標準解讀

《GB/T 5594.4-1985 電子元器件結構陶瓷材料性能測試方法 介質(zhì)損耗角正切值的測試方法》是一項國家標準，它規(guī)定了用于測定電子元器件中結構陶瓷材料介質(zhì)損耗角正切值的方法。該標準適用于在特定頻率下對陶瓷材料進行電性能評價時使用。

根據(jù)這項標準，介質(zhì)損耗角正切（tanδ）是指交流電場作用下，材料內(nèi)部能量損失與儲存能量之比的一種度量方式。通過測量這個參數(shù)可以評估材料的絕緣性能和品質(zhì)因素。標準詳細描述了實驗所需的儀器設備、樣品準備步驟、測試條件以及具體的操作程序等信息。例如，要求使用的測試頻率范圍通常為幾百赫茲到兆赫茲之間，并且指出了如何正確連接電路以確保準確讀數(shù)。


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  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 5594.4-2015
  • 1985-11-27 頒布
  • 1986-12-01 實施
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文檔簡介

UDC621.315.612：621.382/.387：620.1中華人民共和國國家標準GB5594.4-85電子元器件結構陶瓷材料性能測試方法介質(zhì)損耗角正切值的測試方法TestmethodsforpropertiesofstructureceramicusedinnelectroniccomponentsTestmethodfordielectriclossangletangentvalue1985-11-27發(fā)布1986-12-01實施國家批準

中華人民共和國國家標準電子元器件結構陶瓷材料UDC621.315.612：621.382性能測試方法/.387:620.1GB35594.4-85介質(zhì)損耗角正切值的測試方法TestmethodsforpropertiesofstructureceramicusedinelectroniccomponentsTestmethodfordielectriclossangletangentalue本標準適用于測定電子元器件結構陶瓷材料在頻率1MHz,溫度從室溫至500℃條件下的介質(zhì)損耗角正切值。1定義和測試原理陶瓷材料的介質(zhì)損耗角正切值（tano）是表示在某一頻率交流電壓作用下介質(zhì)損耗的參數(shù)。所調(diào)介質(zhì)損耗即是單位時間內(nèi)消耗的電能。由陶瓷材料制成的元器件，當它工作時，交變電壓加在陶瓷介質(zhì)上，并通過交變電流，這時陶瓷介質(zhì)連同與其相聯(lián)系的金屬部分，.，可以石成有損耗的電容器，并可用一個理想電容器和一個純電阻器并聯(lián)或串聯(lián)的電路來等效，如圖1所示。電壓和電流的相位關系可用圖2表示。a.料聯(lián)等效電路b.串聯(lián)等效電路圖1有損耗電

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