鐵道機(jī)車(chē)專(zhuān)業(yè)教學(xué)資源庫(kù)武漢鐵路職業(yè)技術(shù)學(xué)院主講：高紅巖《基礎(chǔ)技能訓(xùn)練》課程武漢鐵路職業(yè)技術(shù)學(xué)院高紅巖電子基礎(chǔ)技能訓(xùn)練目錄CONTENTS03常用工具的使用02常用電子元器件04放大電路的應(yīng)用05門(mén)電路的應(yīng)用06555定時(shí)器的應(yīng)用07計(jì)數(shù)器的應(yīng)用08寄存器的應(yīng)用09譯碼器的應(yīng)用01電子基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體PN結(jié)一、本征半導(dǎo)體二、雜質(zhì)半導(dǎo)體三、半導(dǎo)體PN結(jié)及單向?qū)щ娦园雽?dǎo)體PN結(jié)

1）受外界光照時(shí)電導(dǎo)率發(fā)生很大變化——光敏性；

2）受外界熱刺激時(shí)電導(dǎo)率發(fā)生很大變化——熱敏性；

3）摻進(jìn)微量雜質(zhì)，導(dǎo)電能力顯著增加——摻雜性。3.載流子：可以自由移動(dòng)的帶電粒子。

1.半導(dǎo)體的種類(lèi)及特點(diǎn)

根據(jù)物體導(dǎo)電能力的不同，劃分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半導(dǎo)體有硅Si和鍺Ge等。2.半導(dǎo)體的特點(diǎn)：半導(dǎo)體PN結(jié)一、本征半導(dǎo)體+4+4+4+4+4+4+4+4+4T=0K時(shí)4.本征半導(dǎo)體

純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體，稱(chēng)為本征半導(dǎo)體半導(dǎo)體PN結(jié)+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由電子空穴本征激發(fā)復(fù)合在溫度刺激下成對(duì)出現(xiàn)成對(duì)消失本征半導(dǎo)體的載流子空穴運(yùn)動(dòng)半導(dǎo)體PN結(jié)總結(jié)1：1.本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子和空穴。3.溫度越高，載流子的濃度越高，本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)。2.本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。半導(dǎo)體PN結(jié)雜質(zhì)半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體（三價(jià)）（五價(jià)）半導(dǎo)體PN結(jié)二、雜質(zhì)半導(dǎo)體+4+4+4+4+4+4+4+4（1）N型半導(dǎo)體

在硅或鍺的晶體中摻入少量的五價(jià)元素,如磷,則形成N型半導(dǎo)體。

磷原子+4+5多余價(jià)電子自由電子正離子本征激發(fā)半導(dǎo)體PN結(jié)+4+4+4+4+4+4+4空穴（2）P型半導(dǎo)體在硅或鍺的晶體中摻入少量的三價(jià)元素,如硼,則形成P型半導(dǎo)體。

(空穴型半導(dǎo)體)

+4+4硼原子填補(bǔ)空位+3負(fù)離子本征激發(fā)半導(dǎo)體PN結(jié)1.

N型半導(dǎo)體中自由電子是多子、空穴是少子。2.

P型半導(dǎo)體中空穴是多子，自由電子是少子。半導(dǎo)體PN結(jié)總結(jié)2：P區(qū)N區(qū)1.PN結(jié)的形成空間電荷區(qū)內(nèi)電場(chǎng)方向半導(dǎo)體PN結(jié)三、PN結(jié)及單向?qū)щ娦詢?nèi)電場(chǎng)方向E外電場(chǎng)方向RI2.PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮區(qū)N區(qū)外電場(chǎng)驅(qū)使P區(qū)的空穴進(jìn)入空間電荷區(qū)抵消一部分負(fù)空間電荷N區(qū)電子進(jìn)入空間電荷區(qū)抵消一部分正空間電荷空間電荷區(qū)變窄

擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)，形成較大的正向電流（1）外加正向電壓半導(dǎo)體PN結(jié)RP區(qū)N區(qū)空間電荷區(qū)變寬

（2）外加反向電壓E

外電場(chǎng)方向內(nèi)電場(chǎng)方向少數(shù)載流子越過(guò)PN結(jié)形成很小的反向電流IR半導(dǎo)體PN結(jié)1、空間電荷區(qū)中沒(méi)有載流子又稱(chēng)耗盡層。2、PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?/p>

正向偏置：P區(qū)加正、N區(qū)加負(fù)電壓

多子運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)，PN結(jié)導(dǎo)通

反向偏置：P區(qū)