犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜６６１９—２００９

代替ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５

硅片彎曲度測試方法

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

中華人民共和國

國家標準

硅片彎曲度測試方法

ＧＢ／Ｔ６６１９—２００９

中國標準出版社出版發(fā)行

北京復興門外三里河北街１６號

郵政編碼：１０００４５

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電話：６８５２３９４６６８５１７５４８

中國標準出版社秦皇島印刷廠印刷

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開本８８０×１２３０１／１６印張０．７５字數(shù)１６千字

２０１０年１月第一版２０１０年１月第一次印刷

書號：１５５０６６·１３９５６０

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書

犌犅／犜６６１９—２００９

前言

本標準修改采用ＳＥＭＩＭＦ５３４０７０６《硅片彎曲度測試方法》。

本標準與ＳＥＭＩＭＦ５３４０７０６相比，主要變化如下：

———本標準接觸式測量方法格式按ＧＢ／Ｔ１．１格式編排；

———本標準根據(jù)我國實際生產(chǎn)情況增加了非接觸式測量方法。

本標準代替ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５《硅片彎曲度測試方法》。

本標準與ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５相比，主要有如下變動：

———擴大了可測量硅片范圍為直徑不小于２５ｍｍ，厚度為不小于１８０μｍ，直徑和厚度比值不大于

２５０的圓形硅片；

———增加了引用文件、術(shù)語、意義用途、測量環(huán)境條件和干擾因素等章節(jié)；

———修改了儀器校正的內(nèi)容。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會（ＳＡＣ／ＴＣ２０３）提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標準起草單位：洛陽單晶硅有限責任公司。

本標準主要起草人：劉玉芹、蔣建國、馮校亮、張靜雯。

本標準所替代標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ６６１９—１９８６、ＧＢ／Ｔ６６１９—１９９５。

Ⅰ

書

犌犅／犜６６１９—２００９

硅片彎曲度測試方法

方法１接觸式測量方法

１范圍

本標準規(guī)定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片（以下簡稱硅片）彎曲度的接觸式測量方法。

本標準適用于測量直徑不小于２５ｍｍ，厚度為不小于１８０μｍ，直徑和厚度比值不大于２５０的圓形

硅片的彎曲度。本測試方法的目的是用于來料驗收和過程控制。本標準也適用于測量其他半導體圓片

彎曲度。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計數(shù)抽樣檢驗程序第１部分：按接收質(zhì)量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗抽樣計劃

（ＧＢ／Ｔ２８２８．１—２００３，ＩＳＯ２８５９１：１９９９，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導體