第4章半導體二極管和三極管4.3半導體二極管4.4穩(wěn)壓二極管4.5半導體三極管4.2PN結(jié)4.1半導體的基本知識第4章半導體二極管和三極管本章要求：一、理解PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，三極管的電流分配和電流放大作用；二、了解二極管、穩(wěn)壓管和三極管的基本構(gòu)造、工作原理和特性曲線，理解主要參數(shù)的意義；三、會分析含有二極管的電路。4.1.1半導體基礎知識導體:自然界中很容易導電的物質(zhì).例如金屬。絕緣體：電阻率很高的物質(zhì)，幾乎不導電;如橡皮、陶瓷、塑料和石英等。半導體：導電特性處于導體和絕緣體之間的物質(zhì)例如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等4.1半導體的基本知識半導體的導電特性：摻雜性：往純凈的半導體中摻入某些雜質(zhì)（其他元素），導電能力明顯改變光敏性：當受到光照時，導電能力明顯變化熱敏性：當環(huán)境溫度升高時，導電能力顯著增強4.1.2本征半導體

完全純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導體，稱為本征半導體。原子的組成：帶正電的原子核若干個圍繞原子核運動的帶負電的電子

且整個原子呈電中性。半導體器件的材料：

硅（Silicon-Si）：四價元素，硅的原子序數(shù)是14，外層有4個電子。

鍺（Germanium-Ge）：也是四價元素，鍺的原子序數(shù)是32，外層也是4個電子。原子核價電子簡化原子結(jié)構(gòu)模型圖硅和鍺的簡化原子模型GeSi1）最外層四個價電子。晶體中原子的排列方式硅單晶中的共價健結(jié)構(gòu)共價健共價鍵中的兩個電子，稱為價電子。

Si

Si

Si

Si價電子共價鍵:由相鄰兩個原子各拿出一個價電子組成價電子對所構(gòu)成的聯(lián)系。

Si

Si

Si

Si價電子本征半導體的導電機理這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)?？昭?/p>

溫度愈高，晶體中產(chǎn)生的自由電子便愈多。自由電子

在外電場的作用下，空穴吸引相鄰原子的價電子來填補，而在該原子中又產(chǎn)生新的空穴，其結(jié)果相當于空穴的運動（相當于正電荷的移動）。價電子在獲得一定能量（溫度升高或受光照）后，即可掙脫原子核的束縛，成為自由電子（帶負電），同時共價鍵中留下一個空位，稱為空穴（帶正電）。BA空穴自由電子晶體共價鍵結(jié)構(gòu)平面示意圖+4+4+4+4+4+4+4+4+4C共價鍵

半導體材料在外電場的作用下，自由電子和空穴按相反方向運動。

(1)自由電子作定向運動電子流

(2)價電子遞補空穴空穴流空穴的運動實質(zhì)上是價電子填補空穴而形成的。注意：

(1)本征半導體中載流子數(shù)目極少,其導電性能很差；

(2)溫度愈高，載流子的數(shù)目愈多,半導體的導電性能也就愈好。所以，溫度對半導體器件性能影響很大。自由電子和空穴都稱為載流子。自由電子和空穴成對地產(chǎn)生的同時，另一方面，自由電子在運動過程中能量減少，又成為填補空穴恢復共價鍵，這個過程稱為載流子的復合。在一定外界條件下，載流子的產(chǎn)生和復合達到動態(tài)平衡，半導體中載流子便維持一定的數(shù)目。4.1.3N型半導體和P型半導體

摻雜后自由電子數(shù)目大量增加，自由電子導電成為這種半導體的主要導電方式，稱為電子半導體或N型半導體。摻入五價元素

Si

Si

Si

Sip+多余電子磷原子在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€電子變?yōu)檎x子

在本征半導體中摻入微量的雜質(zhì)（某種元素）,形成雜質(zhì)半導體。

在N

型半導體中自由電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子。

摻雜后空穴數(shù)目大量增加，空穴導電成為這種半導體的主要導電方式，稱為空穴半導體或

P型半導體。摻入三價元素

Si

Si

Si

Si

在P型半導體中空穴是多數(shù)載流子，自由電子是少數(shù)載流子。B–硼原子接受一個電子變?yōu)樨撾x子空穴P型半導體歸納4、雜質(zhì)半導體中起導電作用的主要是多子。2、N型半導體中電子是多子，空穴是少子；P型半導體中空穴是多子，電子是少子。1、雜質(zhì)半導體中兩種載流子濃度不同，分為多數(shù)載流子和少數(shù)載流子（簡稱多子、少子）。3、雜質(zhì)半導體中多數(shù)載流子的數(shù)量取決于摻雜濃度，少數(shù)載流子的數(shù)量取決于溫度。雜質(zhì)半導體的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半導體++++++++++++++++++++++++N型半導體(1)漂移運動（DriftMovement）

有電場力作用時，少數(shù)載流子（電子或空穴）便產(chǎn)生定向運動，稱為漂移運動。

載流子的漂移運動產(chǎn)生的電流稱為漂移電流。4.1.4載流子的漂移運動和擴散運動（2）擴散運動（DiffusionMovement）當半導體受光照射或有載流子從外界注入時，半導體內(nèi)載流子濃度分布不均勻。這時載流子便會從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域運動。

由于濃度差而引起的定向運動稱為擴散運動，載流子擴散運動所形成的電流稱為擴散電流。在同一片半導體基片上，分別制造P型半導體和N型半導體，經(jīng)過載流子的擴散，在它們的交界面處就形成了PN結(jié)。4.2PN結(jié)4.2.1PN結(jié)的形成

由于兩種半導體中的載流子濃度的差異，將產(chǎn)生相對擴散運動。若P區(qū)的空穴濃度大于N區(qū)，P區(qū)的空穴要穿過交界面向N區(qū)擴散；同樣，N區(qū)的自由電子向P區(qū)擴散。

擴散的結(jié)果：交界面附近的P區(qū)一側(cè)因失去空穴而留下不能移動的負離子；在N區(qū)一側(cè)因失去電子而留下不能移動的正離子。這些帶電離子在交界面兩側(cè)形成了一個空間電荷區(qū)，產(chǎn)生一個由N區(qū)指向P區(qū)的電場，稱為內(nèi)電場。

隨著擴散的進行，空間電荷區(qū)加寬，內(nèi)電場增強，由于內(nèi)電場的作用是阻礙多子擴散，促使少子漂移，所以，當擴散運動與漂移運動達到動態(tài)平衡時，將形成穩(wěn)定的空間電荷區(qū)，稱為PN結(jié)。由于空間電荷區(qū)內(nèi)缺少載流子，所以又稱PN結(jié)為耗盡層或高阻區(qū)。4.2.2PN結(jié)的單向?qū)щ娦?.PN結(jié)加正向電壓（正向偏置）PN結(jié)變窄P接正、N接負

外電場IFPN結(jié)加正向電壓時，電源向P區(qū)補充正電荷，向N區(qū)補充負電荷，形成較大的正向電流IF，PN結(jié)處于導通狀態(tài)。內(nèi)電場PN－－－－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++++++–P區(qū)的多子空穴向右移動，與空間電荷區(qū)里的負離子中和；同時N區(qū)的多子電子與正離子中和。這樣使空間電荷數(shù)目減少，內(nèi)電場被削弱，多子的擴散加強，形成較大的擴散電流。①PN結(jié)外加正向電壓PN結(jié)外加正向電壓時（P正、N負），空間電荷區(qū)變窄。不大的正向電壓，產(chǎn)生相當大的正向電流。外加電壓的微小變化，擴散電流變化較大。PN結(jié)變寬2.PN結(jié)加反向電壓（反向偏置）外電場內(nèi)電場被加強，把P、N區(qū)的多子從PN結(jié)附近拉走，PN結(jié)加寬，多數(shù)載流子的擴散難于進行。少子的漂移加強，由于少子數(shù)量很少，形成很小的反向電流。IRP接負、N接正溫度越高少子的數(shù)目越多，反向電流將隨溫度增加。–+

PN結(jié)加反向電壓時，PN結(jié)變寬，反向電流較小，反向電阻較大，PN結(jié)處于截止狀態(tài)。內(nèi)電場PN+++－－－－－－+++++++++－－－－－－－－－++++++－－－②PN結(jié)外加反向電壓

PN結(jié)加反向電壓時（P負、N正），空間電荷區(qū)變寬，內(nèi)電場增強，多子的擴散電流近似為零。流過PN結(jié)的電流主要是少子的漂移決定的，稱為PN結(jié)的反向電流。

PN結(jié)的反向電流很小，而且與反向電壓的大小基本無關。PN結(jié)表現(xiàn)為很大的電阻，稱之截止。溫度升高時，少子值迅速增大，所以PN結(jié)的反向電流受溫度影響很大。結(jié)論PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕?/p>

PN結(jié)加正向電壓產(chǎn)生大的正向電流，PN結(jié)導電。

PN結(jié)加反向電壓產(chǎn)生很小的反向飽和電流，近似為零，PN結(jié)不導電。4.3半導體二極管在PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個二極管。二極管按結(jié)構(gòu)分有：點接觸型、面接觸型和平面型。金屬觸絲陽極引線N型鍺片陰極引線外殼(

a)

點接觸型PN結(jié)面積小，不能通過較大的電流（在幾十毫安以下），結(jié)電容?。≒N結(jié)的正負離子層），用于高頻和小功率電路。通常為鍺管。平面型面接觸型通過較大的電流，結(jié)電容大，用于工作頻率低，功率大的場合。通常為硅管。陽極陰極半導體二極管半導體二極管半導體二極管硅管0.5V,鍺管0.2V。反向擊穿電壓U(BR)導通電壓

外加電壓不足以克服內(nèi)電場的阻擋。外加電壓大于死區(qū)電壓二極管才能導通。正常工作電流范圍內(nèi)，電壓基本穩(wěn)定。

外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向?qū)щ娦浴Ｕ蛱匦苑聪蛱匦蕴攸c：非線性硅0.6~0.8V鍺0.3~0.5VUI死區(qū)電壓PN+–PN–+

反向電流在一定電壓范圍內(nèi)保持常數(shù)。4.3.1伏安特性（管兩端的電壓和通過管子的電流的關系曲線）4.3.2主要參數(shù)1.最大整流電流IOM二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。2.反向工作峰值電壓URWM是保證二極管不被擊穿而容許的反向峰值電壓，一般是二極管反向擊穿電壓UBR的一半或2/3。二極管擊穿后單向?qū)щ娦员黄茐?，甚至過熱而燒壞。點接觸型二極管的反向工作峰值電壓一般為數(shù)十伏，面接觸型二極管的反向工作峰值電壓可達數(shù)百伏。3.反向峰值電流IRM指二極管加反向工作峰值電壓時的反向電流。反向電流小，說明管子的單向?qū)щ娦院?，IRM受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流較大，為硅管的幾十到幾百倍。二極管的單向?qū)щ娦?.二極管加正向電壓（正向偏置，陽極接正、陰極接負）時，二極管處于正向?qū)顟B(tài)，二極管正向電阻較小，正向電流較大。

2.

二極管加反向電壓（反向偏置，陽極接負、陰極接正）時，二極管處于反向截止狀態(tài)，二極管反向電阻較大，反向電流很小。

3.外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，反向電流急劇增加，從而失去單向?qū)щ娦浴?.二極管的反向電流受溫度的影響，溫度愈高反向電流愈大。

二極管電路分析舉例定性分析：判斷二極管的工作狀態(tài)導通截止否則，正向管壓降硅0.6~0.7V鍺0.2~0.3V

分析方法：將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低或所加電壓UD的正負。若V陽

>V陰或UD為正(正向偏置)，二極管導通若V陽

<V陰或UD為負(反向偏置)，二極管截止

若二極管是理想的，正向?qū)〞r正向管壓降為零，反向截止時二極管相當于斷開。4.3.3二極管的型號命名（國產(chǎn)）半導體器件的型號由五部分組成判斷二極管的好壞正向電阻越小，反向電阻越大越好。若正向電阻無窮大，說明二極管內(nèi)部斷路；若反向電阻接近零，說明二極管已擊穿。判斷二極管的好壞將二極管負端接電池正極，二極管正端串接喇叭（或耳機）再接電池池負極，斷續(xù)接通時，若喇叭發(fā)出較大的“咯咯”聲，表明二極管已擊穿；反之將二極管正向連續(xù)接通時，喇叭無一點響聲，表明二極管內(nèi)部斷路。UZIZIZMUZIZ2.伏安特性使用時要加限流電阻

穩(wěn)壓管反向擊穿后，電流變化很大，但其兩端電壓變化很小，利用此特性，穩(wěn)壓管在電路中可起穩(wěn)壓作用。UIO1.符號配合適當數(shù)值的電阻，把反向電流限制在一定數(shù)值范圍內(nèi)，使其工作在擊穿狀態(tài)，而PN結(jié)的溫度不致?lián)p壞管子。4.4穩(wěn)壓二極管+-穩(wěn)壓值穩(wěn)壓誤差(1)穩(wěn)定電壓UZ

穩(wěn)壓管正常工作(反向擊穿狀態(tài)下)時管子兩端的電壓。同一型號的穩(wěn)壓管，其穩(wěn)定電壓分布在一定的數(shù)值范圍內(nèi)。3.主要參數(shù)(2)電壓溫度系數(shù)ｕ

環(huán)境溫度每變化1C引起穩(wěn)壓值變化的百分數(shù)。例如2CW18型硅穩(wěn)壓管的電壓溫度系數(shù)是+0.095%,表示溫度每升高1度，穩(wěn)定電壓要增加0.095%。(3)動態(tài)電阻rZ愈小，工作電流越大，反向伏安特性曲線愈陡，穩(wěn)壓性能愈好。rZ是穩(wěn)壓管在穩(wěn)定工作范圍內(nèi)管子兩端電壓的變化量與相應電流變化量之比(4)穩(wěn)定電流IZ、最大穩(wěn)定電流IZM穩(wěn)壓管兩端電壓等于穩(wěn)定電壓Uz時通過穩(wěn)壓管中的電流值。它是穩(wěn)壓管正常工作時的最小電流值，為使穩(wěn)壓管工作在穩(wěn)壓區(qū)，穩(wěn)壓管中的工作電流應大于穩(wěn)定電流Iz最大穩(wěn)定電流IZM是穩(wěn)壓管允許通過的最大反向電流。4.穩(wěn)壓管與二極管的主要區(qū)別穩(wěn)壓管比二極管的反向特性更陡。穩(wěn)壓管運用在反向擊穿區(qū)二極管運用在正向區(qū)電阻R的作用：①限流作用，以保護穩(wěn)壓管；②當輸入電壓或負載電流變化時，通過該電阻上電壓降的變化，以調(diào)節(jié)穩(wěn)壓管的工作電流，從而起到穩(wěn)壓作用。UOVDZRRL+－穩(wěn)壓二極管在工作時應反接，并串入一只電阻。IZIL輸入電壓Ui的增量絕大部分降落在R上，使輸出電壓Uo基本不變。限幅元件二極管正向?qū)ê?，它的正向壓降基本保持不變（硅管?.7V，鍺管為0.3V）。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范圍內(nèi)。整流二極管利用二極管單向?qū)щ娦?，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈動直流電。光電二極管反向電流隨光照強度的增加而上升。IV照度增加光電二極管在設計和制作時盡量使PN結(jié)的面積相對較大，以便接收入射光。光電二極管是在反向電壓作用下工作的，沒有光照時，反向電流極其微弱，叫暗電流；有光照時，反向電流迅速增大到幾十微安，稱為光電流。光的強度越大，反向電流也越大。光的變化引起光電二極管電流變化，這就可以把光信號轉(zhuǎn)換成電信號，成為光電傳感器件。

發(fā)光二極管有正向電流流過時，發(fā)出一定波長范圍的光，目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到可見波段的光，它的電特性與一般二極管類似。4.5.1基本結(jié)構(gòu)4.5半導體三極管（晶體三極管）一塊半導體基片上制成兩個PN結(jié)，再引出三個電極，然后用管封裝而成。NNP基極發(fā)射極集電極NPN型BECBECPNP型PPN基極發(fā)射極集電極符號：BECIBIEICBECIBIEICNPN型三極管中間部分稱為基區(qū)，相連接電極稱為基極（Base）一側(cè)稱為發(fā)射區(qū)，相連接電極稱為發(fā)射極（Emitter）另一側(cè)稱為集電區(qū)，相連接電極稱為集電極（Collector）E-B間的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)C-B間的PN結(jié)稱為集電結(jié)基區(qū)：中間薄層半導體（幾微米至幾十微米）。摻入雜質(zhì)最少，因而多數(shù)載流子濃度最低?；鶇^(qū)兩邊為同型半導體，但兩者摻入雜質(zhì)的濃度不同，故多數(shù)載流子的濃度不同。發(fā)射區(qū)：多數(shù)載流子濃度大，發(fā)射多數(shù)載流子集電區(qū)：多數(shù)載流子濃度小，收集載流子集電結(jié)面積大于發(fā)射結(jié)，其目的在于保證集電區(qū)能有效地收集載流子。晶體管的結(jié)構(gòu)和類型PNP型的發(fā)射極箭頭向內(nèi)，多為鍺管；NPN型的發(fā)射極箭頭向外，多為硅管。BECNNPEBRBEcRC放大的條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏EB保證發(fā)射結(jié)正偏，EC>EB保證集電結(jié)反偏。4.5.2三極管的工作原理（1）發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴散電子：

當發(fā)射結(jié)處于正向偏置，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子（自由電子）不斷擴散到基區(qū)；同時電源負極不斷把電子送入發(fā)射區(qū)以補償擴散電子，形成發(fā)射極電流IE，其方向與電子運動方向相反。

同時基區(qū)的多數(shù)載流子（空穴）也擴散到發(fā)射區(qū)而形成電流，但由于基區(qū)的空穴濃度比發(fā)射區(qū)的自由電子濃度低得多，故這部分空穴電流很小，可忽略不計。進入P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復合，形成電流IB

，多數(shù)擴散到集電結(jié)。BECNNPEBRBEc發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴散，形成發(fā)射極電流IE。IEIBRCIB（2）集電區(qū)收集從發(fā)射區(qū)擴散過來的電子：

由于集電結(jié)加了較大的反向電壓，其內(nèi)電場增強。內(nèi)電場對多數(shù)載流子的擴散起阻擋作用，但對基區(qū)內(nèi)的少數(shù)載流子（電子）則是一個加速電場。所以，從發(fā)射區(qū)進入基區(qū)并擴散到集電結(jié)邊緣的大量電子，作為基區(qū)的少數(shù)載流子，幾乎全部進入集電區(qū)，然后被電源Ec拉走，形成集電極電流IC從基區(qū)擴散來的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進入集電結(jié)而被收集，形成IC。BECNNPEBRBEcIEICIBICRCIB各電極電流關系及電流放大作用IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.10<0.0010.701.502.303.103.95<0.0010.721.542.363.184.051）三電極電流關系IE=IB+IC2）IC

IB

，

IC

IE

3）IC

IB

基極電流的微小變化能夠引起集電極電流較大變化的特性稱為晶體管的電流放大作用。電流放大系數(shù)：集電極電流的變化量ΔIC與基極電流的變化量ΔIB的比值。4.5.3特性曲線

即管子各電極電壓與電流的關系曲線，是管子內(nèi)部載流子運動的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，是分析放大電路的依據(jù)。為什么要研究特性曲線：

1）直觀地分析管子的工作狀態(tài)

2）合理地選擇偏置電路的參數(shù)，設計性能良好的電路發(fā)射極是輸入回路、輸出回路的公共端

共發(fā)射極電路輸入回路輸出回路

測量晶體管特性的實驗線路ICEBmAAVUCEUBERBIBECV++––––++1.輸入特性

輸入特性曲線是指當集電極與發(fā)射極之間的電壓UCE為常數(shù)時，輸入電路中基極電流IB與基極——發(fā)射極電壓UBE之間的關系曲線，用函數(shù)關系表示為：

死區(qū)電壓硅管0.5V鍺管0.2V輸入特性IB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE1VUBEIB工作壓降：硅管UBE0.6~0.7V,鍺管UBE0.2~0.3V2.輸出特性

輸出特性曲線是指當基極電流IB為常數(shù)時，晶體管輸出電路（集電極電路）中集電極電流IC與集電極——發(fā)射極電壓UCE之間的關系曲線，用函數(shù)關系表示為：在不同的基極電流IB下，可得出不同的曲線，故晶體管的輸出特性曲線是一組曲線。輸出特性曲線當基極電流IB一定時，從發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū)的電子數(shù)大致是一定的。當集電極——發(fā)射極電壓UCE大于1V后，集電結(jié)的電場足以使擴散到基區(qū)的電子絕大部分都被拉入集電區(qū)而形成集電極電流IC，以致于當UCE再繼續(xù)增大時，IC也不再有明顯的增加。這反映出晶體管的恒流特性。(1)放大區(qū)（線性區(qū)）在放大區(qū)有IC=IB

在放大區(qū)，發(fā)射結(jié)處于正向偏置、集電結(jié)處于反向偏置，晶體管工作于放大狀態(tài)。當基極電流IB增大時，相應的集電極電流IC也增大，而且IC比IB增加的多得多，即晶體管的電流放大作用。根據(jù)工作狀態(tài)，輸出特性通常分三個工作區(qū)IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A放大區(qū)IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A（2）截止區(qū)截止區(qū)IB<0以下區(qū)域為截止區(qū)，有

IB

0,IC0

。

在截止區(qū)發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均處于反向偏置，晶體管工作于截止狀態(tài)?；鶚O——發(fā)射極電壓UBE小于死區(qū)電壓三極管呈現(xiàn)高阻抗，類似于開關斷開。

（3）飽和區(qū)IC上升部分與縱軸之間的區(qū)域。飽和區(qū)特性曲線的特點是固定IB不變時，IC隨UCE的增加而迅速增大。當UCEUBE時，晶體管工作于飽和狀態(tài)。IBIC，發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均處于正偏。IB的變化對IC的影響較小IC稱為集電極飽和電流ICS，集-射極電壓UCE稱為飽和電壓UCES特性歸納輸入特性同二極管的正向特性UBEIB輸出特性一組曲線（一個IB對應一條曲線）UBE>0，UCE>UBE發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏IC=IB電流放大作用UBE<0，IB0

發(fā)射結(jié)反偏UBE>0，UCE<UBEIC=IB發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均正偏無電流放大作用放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)4.5.4主要參數(shù)1.電流放大系數(shù)，直流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)

表示晶體管特性的數(shù)據(jù)稱為晶體管的參數(shù)，晶體管的參數(shù)也是設計電路、選用晶體管的依據(jù)。常用晶體管的

值在20~200之間。值太小，放大能力差；值太大，熱穩(wěn)定性較差。

兩者在特性曲線近于平行等距并且ICEO

較小的情況下，兩者數(shù)值接近。在以后的計算中，一般作近似處理：=。IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)9120Q1Q2在Q1點，有由Q1和Q2點，得例：在UCE=6V時，在Q1

點IB=40A,IC=1.5mA；在Q2

點IB=60A,IC=2.3mA。2.集—基極反向截止電流ICBO

ICBO是由少數(shù)載流子的漂