第一章外延思考題

1.外延是______________________________________________________________________

2.名詞解釋：

同質(zhì)結(jié)外延，異質(zhì)結(jié)外延正外延，反外延SOS,SOI結(jié)構(gòu)軟誤差，

3.埋層外延中的圖形漂移與滑移原因及解決辦法。

4.分析外延中的自摻雜效應，討論解決辦法。

5.分析外延中的可能產(chǎn)生的幾種缺陷，討論解決辦法。

6.總結(jié)影響外延生長速率的幾種因素，如何提高外延層質(zhì)量。

7.根據(jù)兩種硅氣相外延的原理，比較兩種硅氣相外延的特點。

8.外延技術在雙極及MOS電路的主要用途

第二章氧化工藝

10001.根據(jù)硅和二氧化硅的密度和分子量，說明生長厚度為xo的氧化層，計算要消耗厚度為一

X。的硅層，二氧化硅的密度用2.27g/cnR硅的密度用2.33g/cn】3,硅的原子量為28,氧的原子量為

16。

選擇題

10002.氧化層厚度和氧化時間的關系式為x0="：廣匯11,詩化簡，當氧化時間很短

2IVA2/4BJ

時，即“+r)?K/4『,則Xo=

A.—(z+r)B.18(f+7)C.—(z+r)D.2^B(f+r)

10004.氧化層厚度和氧化時間的關系式為+當氧化時間很短時，即

2HA2/48)

(z+r)?A2/4B,它屬于()

A.表面反應控制B.擴散控制

10006在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個需要

的時間最長？()

A.干氧B.濕氧C.水汽氧化

10008.二氧化硅膜能有效的對擴散雜質(zhì)起掩蔽作用的基本條件有哪些______

1.雜質(zhì)在硅中的擴散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴散系數(shù)

2.雜質(zhì)在硅中的擴散系數(shù)小于在二氧化硅中的擴散系數(shù)

3.二氧化硅的厚度大于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴散深度

4.二氧化硅的厚度小于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴散深度

A.2,4B.1,3C.1,4D.2,3

10010.半導體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于()

A.結(jié)晶形二氧化硅B.無定形二氧化硅

10011.二氧化硅薄膜在半導體器件生產(chǎn)上的應用有：()

1.對雜質(zhì)的掩蔽作用

2.對器件表面的保護和鈍化作用

3.用于器件的電絕緣和電隔離

4.作為電容器的介質(zhì)材料

5.作為MOS場效應晶體管的絕緣棚材料

A.1,2B.1,2,3C.12,4,5D.1,2,345

10012.擴散系數(shù)與下列哪些因素一定成增函數(shù)關系（）

1雜質(zhì)的濃度梯度2溫度

3擴散過程的激活能4雜質(zhì)的遷移率A.L2B.2.3C.2,4D.1,4

10013.硅平面制造工藝的硼、磷擴散都屬于A.代位式擴散B.間隙式擴散

填空題：

20001.在硅■二氧化硅系統(tǒng)中存在______電荷、可動電荷、界面態(tài)電荷和氧,化層陷阱電荷。

20006.溫度是影響氧化速率的一個重要因素，溫度越高，氧化速率越_____（大〃J、）。

20008.在一定的氧化條件下，通過改變氧化劑分壓可以改變氧化層生長速率，氧化劑分壓越一

（大/?。?，生長速率越慢。

20016.清洗硅片所用的化學試劑、去離子水和生產(chǎn)工具、操作者的汗液及呼出的氣體等是氧化層

中的一離子的來源。

20017.在用干涉法測量氧化層厚度時，光的波長為5400人暗條紋數(shù)為6條，則氧化層厚度為

30001.某MOS管在1100℃下，用干氧制備柵氧化膜，時間為30min,A=0.09/m,B=4.5X

10““"2/mE"=4.56min,計算所生成的柵氧化層厚度_______“力（保留兩位有效數(shù)字）

30002.氧化溫度為1200℃,要求氧化層厚度為500nm，試求濕氧（水溫95℃）需要min（只保留

整數(shù)），已知A=0.05pm,B=1.2X102/zrz72/min,r=0o

30003.氧化溫度為1200℃,要求氧化層厚度為500nm,試求干氧需要—min（只保留整數(shù)），己知

干氧A=0.04jLon,B=7.5X104/#772/min,r=1.62miiio

30004.氧化溫度為1200C,要求氧化層厚度為500nm，試求水汽氧化需要—min（只保留整數(shù)），

已知干氧A=0.017pon,B=1.457Xr=0o

30005.氧化溫度為1100℃,先干氧lOmin,再濕氯40min（T.95℃）,再干氟lOmin.求總的氧化層

厚度—即。（答案保留兩位有效數(shù)字）

42

己知：干氧A=0.09B=4.5X10/zr77/min,c=4.56min3

22

濕氧A=0.11/.on,B=0.85XIO/ZF/?/min,r=0mino

30006.已知3DK.i開關管硼預淀積的溫度為950C,淀積時間共11分鐘;硼再分布溫度為1180℃,

時間共40分鐘。在擴散過程中，對硼起掩蔽作用所需最小SiO?層厚度為（）Ao（只保留整數(shù)）

（預淀積擴散系數(shù)為1017厘米2/秒,H80℃下,擴散系數(shù)為4X1045厘米2/秒）

30007.3DL開關管，基區(qū)硼擴散溫度為1180C,（硼的擴散系數(shù)為4XIO】、厘米?/秒），時間為40

分鐘，發(fā)射區(qū)磷擴散溫度為I050C（硼的擴散系數(shù)為3X10/6厘米2/秒），

時間為25分鐘，因此，在基區(qū)硼擴散和發(fā)射區(qū)磷擴散過程中，對硼起掩蔽作用的最小SiO2層厚

度為（）區(qū)。（只保留整數(shù)）

30009.某雙極型晶體管制備SiCh膜時，先在1000C下濕氧（T水=95C）氧化60min,后來乂在

1200°C用濕氧（T產(chǎn)95℃）氧化60min,求出兩次氧化后所生成的氧化層總厚度（）入。（只保留

整數(shù)）。己知：

1OOO'C濕氧A=0.226"77,B=0.48X102jjm2/min。r=0

1200℃濕氧A=0.050"〃,B=1.2X10，〃〃2/min。r=0

30010.某?硅片上面已覆蓋有0.2厚的SiCh層，現(xiàn)需要在1200C下用干氧氧化法再生長

0.1厚的氧化層，問干氧氧化的時間是（）min.已知：

干氧A=0.04〃〃,B=7.5X10u/#772/min,r=l.62min＜）

第三章擴散工藝

10012.擴散系數(shù)與下列哪些因素一定成增函數(shù)關系（）:1雜質(zhì)的濃度梯度2溫度3

擴散過程的激活能4雜質(zhì)的遷移率.

A.1,2B.2,3C.2,4D.1,4

10013.硅平面制造工藝的硼、磷擴散都屬于

A.代位式擴散B.間隙式擴散

10014.下面哪個方程是擴散方程（）j=-D7NB.j=D?NN

//（x,i）籽N（x,R

C?-----------=-D-------------------=D------；---

次為2次&2

10015.以F過程不屬于恒定表面源擴散的有（工隱埋擴散B.隔離擴散的硼預淀積C.基

區(qū)擴散的硼預淀積D.基區(qū)主擴散

10016.下面選項屬于預擴散狗作用有（）。

A.調(diào)節(jié)表面濃度B.控制進入硅表面內(nèi)部的雜質(zhì)總量C.控制結(jié)深

10017.下面選項屬于主擴散的作用有（）。

I.調(diào)節(jié)表面濃度2.控制進入硅表面內(nèi)部的雜質(zhì)總量3.控制結(jié)深

A.1D.2C.3D,1,3

10（）18.以下說法錯誤的是：（）

A.擴散是微觀粒子的一種熱運動方式，運動結(jié)果使?jié)舛确植稼呌诰鶆颉?/p>

B.間隙式雜質(zhì)從一個間隙到相鄰位置的運動稱為間隙式擴散。

C.以間隙形式存在于硅中的雜質(zhì)，主要是那些半徑較小的雜質(zhì)原子。皆位式擴散就是替位雜質(zhì)和近鄰晶格位

置上的原子互換。

1（）019.下面哪個條件不屬于恒定表面源擴散（）

A.N（0,t）=Ns=Q

C.N（8j）=0D.N（xfi）=0,x>0

10020.預擴散是在較—溫度下（與主擴散相比），采用—擴散方式，在硅片表面擴散一層數(shù)

量一定，按形式分布的雜質(zhì)。（）

A.高、恒定表面源、余誤差函數(shù)B.高、有限表面源、高斯函數(shù)

C.低、恒定表面源、余誤差函數(shù)D.高、有限表面源、余誤差函數(shù)

10021.下面對擴散層薄層電阻的說法錯誤的是（）

A.薄層電阻就是表面為正方形、厚度為Xj的半導體薄層在電流方向所呈現(xiàn)的電阻

B.Rs=p/3,夕就是擴散表面雜質(zhì)的電阻率。

C.擴散層薄層電阻反映了擴散到半導體內(nèi)部的雜質(zhì)總量。

D.擴散層薄層電阻Rs僅與擴散層厚度和平均電阻率有關。

10022.以下說法錯誤的是（）

A.采用恒定表面源擴散可以比較準確地控制擴入硅片表面的雜質(zhì)總量和獲得高的表面濃度。

B.采用恒定表面源擴散可以獲得任意控制的表面濃度。

C.有限表面源擴散的雜質(zhì)分布為

QX1

N（x,t）=,——exp（---------），在擴散過程中Q為常量。

y//iDi4Di

D.有限表面源擴散，當溫度保持恒定，隨著擴散時間的增加，雜質(zhì)擴散深度增大，表面雜質(zhì)濃度不斷卜.降。

10023.結(jié)深表達式可統(tǒng)一寫成：Xj=A歷，對于恒定表面源擴散，A=（）

（%，哨

10024.結(jié)深表達式可統(tǒng)一寫成：Xj=AyfDt,

對于有限表面源擴散，A=（）A.2erfcl（Ny^B.2（ln組）

10025.如果用腳碼“1”表示預擴散有關參數(shù)，用腳碼“2”表示主擴散有關參數(shù)，則當Dg?D2t2

時，雜質(zhì)分布為：（）

A.高斯分布B.余誤差分布C.Smith分布

10026.如果用腳碼“1”表示預擴散有關參數(shù)，用腳碼“2”表示主擴散有關參數(shù)，則當DMVVD2I2

時，雜質(zhì)分布為：（）

A.高斯分布B.余誤差分布C.Smilh分布

填空題：

2（X）18.擴散只用于淺結(jié)擴散（對/錯）

20019.擴散法與合金法相比，它重復性好，均勻性好，適合大量、成批的連續(xù)生產(chǎn)—（對/

錯）。

20020.擴散多在_（高/低）溫下進行.

20021.雜質(zhì)原子（或離子）在半導體晶片中的擴散機構(gòu)比較復雜，但主要可分為兩種機構(gòu):

式擴散和間隙式擴散。

20022.雜質(zhì)原子（或離子）在半導體晶片中的擴散機構(gòu)比較復雜，但主要可分為兩種機構(gòu):代位

式擴散和式擴散。

20023.恒定表面源擴散的雜質(zhì)分布服從分布。

2024.有限表面源擴散的雜質(zhì)分布服從分布。

20025.恒定表面源擴散表面濃度Ns的值主要與不同雜質(zhì)在硅內(nèi)的—有關

2026.占據(jù)晶格間隙的雜質(zhì)稱為—式雜質(zhì)。

2027.占據(jù)晶格位置的外來原子稱為式雜質(zhì)。

X

20028.恒定表面源擴散的雜質(zhì)分布為N（x,i）=Ns?/%（1=），其中Ns近似為擴散雜質(zhì)在擴

2折

散溫度卜的固溶度，因此可以通過改變溫度來達到控制硅片表面濃度Ns的目的。這種說法

（對/錯）。

20029.結(jié)深的測量方法有法、磨槽法、光干涉法

20030.結(jié)深的測量方法有磨角法、一法、光干涉法。

20031.結(jié)深的測量方法有磨角法、磨槽法、法。

計算題

30006.已知3D&開關管硼預淀積的溫度為950C,淀積時間共11分鐘;硼再分布溫度為1180℃,

時間共40分鐘。在擴散過程中，對硼起掩蔽作用所需最小SiOz層厚度為（）Ao（只保留整數(shù)）

（預淀積擴散系數(shù)為102厘米2/秒，1180℃下，擴散系數(shù)為4X10/5厘米2/秒）

30007.某npn硅晶體管在1200C下進行基區(qū)氧化，氧化過程為:15min干氧+45min濕氧

（TH20=95℃）+I5min干氧，求所生成的SiCh層厚度1）A.（只保留整數(shù)）（己知：干氧

A=0.04/#n,B=7.5XIO_4r=1.62min。濕氧A=O.O5pun,B=1.2X10'2/#M2/min.）

3OOO8.某npn硅晶體管在1200C下進行基區(qū)氧化，氧化過程為：

15min干氧+45min濕氧（TH2O=95℃）+15min干氯，求所生成的SiO2層厚度（）人。（只保留整

數(shù)）（已知:干氧A=0.04fj）n,B=7.5X1042/min,r=1.62min.濕氧A=0.05刖,B=I.2X

102/#772/min.）

30009.某雙極型晶體管制備SiCh膜時，先在1000℃下濕氧（T水=95℃）氧化60min,后來又在

1200℃用濕氧（T水=95℃）氧化60min.求出兩次氧化后所生成的氧化層總厚度（）區(qū)。（只保留

整數(shù)）,已知：lOOOr濕氧A=0.226jinn,R=0.48XI02/z^??2/min?r=0,1200℃濕氧

A=0.050X#7?.B=1.2XIO。r=0,

30010.某一硅片上面己覆蓋有0.2〃m厚的SiCh層，現(xiàn)需要在1200C下用干氧氧化法再生長

0.1厚的氧化層，問干氧氧化的時間是（）min.已知：干氧A=0.04"〃.B=7.5X1（尸4〃=min,

r=1,62mirio

30011.已知N-Si襯底NE=10，m-3,在1150℃作硼再分布擴散后測得Xj=2.5um,Ns=2X

10l9cnr3,D=6X1013cm2/s由NS/NB求得A=6.3,求擴散時間l=min.（只保留整數(shù)部分）

30012.已知N-Si襯底NB=10%II-3,硼預擴散溫度為ioooC,D=2X10“4cm2?,時間為20而小Ns=4

XIO2Ocm-3,由NS/NB求得A=65求通過單位表面積擴散到硅片內(nèi)部得雜質(zhì)總量Q=X

1O'匕］了.（答案保留二位有效數(shù)字）

30013.已知N-Si襯底NB=10i5cm"硼預擴散溫度為1000℃,D=2X10l4cm2/s,時間為20min,Ns=4

X10205-3,由NS/NB求得A=6.5,求結(jié)深為Um（答案保留兩位有效數(shù)字）

30014.某數(shù)字集成電路的埋層采用睇源箱法擴散，擴散溫度為1200℃,擴散時間為2小時，試

求n+埋層的厚度為umo已知Ns=6.4X1019cmVNB=2X1015cm，，D=3X

1O/3cm2/s,erfc-i（3.125X10-5）=2.9.

30015.某數(shù)字集成電路的埋層采用睇源箱法擴散，擴散溫度為I200C,擴散時間為1.5小時，試

求n+埋層的平均雜質(zhì)濃度______X10,9cnr\（答案保留三位有效數(shù)字）已知Ns=6.4X

1019cm3,NB=2X1015cm3,D=3X10lW/s,erfcl（3.125Xl（P）=2.9.

30016.某硅晶體管基區(qū)硼預癥積的溫度為950C,襯底NB=2X|015cm7要求預淀積后依力塊電

阻為80。/口，試確定預淀積所需要的時間為min.（答案只保留整數(shù)）已知了=660（Q-cm）

Ns=4X1020cnr3,erfc-'（2.5X105）=2.95,D=5X10l5cnr/s.

30017.某集成電路采用的n型外延層襯底濃度為NB=2X|（）i6cm-3,晶體管基區(qū)硼預淀積的溫度為

950℃,時間為10min,Nsi=4XlO^cm^DQXN%m2/s,erfc?5X10*=2.89,再分布的溫度為

1180r,D2=lX10%m2/s.試求再分布后的結(jié)深為____口川。（答案保留三位有效數(shù)字）

30018.某集成電路采用的n型外延層襯底濃度為NB=2X10/m-3,晶體管基區(qū)硼預淀積的溫度為

20152

950℃,時間為10min,NSi=4X10cm\Di=5X10'cm/s,erfc?5X10可=2.89,再分布的溫度為

1180℃,D2=1X1O42cm2/s.試求再分布后的表面濃度為____X10l8cnf\（保留三位有效數(shù)字）

30019.己知N-Si襯底NE=2X10%［江3,在1150℃作硼再分布擴散后測得Xj=2.5um,Ns=3X

10l9cnr3,D=6X10/33宿限求擴散時間t=min.（只保留整數(shù)部分）

第四章離子注入工藝

10045.離子注入摻雜純度高，是因為（）.

,A.雜質(zhì)源的純度高B.注入離子是通過質(zhì)最分析器選出來的

10046.離子注入與熱擴散相比，哪個要求溫度低（）

A.離子注入B.熱擴散

10047.離子注入與熱擴散相比,哪個摻雜純度高（）

A.離子注入B.熱擴散

KXJ48.離子注入與熱擴散相比,哪個高濃度摻雜不受

固溶度限制（）

A.離子注入B.熱擴散

10049.離子注入與熱擴散相比,哪個摻雜均勻性好()

A.離子注入B.熱擴散

10050.離子注入與熱擴散相比,哪個可精確控制

摻雜濃度，分布和注入深度（）

A.A.離子注入B.熱擴散

10051.離子注入與熱擴散相比,哪個橫向效應?。?

A.離子注入B.熱擴散

10052.離子注入與熱擴散相比,哪個只用于淺結(jié)（)

A.離子注入B.熱擴散

10054.減弱或消除溝道現(xiàn)象的措施有：（）

1.提高樣品溫度2.降低樣品溫度

3.增大注入劑量4.減小注入劑量

A.1,2B.1,3C.2,3D.2,4

10055.減弱或消除溝道現(xiàn)象的措施有：（）

I.入射方向偏離溝道軸向2.入射方向平行溝道軸向

3.樣品表面淀積一層二氧化硅4.樣品表面淀積一層氮億硅

A.1,3B.2,3C.1,3,4D.2,3,4

10056.離子注入所造成的品格損傷會直接影響半導體材料

和器件的特性，主要影響有（）

1.載流子遷移率上升2.載沆子遷移率下降

3.少子壽命下降4.少子壽命上升

A.l,3B.1,4C.2,3D.2,4

10057.離子注入所造成的晶格損傷會直接影響半導體材料

和器件的特性，主要影響有（）

1.PN結(jié)反向漏電流增大2.載流子遷移率下降

3.少子壽命下降4.雜質(zhì)原子大多處于間隙位置不能提供導電性能

A.2,3B,1,2,4C.2,3,4D.1,2,3,4

20039.離子注入時，消除溝道現(xiàn)象的措施有：

注入角—（大于/小于）臨界角（8度左右）。

20040.入射離子的兩種能量根失模型為：碰撞和電子碰撞。

20041.入射離子的兩種能量損失模型為：核碰撞和碰撞。

20042.進入靶內(nèi)的離子，通過____把能量傳遞給靶原子核及其電子，不斷的損失能量，最后停

止在靶內(nèi)某一位置。

30020.已知n型硅外延層的電阻率為0.5Q?cm,現(xiàn)用硼離子注入法形成基區(qū)，其能量為60kev,

若注入劑量為1XlOi'cmU試求注入的峰值濃度為XIOl9cm-3,已知Rp=233.7nm,A

Rp=75.2nm（答案保留兩位有效數(shù)字）

30021.已知n型硅外延層的電阻率為0.5Q-cm,現(xiàn)用硼離子注入法形成基區(qū)，其能量為4（）kev,

若注入劑量為2X10/m-2,試求注入的峰值濃度為X102°cnr3己知Rp=156.6nm,

ARp=58.0nm（答案保留三位有效數(shù)字）

30022.己知n型硅外延層的電阻率為0.5。?cm,現(xiàn)用硼離子注入法形成基區(qū)，其能量為80kev,

若注入劑量為1.5XlO/m-T式求注入的峰值濃度為X1019cm4已知Rp=308.1nm,

ARp=88.9nm（答案保留三位有效數(shù)字）

30023.已知n型硅外延層的電阻率為0.5Q-cm,現(xiàn)用硼離子注入法形成基區(qū)，其能量為80kev,

若注入劑量為1.5X10/1］產(chǎn),：式求結(jié)深為X105cm.已知Rp=3O8.1nm,

163

ARp=88.9nm,NB=10cm-（答案保留三位有效數(shù)字）

30024.已知n型硅外延層的電阻率為0.5Q.cm,現(xiàn)用硼離子注入法形成基區(qū)，其能量為40kev,

若注入劑量為2X1015cm-2,試求結(jié)深為X105cm.已知Rp=156.6nm,

ARp=58.0nm,Ni）=1016cm-3（答案保留兩位有效數(shù)字）

30025.已知n型硅外延層的電阻率為0.5。?cm,現(xiàn)用硼離子注入法形成基區(qū)，其能量為60kev,

若注入劑量為1X1015cm工,試求結(jié)深為X10-5cm.已知Rp=233.7nm,

l63

ARp=75.2nm,NB=10cm-（答案保留三位有效數(shù)字）

30026.已知n型硅外延層的電阻率為0.5。?cm,現(xiàn)用硼離子注入法形成基區(qū)，其能量為60kev,

若注入劑量為1X1015cm-2,試求注入離子的平均濃度為x1019cm-3已知Rp=233.7nm,

163

ARp=75.2nm,NB=I0cm-（答案保留三位有效數(shù)字）

30027.已知n型硅外延層的電阻率為0.5Q-cm,現(xiàn)用硼離子注入法形成基區(qū)，其能量為40kev,

若注入劑量為2X1015cm々試求注入離子的平均濃度為x1019cm?已知Rp=l56.6nm,

ARp=58.0nm,NB=1（答案保留兩位有效數(shù)字）

30028.已知n型硅外延層的電阻率為0.5Q-cm,現(xiàn)用硼離子注入法形成基區(qū)，其能量為80kev,

若注入劑量為1.5X試求注入離子的平均濃度為X10l9cm'3已知Rp=308.1nm,A

Rp=88.9nm,NB=10Wm-3（答案保留三位有效數(shù)字）

第五章CVD（化學氣相淀積）

10028.化學氣相淀積SiO2與熱生長SiO2相比較，

下面哪些說法是正確的：（）

1.CVDSiO2,襯底硅不參加反應。2.CVDSiCh,襯底硅參加反應。3.CVDSiO2,溫度高。4.CVD

SiCh，溫度低。

A.1,3B.1,4C.2,4D.2,3

10030.化學氣相淀枳SiO2與熱生長SiCh相比較，

下面哪些說法是正確的：（）

1.熱生長SiO?只能在Si襯底上生長。2.CVDSiCh可以淀積在硅襯底上，也可以淀積在金屬、陶

瓷、及其它半導體材料上，3.CVDS1O2，襯底硅不參加反應。4.CVDSiO2,溫度低。

A.1,2B.2,4C.1,4D.1,2,4E.1,2,3,4

10（）3LSiN4薄膜在集成電路中的應用主要有：A.鈍化膜B.選擇氧化C.電容介質(zhì)

由于氮化硅氧化速率極低，因此被用作（）的掩蔽膜。

l（）032.SiN4薄膜在集成電路中的應用主要有：A.鈍化膜B.選擇氧化C.電容介質(zhì)

由于水和鈉離子在氮化硅膜中擴散系數(shù)很小，所以常被用作（）

10033.SiNj薄膜在集成電路中的應用主要有：A.鈍化膜B.選擇氧化C.電容介質(zhì)

由于氮化硅膜介電常數(shù)大，所以被用作（）

10034.LPCVD淀積過程中主要控制參數(shù)有：（）

1.壓力2.溫度3.溫度梯度4.反應氣體濃度5.反應氣體比例

A.1、2B.1、2、4C.2、3、4D.1、2、3、4、5

10035.以下反應方程式不屬于LPCVD淀積Si3N4的是：（）

A.3SiH4+4NH3<——>5174+12%B.3SiH2C12+4NH3<——>Si3N4+6HCl+6H2

C.3SiCl4+4NH^——>Si3N4+12HClD.3SiH4+2N2<——>S13N4+6H2

10036.LPCVD淀積多晶硅常用溫度為60（）-650℃,采用熱分解法，反應方程式為：（）

A.SiCl.!------->Si+2ChB.SiH4------->Si+2H2

C.Si3N4?3Si+2N2D.SiH2cbSi+Cl2+H2

1OO37.LPCVD淀積過程中氣相淀積，P型常用（)A.PH3B.ASH3C.B2H6

10038.LPCVD與APCVD相比,哪個均勻性好（)A.LPCVDB.APCVD

10039.LPCVD與APCVD相比,哪個投片量大（)A.LPCVDB.APCVD

10040.LPCVD與APCVD相比,哪個成本低（）A.LPCVDB.APCVD

10041.LPCVD與APCVD相比,哪個溫度低（）A.LPCVDB.APCVD

10042.PECVD淀積氮化硅反應方程式為：（）

1.SiH4+NH3------>SiNH+3H22.3SiH4+4NH3<——>Si3N4+12H2

3.3SiH4+2N2------?S13N4+6H24.SiH4+N<——>2SiNH+3H2

A.2,3B.1C.1,4D2

10043.PECVD淀積氮化硅薄謨的性質(zhì)與具體條件關系

密切，許多參量都會影響其性質(zhì)，如：（）1.工作頻率2.功率3.壓力4.溫度

A.3,4B.2,3,4C1,3,4D.1,2,3,4

10044.PECVD淀積氮化硅薄膜的性質(zhì)與具體條件關系密切，許多參量都會影響其性質(zhì)，如：（）

I.反應氣體壓力2.反應器幾何形狀3.電極空間4.電極材料5.抽速

A.1,2D.2,3,4C1,2,3,4D.1,2,3,4,5

填空題

20032.在LPCVD中，由于上G?ks,即質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)遠大于表面反應速率常數(shù)，所以，LPCVD系

統(tǒng)中，淀積過程主要是質(zhì)量轉(zhuǎn)移控制（對/錯）

20033.在LPCVD中，由于k?ks,即質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)遠大于表面反應速率常數(shù)，所以，LPCVD系

統(tǒng)中，淀積過程主要是表面反應速率控制（對/錯）

20034.LPCVD淀積多晶硅，其摻雜方法有三種：CVD法、法和離子注入法。

2OO35.LPCVD淀積多晶硅，其摻雜方法有三種：CVD法、擴散法和法。

20036.氣相摻雜將影響多晶齡的淀積速率，如與不摻雜多晶硅相比，摻As約減少7倍，摻P約

減少2.5倍，摻B提面2倍，原因是這些雜質(zhì)在表面的吸附，起著抑制或促進SiH4分解反應的作

用。這句話（正確/錯誤）

20037.LPCVD淀積Si6采用正硅酸乙酯［Si（OC2H5）4,（TEOS）］,熱分解法,用6作稀釋氣

體，并通入一定量的N?,反應式為：

Si（OC2H5）4+1202-SiO2|+10H2O+8CO2|

這句話（正確/錯誤）

20038.LPCVDSig的淀積溫度為800-850℃,溫度偏高，不適用于多層布線的絕緣介質(zhì)膜及金屬

化后的表面鈍化膜可用CVD淀積SiN.i作絕緣介質(zhì)膜和鈍化膜。

第六章光亥人?第七章刻蝕

10061.不論正膠或負膠，光刻過程中都包括如下步驟：1.刻蝕2.前烘3.顯影4.去

膠5.涂膠6.曝光7.堅膜.以下選項排列正確的是：（）

A.2561437B.5263471C.5263741D.5263714

10062.以下關于正膠的說法錯誤的是（）

A.分辨率高B.抗干法腐蝕能力和抗熱處理能力強

B.粘附性好D.