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超材料吸波器基本理論基礎(chǔ)綜述目錄TOC\o"1-3"\h\u16221超材料吸波器基本理論基礎(chǔ)綜述 1265171.1電磁超材料的提出 146241.2電磁波在超材料中的傳播 2266631.3等效媒質(zhì)模型 2267491.4等效媒質(zhì)理論 356571.5傳輸線理論 477031.6多次反射干涉理論 5157701.7超材料吸波器的損耗特性 6150561.8超材料吸波器的計(jì)算 7269761.9評(píng)價(jià)吸波性能的指標(biāo) 81.1電磁超材料的提出超材料結(jié)構(gòu)是一種人工合成的亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu),能夠?qū)崿F(xiàn)產(chǎn)生許多自然界物質(zhì)所不能產(chǎn)生的超常物理性質(zhì),但是自然物質(zhì)的介電常數(shù)ε和磁導(dǎo)率μ普遍為正數(shù),自然界中不能產(chǎn)生雙負(fù)材料。圖1.1.1自然界介質(zhì)的分類(lèi)其中介電常數(shù)ε或者磁導(dǎo)率μ實(shí)部為負(fù)數(shù)的材料稱(chēng)為單負(fù)材料(Single-NegativeMaterial,SNG);介電常數(shù)ε和磁導(dǎo)率μ實(shí)部為負(fù)數(shù)的材料稱(chēng)為雙負(fù)材料(Double-NegativeMaterial,DNG);介電常數(shù)ε和磁導(dǎo)率μ的實(shí)部均為零稱(chēng)為零折射率材料(EpsilonorMuZeroMaterial)[3]。1.2電磁波在超材料中的傳播在各向同性的線性均勻媒質(zhì)中電場(chǎng)E和磁場(chǎng)H滿足的麥克斯韋方程組的微分形式為:????電荷密度和電流密度均為零,即J=0,ρ=0。k2=ω當(dāng)μ,ε全為大于零時(shí),電場(chǎng)強(qiáng)度E,磁場(chǎng)強(qiáng)度H和波矢量k呈右手螺旋關(guān)系;當(dāng)μ,ε全小于零時(shí),電場(chǎng)強(qiáng)度E,磁場(chǎng)強(qiáng)度H和波矢量k呈左手螺旋關(guān)系,所以這樣的材料為左手材料。圖1.3.1右手螺旋關(guān)系示意圖和左手螺旋關(guān)系示意圖1.3等效媒質(zhì)模型Bruggeman公式解釋了超材料的等效介電常數(shù)的原理,并且定量的給出了計(jì)算等效介電常數(shù)的方法。1?f公式中的ε1和ε2分別為介質(zhì)層和基板層的介電常數(shù),f為介質(zhì)相所占的體積比,εv為經(jīng)驗(yàn)常數(shù),不同的v值描述不同種異質(zhì)材料的介電常數(shù)。εε對(duì)于周期諧振結(jié)構(gòu)金屬環(huán)和開(kāi)口金屬環(huán),得到的等效介電常數(shù)如下式所示:ε其中ωp=2πc01.4等效媒質(zhì)理論在互易性電磁超材料結(jié)構(gòu)中,其參數(shù)S滿足S11FT=圖1.1.3電磁超材料的S參數(shù)示意圖得到了電磁超材料的S參數(shù):SS可以利用散射參數(shù)反推出折射率n、阻抗z和散射參數(shù)S的相互關(guān)系為:n=z=±由于電磁超材料是無(wú)源惰性材料,所以其阻抗實(shí)部和折射率的虛部均不小于0,即:Re再由折射率和阻抗可以得出電磁超材料的等效介電常數(shù)εeff和磁導(dǎo)率με由于實(shí)際材料不可避免的S211.5傳輸線理論溫期業(yè)等人提出了將超材料吸波器等效為傳輸線結(jié)構(gòu),并且做出了兩個(gè)假設(shè):①單獨(dú)仿真上下兩層金屬層,將兩層金屬片之間的電感耦合和電容耦合忽略不計(jì);②入射電磁波為垂直入射進(jìn)入超材料表面。通過(guò)這樣的方法可以解釋超材料吸波器的吸波性能變化。圖1.6.1三層結(jié)構(gòu)等效傳輸線模型Zi和Z0是傳輸線系統(tǒng)的輸入阻抗和輸出阻抗。其中R1、L1、C1與RAAA可以得到超材料吸波器的傳輸矩陣為:A=cos1.6多次反射干涉理論通過(guò)分析電磁波在超材料內(nèi)部的傳播情況,得到超材料吸波器的吸波性能情況,探究出內(nèi)部金屬層間的相互作用,解決大角度入射的問(wèn)題。圖1.7.1吸波器的干涉模型自由空間與超表面分界面1上,一部分電磁波發(fā)生了反射S11ejθ11S其中S11、S22與S21k=d=β=kd=當(dāng)介質(zhì)基板為FR4時(shí)上式為:β=當(dāng)滿足假設(shè)電磁波垂直入射時(shí):β=實(shí)際情況下吸波器為底層金屬接地板為連續(xù)金屬薄膜:S要讓吸波器實(shí)現(xiàn)高吸收率,那么S11totalSφ1.7超材料吸波器的損耗特性當(dāng)電磁波進(jìn)入到超材料吸波器內(nèi)部之后,還需要通過(guò)電損耗和磁損耗將電磁能消耗掉。吸波器內(nèi)的無(wú)源Maxwell方程組為??可以得到?設(shè)z方向的電磁波為Eγ=α+jβ=jω可以得到電磁波的衰減量αα=其中ω為入射電磁波的角頻率,ε'ε''和μ'μ''分別為介質(zhì)的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的實(shí)部和虛部,ε''與μ''1.8超材料吸波器的計(jì)算電磁波通過(guò)超材料的諧振作用,進(jìn)入超表面時(shí)一部分電磁波發(fā)生了反射,剩下的電磁波透射進(jìn)入到介質(zhì)層中。由于超材料結(jié)構(gòu)是較大表面,周期結(jié)構(gòu),導(dǎo)致其反射很小。根據(jù)能量守恒原理,入射的電磁波能量等于反射回自由空間的能量加上透射出介質(zhì)層的能量和消耗在損耗層中的能量,其中反射率用R(ω)表示、透射率用T(ω)表示,則吸波器的吸收率為A(ω)可以表示為:A定義電磁波從端口1進(jìn)入,從端口2出射,則。反射率用R(ω),透射率用T(ω)分別可以表示為:RT可以得到吸波率為:A對(duì)于厚度為d的材料,S21所得到的值取決于材料的復(fù)折射率和復(fù)阻抗,若負(fù)折射率為n=n1S當(dāng)自由空間的波阻抗與吸波器的復(fù)阻抗相互匹配時(shí),Z=1時(shí)可以得到:STlimR當(dāng)吸波器實(shí)現(xiàn)了與自由空間的阻抗匹配和折射率虛部無(wú)限大時(shí),其吸收率達(dá)到最大,即Aω為提高超材料吸波器的吸波性能,必須滿足兩個(gè)條件,第一,吸波器與自由空間的波阻抗匹配,使得入射電磁波能更多的透射進(jìn)入到吸波器內(nèi)部,而不是在分界面上被反射掉;第二,通過(guò)高阻碳漿、電阻膜等方式增加吸波器的歐姆損耗,或者選用介電常數(shù)和磁導(dǎo)率較大的材料。1.9評(píng)價(jià)吸波性能的指標(biāo)(1)峰值吸波率:在所設(shè)計(jì)的頻段內(nèi),諧振頻率所能達(dá)到的最大值;(2)半峰全寬(FWHM):吸波性能曲線中,達(dá)到吸波率最大值一半所對(duì)應(yīng)的兩個(gè)點(diǎn)的差值代表的吸波帶寬
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