ICS29045

H82.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29504—2013

300mm硅單晶

300mmmonocrystallinesilicon

2013-05-09發(fā)布2014-02-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

300mm硅單晶

GB/T29504—2013

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

/p>

年月第一版

20136

*

書號(hào)

:155066·1-47271

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T29504—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研半導(dǎo)體材料股份有限公司中國(guó)有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所萬(wàn)向硅

:、、

峰電子股份有限公司寧波立立電子股份有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人閆志瑞孫燕盧立延張果虎樓春蘭劉培東向磊

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T29504—2013

300mm硅單晶

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了直徑型晶向電阻率硅單晶的技術(shù)要求

300mm、p、<100>、0.5Ω·cm~20Ω·cm、

試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存等

、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于由直拉法制備的硅單晶主要用于制作滿足集成電路用線寬及以下技

,IC0.13m

術(shù)需求的硅單晶拋光片μ

300mm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測(cè)定方法

GB/T1551—2009

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

GB/T1554

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1558

硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法

GB/T11073—2007

硅片直徑測(cè)量方法

GB/T14140

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的穩(wěn)態(tài)表面光電壓測(cè)試方法

YS/T679

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4技術(shù)要求

41直徑

.

滾圓后的硅單晶直徑為允許偏差其他用戶要求及未滾圓硅單晶的直徑和允

301mm,±0.3mm。

許偏差由供需雙方商定

。

42電阻率

.

421硅單晶的電阻率和徑向電阻率變化應(yīng)符合表的規(guī)定

..1。

表1硅單晶電學(xué)參數(shù)

電阻率徑向電阻率變化

項(xiàng)目導(dǎo)電類型摻雜元素

Ω·cm%

指標(biāo)