁帶GaN材料具有開(kāi)關(guān)速度快,導(dǎo)通電阻低,尺寸小,耐高溫等特點(diǎn),所以GaN功率器件適合高頻、高溫、高效率的應(yīng)用環(huán)境,能夠有效減小系統(tǒng)尺寸,提高功率密度,并最終降低系統(tǒng)成本。二、氮化鎵功率器件的應(yīng)用1.消費(fèi)類(lèi)電源的應(yīng)用目前,手機(jī)和電腦已成為生活的必需品,而配套電源充電器也隨之升級(jí)換代。在2018年11月6日,聯(lián)想發(fā)布了thinkplus口紅電源,標(biāo)準(zhǔn)功率輸出65W,兼容絕大多數(shù)Type-C供電的電腦和手機(jī)。在2019年9月17日,OPPO發(fā)布了一款標(biāo)配65W的GaN快充充電器。這也是第三代半導(dǎo)體GaN材料首次應(yīng)用于手機(jī)原裝快充充電器。在2020年的1月7日到1月10日的CES2020展會(huì)上,共有約30個(gè)廠商推出60多款GaN快充產(chǎn)品。接著,在2020年2月13日,小米也發(fā)布了65W的GaN快充充電器,兼容絕大多數(shù)Type-C供電的手機(jī)和電腦,將GaN充電器的應(yīng)用推向了新的高度。如表2為三款65W電源的尺寸和重量對(duì)比:聯(lián)想口紅電源的發(fā)布在當(dāng)時(shí)引起了轟動(dòng),因?yàn)?5W的功率輸出,卻足夠小的體積,將硅功率器件的密度發(fā)揮到了極致。隨后OPPO和小米65W的GaN充電器充分證明了GaN的價(jià)值。OPPO發(fā)布的GaN充電器是GaN開(kāi)始大批量應(yīng)用于手機(jī)充電器,雖然重量小了一些,但是在體積上偏大一倍,功率密度甚至還不如口紅電源。短短5個(gè)月時(shí)間,小米65W的GaN充電器開(kāi)始超越口紅電源,其體積和重量相比口紅電源都縮小30%以上,功率密度也提高了40%以上。相信隨著GaN功率器件的不斷發(fā)展,未來(lái)的電源充電器將更加小巧高效。2.電動(dòng)汽車(chē)的應(yīng)用電動(dòng)汽車(chē)內(nèi)部主要有充電機(jī)、雙向DC/DC變換器和車(chē)載DC/DC變換器三大電力結(jié)構(gòu)。為了增加續(xù)航和滿足汽車(chē)內(nèi)智能用電設(shè)備的增多,提升三大電路結(jié)構(gòu)的效率和功率密度一直是電動(dòng)汽車(chē)的重要發(fā)展目標(biāo)。GaN功率器件的高頻、低功耗、耐高溫等特點(diǎn)可以使電動(dòng)汽車(chē)提升效率,減小系統(tǒng)尺寸,提升續(xù)航。在產(chǎn)品供應(yīng)方面,Transphorm公司在2017年3月,就推出了市場(chǎng)上僅有的一款經(jīng)過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的650V車(chē)用GaN器件。到目前為止,已有Transphorm、Nexperia和EPC都推出了通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的車(chē)用GaN器件。在應(yīng)用方面,在2019年3月,以色列VisIC公司發(fā)布了最小車(chē)載充電機(jī)產(chǎn)品,該款充電機(jī)的功率密度是現(xiàn)有產(chǎn)品的3倍,充電效率達(dá)到了96%。在2019年10月,2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)得主之一、日本名古屋大學(xué)教授天野浩領(lǐng)導(dǎo)的研發(fā)團(tuán)隊(duì),利用GaN材料研發(fā)的逆變器,已首次成功應(yīng)用在電動(dòng)汽車(chē)上,并有望讓電動(dòng)汽車(chē)節(jié)能20%以上。國(guó)內(nèi)方面,在文獻(xiàn)【2】中,使用GaN器件的車(chē)載DC-DC變換器與北汽新能源硅器件的車(chē)載DC-DC變換器相比,在效率相當(dāng)?shù)那闆r下,功率密度提高了51.8%。綜合以上情況,預(yù)計(jì)很快就會(huì)有使用GaN功率器件的電動(dòng)汽車(chē)陸續(xù)上市。三、氮化鎵功率器件的發(fā)展我國(guó)在2013年的“863計(jì)劃”,2015年的《中國(guó)制造2025》,和2016年的《“十三五”國(guó)家科技創(chuàng)新規(guī)劃》中,都明確了大力發(fā)展GaN功率器件的方向。在生產(chǎn)制造方面,通過(guò)文獻(xiàn)【3】了解到,GaN功率器件的整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈依次是襯底、外延、設(shè)計(jì)和模塊制造?,F(xiàn)階段我國(guó)在各個(gè)環(huán)節(jié)都具有代表企業(yè)。GaN襯底的企業(yè)有蘇州納維和東莞中鎵。GaN外延的企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、江蘇能華、華功半導(dǎo)體、英諾賽科和大連芯冠。GaN設(shè)計(jì)的企業(yè)有安譜隆半導(dǎo)體、海思和中興微電子。GaN模塊制造的企業(yè)有三安集成和海威華芯。在應(yīng)用方面,GaN功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,可應(yīng)用于人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)中心、新能源汽車(chē)充電樁等“新基建”領(lǐng)域。相信依托于國(guó)家政策,GaN功率器件將得到快速發(fā)展,應(yīng)用GaN功率器件的產(chǎn)品將會(huì)大量上市,引領(lǐng)新的變革。參考文獻(xiàn):[1]崔梅婷.GaN器件的特性及應(yīng)用研究[D].北京交通大學(xué).201

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