標(biāo)準(zhǔn)解讀

《JJG 48-2004 硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片》是一項國家標(biāo)準(zhǔn)，其主要目的是規(guī)定硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片的計量性能要求、技術(shù)要求、檢定方法及檢定結(jié)果處理等。該標(biāo)準(zhǔn)適用于新制造、使用中和修理后的硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片的首次檢定、后續(xù)檢定以及使用中的檢驗。

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容，硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片需滿足一定的物理特性要求，包括但不限于尺寸規(guī)格、表面狀態(tài)等。此外，對于電阻率值及其不確定度也有明確的規(guī)定，確保這些樣片能夠作為準(zhǔn)確可靠的參考物用于校準(zhǔn)或測試其他材料的電阻率。

在檢定過程中，需要采用適當(dāng)?shù)姆椒▉頊y量硅單晶樣片的電阻率，并對測量結(jié)果進(jìn)行分析以確定是否符合標(biāo)準(zhǔn)要求。這通常涉及到使用四探針法或其他認(rèn)可的技術(shù)手段來進(jìn)行精確測量。同時，還應(yīng)考慮環(huán)境條件（如溫度）對測量結(jié)果的影響，并采取相應(yīng)措施減少或消除此類影響。

標(biāo)準(zhǔn)中還詳細(xì)描述了如何處理檢定結(jié)果，包括記錄保存方式、證書格式等內(nèi)容，旨在保證整個過程的一致性和可追溯性。通過遵循此標(biāo)準(zhǔn)，可以有效提高硅單晶電阻率測量的準(zhǔn)確性與可靠性，促進(jìn)相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)質(zhì)量控制水平的提升。


如需獲取更多詳盡信息，請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。

....

查看全部

  • 被代替
  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替，建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)JJF 1760-2019
  • 2004-09-21 頒布
  • 2005-03-21 實(shí)施
?正版授權(quán)
JJG 48-2004硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片_第1頁
JJG 48-2004硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片_第2頁
JJG 48-2004硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片_第3頁
JJG 48-2004硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片_第4頁
JJG 48-2004硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片_第5頁
免費(fèi)預(yù)覽已結(jié)束，剩余19頁可下載查看

下載本文檔

JJG 48-2004硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片-免費(fèi)下載試讀頁

文檔簡介

中華人民共和國國家計量檢定規(guī)程

JJG48—2004

硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片

StandardSliceofSingleCrystalSiliconResistivity

2004-09-21發(fā)布2005-03-21實(shí)施

國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

JJG48—2004

硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片

??

??????????????

檢定規(guī)程?JJG48—2004?

??

??

?????????????

代替JJG48—1990?

??

VerificationRegulationofStandard

SliceofSingleCrystalSiliconResistivity

本規(guī)程經(jīng)國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局于年月日批準(zhǔn)并自

20040921

年月日施行

20050321。

歸口單位:全國無線電計量技術(shù)委員會

主要起草單位:中國計量科學(xué)研究院

參加起草單位:廣州半導(dǎo)體材料研究所

本規(guī)程委托全國無線電計量技術(shù)委員會負(fù)責(zé)解釋

JJG48—2004

本規(guī)程主要起草人:

魯效明中國計量科學(xué)研究院

()

參加起草人:

謝鴻波廣州半導(dǎo)體材料研究所

()

JJG48—2004

目錄

范圍……………………

1(1)

概述……………………

2(1)

計量性能要求…………

3(1)

標(biāo)準(zhǔn)樣片的電阻率的測量范圍……………………

3.1(1)

標(biāo)準(zhǔn)樣片的標(biāo)稱值…………………

3.2(1)

標(biāo)準(zhǔn)樣片應(yīng)具備的參數(shù)及性能要求………………

3.3(1)

通用技術(shù)要求…………

4(2)

計量器具控制…………

5(3)

檢定條件……………

5.1(3)

檢定項目及檢定方法………………

5.2(5)

檢定結(jié)果的處理……………………

5.3(7)

檢定周期……………

5.4(8)

附錄硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片溫度修正系數(shù)表……

A(9)

附錄硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片的清洗方法…………

B(10)

附錄硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片檢定原始記錄………

C(11)

附錄硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片檢定證書及檢定結(jié)果通知書內(nèi)頁格式……………

D(12)

附錄硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片檢定結(jié)果的計算與處理……………

E(13)

附錄計算硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片的各種修正系數(shù)表……………

F(15)

附錄不同直徑的硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片距邊緣處的修正系數(shù)表F…

G6mm(eg)(16)

JJG48—2004

硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片檢定規(guī)程

1范圍

本規(guī)程適用于硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片的首次檢定后續(xù)檢定和使用中的檢驗

、。

2概述

硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片以下簡稱標(biāo)準(zhǔn)樣片是用高純多晶硅經(jīng)過單晶制備再

(),,

經(jīng)中子嬗變摻雜等多種工藝制造的具有一定幾何尺寸的實(shí)物標(biāo)準(zhǔn)由不確定度已知的

,。

標(biāo)準(zhǔn)裝置對該實(shí)物標(biāo)準(zhǔn)的電阻率及其它指標(biāo)給予標(biāo)定使用時以標(biāo)準(zhǔn)樣片為準(zhǔn)對相

,,,

關(guān)參數(shù)進(jìn)行量值傳遞

。

3計量性能要求

標(biāo)準(zhǔn)樣片的電阻率的測量范圍

3.1

電阻率的測量范圍

0.005Ω·cm~5000Ω·cm。

標(biāo)準(zhǔn)樣片的標(biāo)稱值

3.2

標(biāo)準(zhǔn)樣片的標(biāo)稱值應(yīng)符合下述個規(guī)格中的一個見表

19,1:

表1標(biāo)準(zhǔn)樣片的標(biāo)稱值

Ω·cm

電阻率標(biāo)稱值

0.0050.010.020.050.10.20.5125

102575180250500100020005000

標(biāo)準(zhǔn)樣片應(yīng)具備的參數(shù)及性能要求

3.3

標(biāo)準(zhǔn)樣片除具有電阻率標(biāo)稱值和實(shí)際值外還應(yīng)有下列參數(shù)或數(shù)據(jù)導(dǎo)電類

3.3.1,,:

型摻雜元素直徑值厚度值和使用要求

、、、。

對不同級別的標(biāo)準(zhǔn)樣片各項指標(biāo)的要求見表

3.3.2,2。

表2標(biāo)準(zhǔn)樣片的各項指標(biāo)

樣片級別

合格指標(biāo)

溫馨提示

  • 1. 本站所提供的標(biāo)準(zhǔn)文本僅供個人學(xué)習(xí)、研究之用，未經(jīng)授權(quán)，嚴(yán)禁復(fù)制、發(fā)行、匯編、翻譯或網(wǎng)絡(luò)傳播等，侵權(quán)必究。
  • 2. 本站所提供的標(biāo)準(zhǔn)均為PDF格式電子版文本（可閱讀打?。?，因數(shù)字商品的特殊性，一經(jīng)售出，不提供退換貨服務(wù)。
  • 3. 標(biāo)準(zhǔn)文檔要求電子版與印刷版保持一致，所以下載的文檔中可能包含空白頁，非文檔質(zhì)量問題。

評論

0/150

提交評論