ICS31200

L56.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T36474—2018

半導(dǎo)體集成電路

第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)

存儲器DDR3SDRAM測試方法

()

Semiconductorintegratedcircuit—

Measuringmethodsfordoubledatarate3synchronousdynamicrandomaccess

memorDDR3SDRAM

y()

2018-06-07發(fā)布2019-01-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T36474—2018

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

一般要求

4…………………2

通則

4.1…………………2

功能驗證的一般要求

4.2………………2

電參數(shù)測試的測試向量

4.3……………2

電參數(shù)測試的示波器

4.4………………2

測試環(huán)境

4.5……………2

詳細(xì)要求

5…………………3

功能驗證

5.1……………3

時鐘

5.2…………………3

讀數(shù)據(jù)參數(shù)

5.3…………………………6

寫數(shù)據(jù)參數(shù)

5.4…………………………8

電源電流I數(shù)據(jù)管腳的電源電流I

5.5(DD)/(DDQ)……………………11

Ⅰ

GB/T36474—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司上海高性能集成電

:、、

路設(shè)計中心武漢芯動科技有限公司成都華微電子科技有限公司

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孔憲偉殷夢迪尹萍巨鵬錦高專劉建明

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T36474—2018

半導(dǎo)體集成電路

第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)

存儲器DDR3SDRAM測試方法

()

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器功能驗

(DDR3SDRAM)

證和電參數(shù)測試的方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域中第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器

(DDR3SDRAM)

功能驗證和電參數(shù)測試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路

GB/T17574—19982:

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

被測器件deviceundertestDUT

;

測試過程中的被測對象

。

32

.

自動測試系統(tǒng)automatictestequipmentATE

;

集成化的集成電路測試專用系統(tǒng)自動測試系統(tǒng)配有多路電源數(shù)字測試通道及專用的測試軟件

。,

開發(fā)環(huán)境

。

33

.

工程評估板evaluationboardEVB

;

用于功能驗證的測試用工程評估板工程評估板支持處理器基本功能和擴(kuò)展功能配備輸入輸出

。,

端口并留有必要的測試接口

,