15.5.1

基本結(jié)構(gòu)ECNNPB基極發(fā)射極集電極NPN型B基集電極CPN極P發(fā)射極EPNP型115.5半導(dǎo)體三極管ECNNPB基極發(fā)射極集電極基區(qū)：較薄，摻雜濃度低集電區(qū)：面積較大發(fā)射區(qū)：摻雜濃度較高2CNPB基極E發(fā)射極集電極發(fā)射結(jié)3集電結(jié)NICmAμAVVUCEUBERBECEB一.一個實驗IB15.5.2

電流分配和放大原理5結(jié)論:1.

IE=IC+IB3.

IB=0,6IC=ICEO4.要使晶體管放大,發(fā)射結(jié)必須正偏,集電結(jié)必須反偏。二.電流放大原理BECNNPECIE基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴散可忽略。IBE進入P區(qū)的R

電子少部分與基B區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流IBE

，EB多數(shù)擴散到集電結(jié)。發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴散，形7成發(fā)射極電流IE。IB=IBE-ICBO≈IBEIBBECNPNEBRBECIEICBO

ICEIC=ICE+ICBO

≈ICEIBE9ICE與IBE之比稱為電流放大倍數(shù)10UCE

≥1VIB(μA)UBE(V)806040200.4

0.8工作壓降： 硅管UBE≈0.6~0.7V,鍺管UBE≈0.2~0.3V。UCE=0VUCE

=0.5V死區(qū)電壓，硅管

0.5V，鍺管0.1V。1115.5.3

特性曲線一.輸入特性IC(mA

)123436960μA40μA20μAIB=012

UCE(V)此區(qū)域中UC1E<00UμBAE,集電結(jié)正偏，βIB>IC，UCE≈800.3μVA稱為飽和區(qū)。13IC(mA

)123436940μA20μAIB=012

UCE(V)此1區(qū)00域μA中:14IB=0,IC=ICEO,U

80<μ死A區(qū)電BE壓，60稱μA為截止區(qū)。15輸出特性三個區(qū)的特點:(1)放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。(2)即：

IC=βIB

,

且

ΔIC

=

β

Δ

IB(2) 飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。即：UCE<UBE

，

βIB>IC，UCE≈0.3V(3)

截止區(qū)：UBE< 死區(qū)電壓，

IB=0

，

IC=ICEO

≈0例：UCE=6V時：IB=40

μA,

IC

=1.5

mA；IB

=60

μA,

IC

=2.3

mA。在工程計算中，一般作近似處理：β

=172.集-基極反向截止電流ICBOμAICBO18ICBO是集電結(jié)反偏由少子的漂移形成的反向電流，受溫度的變化影響。BECNPNICBOICEO=

β

IBE+ICBOIBEβ

IBEICBO進入N區(qū)，形成IBE。根據(jù)放大關(guān)系，由于IBE的存在，必有電流

βIBE。集電結(jié)反偏有ICBO3.集-射極反向截止電流ICEOICEO受溫度影響很大，當溫度上19CEO升時，I

增加很快，所以IC也相應(yīng)增加。三極管的溫度特性較差。6.集電極最大允許功耗PCM集電極電流IC流過三極管，所發(fā)出的功率為：PC=ICUCE必定導(dǎo)致結(jié)溫上升，所