代替GB/T21021—2007無源射頻和微波元器件的互調(diào)電平測量(IEC62037-1:2012,PassiveRFandmicrowavedevices,intermodulationle國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會I本部分為GB/T21021的第1部分。 1GB/T21021.1—2021/IEC62037GB/T21021的本部分描述了無源射頻和微波元器件中由兩路或兩路以上傳輸信號產(chǎn)生的無源互本部分中的試驗程序規(guī)定了在傳輸兩路信號時所產(chǎn)生的不希望的互調(diào)信號的一般要求和測量GB/T21021的各部分闡述了無源互調(diào)(PIM)的測量方法，但不涉及與該性能有關(guān)的產(chǎn)品長期可本部分與GB/T21021的其他部分配套使用。CATV:有線電視(communityantennaDUT:被測件(deviceundertest)PIM:無源互調(diào)(passiveinte將相等功率電平的兩路信號f?和f?合路后輸入DUT,試驗信號所包含的諧波信號或自互調(diào)信2f?f3GB/T21021.1—2021/IEC62037-1:20負(fù)載?試驗裝置所產(chǎn)生的自互調(diào)(包括負(fù)載的自互調(diào))宜至少比DUT上測得的互調(diào)信號電平低10dB。相關(guān)的誤差可從圖3中獲得。DUT應(yīng)端接阻抗匹配的功率負(fù)載(如果必要)。接收端的帶通濾波器可根據(jù)預(yù)期的互調(diào)信號進(jìn)行有關(guān)試驗裝置的更多注意事項參見附錄B。試驗裝置1用來測量反向(反射)互調(diào)產(chǎn)物。因此，它適用于單端口和多端口DUT的測量。DUT信號源應(yīng)能提供試驗所規(guī)定的端口功率的連續(xù)波(CW)信號。所產(chǎn)生的信號應(yīng)有足夠的頻率該濾波器為調(diào)諧至規(guī)定頻率的帶通濾波器，用于信號反向(反射)互調(diào)信號fiM。4GB/T21021.1—2021/IEC62037-1:2012試驗端口P4用來連接DUT,DUT上應(yīng)有規(guī)定的輸入功率，并對接收機和DUT之間的任何f)負(fù)載關(guān)低互調(diào)負(fù)載的組成參見附錄A。當(dāng)PIM測量結(jié)果接近接收機的本底熱噪聲時，能夠通過降低分辨率帶寬(RBW)來提高靈敏b)雙工器該雙工器將f?、f2載波信號與fim互調(diào)信號分離至P6、P7,并和附加的接收濾波器一起用于有關(guān)試驗裝置的更多注意事項參見附錄B。以下的指導(dǎo)原則和表1中的建議宜盡可能地考慮并盡量采用。5GB/T21021.1—2021/IEC62037接口總數(shù)盡量少使用的連接器數(shù)量盡量少，采用高性能、具有的方法有緊密接觸、絕緣、錫焊、銅焊等不建議使用(非線性)非磁性不銹鋼不建議使用(包含鐵)不建議使用尖銳邊角負(fù)載或衰減器密封條/墊圈印刷電路板(PCB)宜考慮并評估所使用材料、處理過程和設(shè)計方案。采用低PIM材料，注意材料的雜質(zhì)、污染以及殘余腐蝕。銅導(dǎo)體宜進(jìn)不相容金屬不建議使用(存在電偶腐蝕風(fēng)險)良好操作且徹底清潔，以獲得較好的結(jié)果。焊縫宜被仔細(xì)檢查環(huán)氧碳纖維合成材料(CFEC)如果纖維沒有損害，允許應(yīng)用在反射器和支量密度情況(例如，>10mW/cm2),宜進(jìn)行評估酯或聚酰亞胺復(fù)合膜制成的標(biāo)準(zhǔn)多層隔熱層需要特殊設(shè)計電鍍由于趨膚效應(yīng)的影響，電鍍層厚度宜至少為最低工作頻率時趨膚深度的3倍表2給出了試驗裝置1和試驗裝置2的一些情況。6GB/T21021.1—2021/IEC62037-1:20試驗裝置1將試驗裝置校準(zhǔn)至正確的信號電平并施加至DUT。除非另有規(guī)定，移動通信系統(tǒng)在測試端口處通常宜(43dBm)的功率，其他通信系統(tǒng)可規(guī)定不同的功率電平應(yīng)規(guī)定最小測試頻率點數(shù)和/或頻率間隔為降低測量不確定度，應(yīng)在預(yù)計的互調(diào)電平條件下校準(zhǔn)接收機，校準(zhǔn)后的信雙工器中的P5端口應(yīng)直接連接到合路器和雙工器中的為降低測量不確定度，試驗裝置的自互調(diào)電平宜比DUT的規(guī)定值至少低以合適的試驗裝置按規(guī)定的試驗程序?qū)UT進(jìn)行試驗9報告宜規(guī)定f?和f?的值。一個測得的-120dBm的三階互調(diào)值(IM?)可按下面的示例轉(zhuǎn)換為dBc。RSS=√(δA)2+(δPm)2+(δPg)2+(δD)2………………RSS——不確定度(方和根);δA——衰減器的不確定度；δD———試驗設(shè)備自互調(diào)與DUT的互調(diào)之間存在差值而導(dǎo)致的不確定度(由圖3所得)。7誤差/dB誤差/dB8GB/T21021.1—2021/IEC62037A.1通則本附錄提供了有關(guān)低PIM負(fù)載的信息。由于阻性材料組成的負(fù)載通常可具有高PIM,因此，一般使用長同軸電纜作為低互調(diào)負(fù)載(見圖b)避免使用有高PIM材料和高PIM電鍍的電纜。鍍銀和鍍錫是較好的選擇。電鍍層宜足夠d)選用具有足夠功率容量的電纜。f)使用具有低PIM特性的連接器。低PIM電纜可以被看作線性衰減器。圖A.2所示的線性衰減器和高PIM集總負(fù)載的組合可以被用作低PIM負(fù)載。下面的程序介紹了一種低PIM負(fù)載的設(shè)計：a)測量與基頻功率成函數(shù)關(guān)系的集總負(fù)載的PIM特性，確定PIM增長系數(shù)X,單位為PIMterm=PIMRpL—(X+1)Xc……(A.1)c)線性衰減器的電纜設(shè)計長度通過公式(A.2)確定：9Xc=α×lmGB/T21021.1—2021/IEC62037B.1通則一種可接受的掃頻方法是固定fi在傳輸頻帶的低端，從所有在接收帶內(nèi)引起互調(diào)的頻率組