犐犆犛１７．１８０

犃６０

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜２２４５３—２００８

硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件

質(zhì)量測(cè)試方法

犖狅狀犾犻狀犲犪狉狅狆狋犻犮犪犾犫狅狉犪狋犲犮狉狔狊狋犪犾犱犲狏犻犮犲狊犿犲犪狊狌狉犻狀犵犿犲狋犺狅犱

２００８１００７發(fā)布２００９０４０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書(shū)

犌犅／犜２２４５３—２００８

前言

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)光輻射安全和激光設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)（ＳＡＣ／ＴＣ２８４）提出并歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所、福建光電子材料工程技術(shù)研究中心和福建福晶

科技股份有限公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：蘭國(guó)政、吳少凡、林文雄、謝發(fā)利、吳季、李雄。

Ⅰ

書(shū)

犌犅／犜２２４５３—２００８

硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件

質(zhì)量測(cè)試方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件低溫相偏硼酸鋇（βＢａＢ２Ｏ４，簡(jiǎn)稱ＢＢＯ）和三硼酸鋰

（ＬｉＢ３Ｏ５，簡(jiǎn)稱ＬＢＯ）的質(zhì)量測(cè)試方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于ＢＢＯ和ＬＢＯ單晶元件。能滿足本標(biāo)準(zhǔn)要求的其他硼酸鹽非線性光學(xué)單晶元件也可

參照使用。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１１２９７．１—２００２激光棒波前畸變的測(cè)量方法

ＧＢ／Ｔ１６６０１—１９９６光學(xué)表面激光損傷閾值測(cè)試方法第１部分：１對(duì)１測(cè)試（ｅｑｖＩＳＯ／

ＤＩＳ１１２５４１．２：１９９５）

ＪＢ／Ｔ９４９５．３—１９９９光學(xué)晶體透過(guò)率測(cè)量方法

３主要測(cè)試項(xiàng)目

３．１物理性能

散射、光學(xué)不均勻性、特定波長(zhǎng)吸收、倍頻轉(zhuǎn)換效率、激光損傷閾值、減反膜剩余反射率、波前畸變。

３．２加工質(zhì)量

尺寸公差、角度偏差、不平行度、不平面度、不垂直度、有效通光孔徑、表面疵病。

４測(cè)試的環(huán)境要求

潔凈等級(jí)：１００００級(jí)

溫度：（２３±２）℃

相對(duì)濕度：（５５±５）％

５測(cè)試方法

５．１散射

５．１．１測(cè)試原理

利用單晶元件內(nèi)部的包絡(luò)、氣泡等缺陷對(duì)激光束的散射作用，觀測(cè)單晶元件內(nèi)部質(zhì)量。當(dāng)激光通過(guò)

元件的光路被散射變粗或出現(xiàn)發(fā)散光，表明元件存在包絡(luò)、氣泡等缺陷。

５．１．２測(cè)試條件

樣品：?jiǎn)尉г募す馊肷涿?、出射面及觀測(cè)面拋光。

環(huán)境：在