標準解讀

《GB/T 6619-1995 硅片彎曲度測試方法》相對于《GB 6619-1986》主要在以下幾個方面進行了調(diào)整和完善：

  1. 標準性質(zhì)的變化：從強制性國家標準（GB）轉(zhuǎn)變?yōu)橥扑]性國家標準（GB/T），表明該標準更側(cè)重于提供技術(shù)指導而非強制執(zhí)行。
  2. 測試方法的改進與補充：新版本可能引入了更加精確或簡便的測量手段，以適應硅片制造技術(shù)的發(fā)展。例如，對于特定尺寸和類型的硅片，增加了新的檢測項目或者優(yōu)化了原有的測量流程。
  3. 技術(shù)參數(shù)及要求的更新：隨著行業(yè)技術(shù)的進步，《GB/T 6619-1995》可能對硅片彎曲度的具體數(shù)值范圍、允許偏差等指標做出了相應調(diào)整，使之更能反映當前技術(shù)水平下的產(chǎn)品質(zhì)量要求。
  4. 文本結(jié)構(gòu)與表述方式的優(yōu)化：新版標準或許重新組織了內(nèi)容框架，使用更為清晰準確的語言來描述各項規(guī)定，便于使用者理解和操作。
  5. 參考文獻及相關(guān)規(guī)范引用的更新：考慮到相關(guān)領域內(nèi)其他標準和技術(shù)文件也可能經(jīng)歷了修訂，《GB/T 6619-1995》對其所引用的標準版本號等信息進行了同步更新，確保一致性與時效性。

這些變化反映了我國在半導體材料特別是硅片加工質(zhì)量控制方面技術(shù)水平的提升以及標準化工作的不斷完善。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 6619-2009
  • 1995-04-18 頒布
  • 1995-12-01 實施
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文檔簡介

PDC.669.782-415：620.173.26H21中華人民共和國國家標準GB/T6619-一—1995硅片彎曲度測試方法Testmethodsforbowofsiliconslices1995-04-18發(fā)布1995-12-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準CB/T6619-1995硅片彎曲度測試方法代替GB6619-86Testmethodsforbowofsiliconslices第一篇：方法4一接觸式測試方法主題內(nèi)客與適用范圍本標準規(guī)定了硅單品切割片、研磨片、拋光片(以下筒稱硅片)彎曲度的接觸式測量方法。本標準適用于測量直徑大于50mm,厚度為200～1000m的圓形硅片的彎曲度。本標準也適用于測量其他半導體圓片彎曲度。方法原理將硅片置于基準環(huán)的3個支點上,3支點形成一個基準平面,用低壓力位移指示器測量硅片中心偏離基準平面的距離，該距離表示硅片的彎曲度3測量儀器3.1基準環(huán)基準環(huán)是由基座、3個支撐球、3個定位柱組成的專用器具，如圖所示。國家技術(shù)監(jiān)督局1995-04-18批準1995-12-01實施

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