ICS31020

L90.

中華人民共和國國家標準

GB/T37255—2018

偏置電場下材料熱釋電系數(shù)測試方法

TestmethodforpyroelectriccoefficientofmaterialsunderDCbiasfield

2018-12-28發(fā)布2019-11-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T37255—2018

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由中國建筑材料聯(lián)合會提出

。

本標準由全國工業(yè)陶瓷標準化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC194)。

本標準起草單位中國科學院上海硅酸鹽研究所

:。

本標準主要起草人董顯林曹菲王根水姚春華閆世光郭少波

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T37255—2018

偏置電場下材料熱釋電系數(shù)測試方法

1范圍

本標準規(guī)定了直流偏置電場下材料熱釋電系數(shù)的術(shù)語和定義原理試樣環(huán)境條件儀器設(shè)備樣

、、、、

品試驗步驟試驗數(shù)據(jù)處理

、、。

本標準適用于鈦酸鍶鋇鉭鈧酸鉛等熱釋電材料在直流偏置電場下的熱釋電系數(shù)測量

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

鐵電壓電陶瓷詞匯

GB/T3389.1

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T3389.1。

31

.

直流偏置電壓DCbiasvoltage

測量材料熱釋電系數(shù)時施加在被測樣品上下主表面的直流電壓

,。

32

.

直流偏置電場DCbiasfield

直流偏置電壓與被測樣品厚度的比值用符號E表示

,。

4原理

偏置電場下熱釋電系數(shù)是指在直流偏置電場E作用下樣品溫度改變時樣品極化強度P

(),,[(m)E]

隨溫度的變化率

。

當樣品溫度改變時極化發(fā)生變化原平衡狀態(tài)時樣品表面的自由電荷不能完全屏蔽束縛電荷如

,,,

果與外電路聯(lián)接可在電路中測得電流

,。

偏置電場下熱釋電系數(shù)測量裝置見圖用電壓表測量取樣電阻R兩端的電壓值U同時記錄

1。()(),

電壓值U溫度T和時間t根據(jù)式可得到不同溫度和直流偏置電場下的熱釋電系數(shù)

()、()()。(1)

p給出的熱釋電系數(shù)應(yīng)指明直流偏置電場和測量溫度

[(m)E]。。

PItUt

p=d(m)E=×d=×d

(m)ETATA×RT………………(1)

ddd

式中

:

p電場E下的熱釋電系數(shù)單位為庫侖每平方米攝氏度2

(m)E———(),[C/(m·℃)];

P電場E下的極化強度單位為庫侖每平方米2

(m)E———(),(C/m);

I熱釋電電流單位為安

——