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硅光電池在沒有光照時(shí)候的伏安特性曲線：從圖中可以看出，硅光電池的伏安特性與二極管的伏安特性相近。不同的是，二極管在電流從零開始的最初一小段電壓為零，而且在電流逐漸增大的時(shí)候，曲線最終趨于水平的速度要快。硅光電池的輸出特性：下圖為各電阻對(duì)應(yīng)的P-RL圖①d=20cm,L=250lux時(shí)候的U-I圖像。②下面是d=30cm,L=111.1lux時(shí)候的U-I圖下圖為Isc-L曲線，設(shè)Isc=k*L+b。由origin軟件擬合得出，k=0.00416，b=7.80443.所以函數(shù)可寫為：Isc=0.00416L+7.80443.下面是電阻為100Ω時(shí)的V-L,I-L圖。下面是電阻為1000Ω時(shí)的V-L,I-L圖。下面是電阻為5000Ω時(shí)的V-L,I-L圖。下面是電阻為10000Ω時(shí)的V-L,I-L圖。思考題：1.光電池在工作時(shí)為什么要處于零偏或反偏？Sol：因?yàn)橐糠雌臅r(shí)候的電場(chǎng)收集產(chǎn)生的光載流子零偏的時(shí)候靠的是內(nèi)秉電場(chǎng)收集。但是實(shí)際上零偏的時(shí)候的內(nèi)秉電場(chǎng)與反偏的差不多，只是電場(chǎng)寬度較窄。

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