分立器件供給商介紹及官方網(wǎng)站/外表貼裝型到電子用保險(xiǎn)絲，保險(xiǎn)絲座有筒座、卡式座到帶線式保險(xiǎn)絲座，并通過(guò)一系列安規(guī)認(rèn)證。InterFET公司ICIC(MCM-C)N溝道、P溝道、單片、低噪聲、高壓、小信號(hào)、外表安JFET。Surge主要供給電容和分立半導(dǎo)體元件，包括電解液、薄膜、MLCC電容、橋式整流器、二極管和三極管。該公司通過(guò)ISO9000認(rèn)證。Sharp公司RFLS、紅外組件、太陽(yáng)電池/模塊；涉及的關(guān)鍵技術(shù)有圖象處理技術(shù)、材料技術(shù)、薄膜技術(shù)、光學(xué)技術(shù)、高密度封裝技術(shù)和通信技術(shù)等。SBSTechnologies,Inc.則供給標(biāo)準(zhǔn)總線嵌入電CPU板(PentiumPowerPC)、輸入/輸出(I/O)模組、電子設(shè)備模組和、總線互連產(chǎn)品、擴(kuò)展單元、實(shí)時(shí)網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)俘獲軟件，以及工業(yè)級(jí)電腦。半導(dǎo)體集團(tuán)全球第十大半導(dǎo)體制造商，供給集成電路、半導(dǎo)體元器件供給商介紹及官方網(wǎng)站MicrochipTechnologyPICmicro8-bit微掌握器(MCUs)EEPROM。如今，其產(chǎn)RFIDKEELOQRFIDKEELOQ安全設(shè)備的目的是為客戶供給更全面的嵌入式掌握解決方案。CypressSemiconductorATMSONET/SUSBVMEbusCY7C9335視頻解擾芯片兼容標(biāo)準(zhǔn)，工作電壓范圍+5V至-5V。意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)產(chǎn)品、汽車產(chǎn)品以及工業(yè)自動(dòng)化和掌握系統(tǒng)等微電子局部。NECElectronicsInc.IC、平板顯示器、存儲(chǔ)器、微掌握器、微處理器、多媒體、光電器件和無(wú)源器件等。NECDRAM、SDRAM和虛通道存儲(chǔ)器(VCM,VirtualChannelMemory)。ANADIGICSICICPCSTEMIC半導(dǎo)體公司CMOS、BiCMOS、BCDMOS、SiGeIC產(chǎn)品，應(yīng)用領(lǐng)域包括通信、汽SiGe功率放大器〔PA〕TO930900-MHz雙向?qū)ず魴C(jī)上。半導(dǎo)體兩大領(lǐng)域成長(zhǎng)性最好三大龍頭比拼半導(dǎo)體市場(chǎng)由六大類元器件：分立、光電、模擬、規(guī)律、微型組件和存儲(chǔ)器組成，在成長(zhǎng)性最好的微型組件和存儲(chǔ)器市避開(kāi)國(guó)際大企業(yè)的鋒芒，專注于自身具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域的策略是適當(dāng)?shù)?，有利于中?guó)芯片制造業(yè)的穩(wěn)步進(jìn)展?！?00360〕專注于功率半導(dǎo)體產(chǎn)品〔屬于分別器件〕的制造，近幾年的產(chǎn)能擴(kuò)展取得了較好的成果。不過(guò)其MOSFETIGBIT產(chǎn)品的沖擊，能否加快技術(shù)進(jìn)步成為企業(yè)進(jìn)展的關(guān)鍵。56英寸的提升?！?00584〕是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的三極管〔屬于分別器件〕制造商，但自身并沒(méi)有芯片制造線，主要從事分別器件和集成電路的封裝業(yè)務(wù)。隨著其封裝技術(shù)水平的提升，進(jìn)展空間將不斷擴(kuò)大。芯片制造的戰(zhàn)略分析908909工程和“909”的投資也大大降低了。但整個(gè)中國(guó)的芯片制造業(yè)仍舊在高速進(jìn)展，并形成了高端代工和低端分別器件雙向突破的可喜局面。以代工為導(dǎo)向的高端路徑“909”主體工程，NEC合DRAM芯片。20236.4%20%左右，全球排名第三。中芯國(guó)1,347,302片〔8英寸晶圓〕，11億美元。以分別器件和雙極性電路為導(dǎo)向的低端路徑126英寸生產(chǎn)線為主，甚至更有4英寸、58英寸生產(chǎn)線。MOS工藝和微型組件、存儲(chǔ)器方面技術(shù)進(jìn)步太快，產(chǎn)MOS電路之間，加上國(guó)內(nèi)浩大的市場(chǎng)需求，因此民間資本多項(xiàng)選擇擇雙極性電路作為集盤二手設(shè)備。由于投資額相對(duì)較低，折舊負(fù)擔(dān)也相對(duì)較小。主要上市公司分析華微電子〔600360〕域。華微電子過(guò)去幾年的進(jìn)展主要得益于其芯片生產(chǎn)力量的提升。35.63%15.64%，顯示出良好的經(jīng)營(yíng)績(jī)效。生命周期較長(zhǎng)的分別器件，其瞄準(zhǔn)的目標(biāo)市場(chǎng)是家電、節(jié)能燈、計(jì)算機(jī)等中國(guó)具有制造優(yōu)勢(shì)的領(lǐng)域。MOSFETIGBTMOSFETIGBT的市場(chǎng)增長(zhǎng)MOSFETIGBT更加易用，而且后者代表技術(shù)，性價(jià)比能快速提高，因而雙極型功率晶體管面臨著不斷失去自己領(lǐng)地的局面?！踩缟類?ài)半導(dǎo)體、揚(yáng)州晶來(lái)〕在雙極性功率晶體管上的擴(kuò)產(chǎn)和劇烈競(jìng)爭(zhēng)；另一方面雙極性持目士蘭微〔600460〕650.81.0微米，目前實(shí)際月0.60.8微米，第一期的工藝設(shè)備已調(diào)試完畢，現(xiàn)已進(jìn)入量產(chǎn)。BiCMOS領(lǐng)域。在量大面廣的消費(fèi)類集成電路產(chǎn)品，MOS功率晶體管等產(chǎn)品。BiCMOS工藝，其產(chǎn)品的市場(chǎng)空間和成長(zhǎng)性較好。其芯片生產(chǎn)線的整體運(yùn)行效益不太抱負(fù)的重要緣由。長(zhǎng)電科技〔600584〕〔屬于分別器件〕制造為主要業(yè)務(wù)的半導(dǎo)體企業(yè)。202315-150-200億只的力量。4英寸芯片生產(chǎn)線，其集成電路封裝和測(cè)試所用的芯片是來(lái)自于士蘭微等芯片設(shè)計(jì)和制造企業(yè)?！睟GA，CSP等〕和小型化〔TSSOP，TQFP，SOT等〕的封裝上取得較大的技術(shù)突破和業(yè)務(wù)拓展，其進(jìn)展的空間將大大增加，其經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)也有望進(jìn)一步提升。2090年月第八個(gè)五年打算，“909”是指第九個(gè)五個(gè)打算。兩大工程的主體企業(yè)分別是華晶和華虹。它們與華越、南科、貝嶺、先進(jìn)、首鋼日電共同組成了當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)具有代表性的七大芯片制造企業(yè)。工程和“909”水平，但實(shí)際的狀況與期望相差較遠(yuǎn)。1.26英寸芯片生產(chǎn)線，產(chǎn)品定位在ASIC〔專用集成電路〕。但由于審批時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，工程從開(kāi)頭立項(xiàng)到真)19972.4億元。DRAM。這是半導(dǎo)體市場(chǎng)中容量最大、更換代最快的產(chǎn)品之一。“909”生產(chǎn)線投產(chǎn)的第一年，主打產(chǎn)尚處于生命周期成熟期的末端，市場(chǎng)容量較大，價(jià)格水平不錯(cuò)，因此第一年盈利較好。投產(chǎn)其次年以后，64兆就進(jìn)入了生命周期的衰退期，市場(chǎng)容量萎縮，價(jià)格成倍下降。以全設(shè)備構(gòu)成的生產(chǎn)線，一樣陷入了高折舊、低收入的泥沼。華微電子〔600360〕域。華微電子過(guò)去幾年的進(jìn)展主要得益于其芯片生產(chǎn)力量的提升。35.63%15.64%，顯示出良好的經(jīng)營(yíng)績(jī)效。生命周期較長(zhǎng)的分別器件，其瞄準(zhǔn)的目標(biāo)市場(chǎng)是家電、節(jié)能燈、計(jì)算機(jī)等中國(guó)具有制造優(yōu)勢(shì)的領(lǐng)域。MOSFETIGBTMOSFETIGBT的市場(chǎng)增長(zhǎng)MOSFETIGBT更加易用，而且后者代表技術(shù)，性價(jià)比能快速提高，因而雙極型功率晶體管面臨著不斷失去自己領(lǐng)地的局面?！踩缟類?ài)半導(dǎo)體、揚(yáng)州晶來(lái)〕在雙極性功率晶體管上的擴(kuò)產(chǎn)和劇烈競(jìng)爭(zhēng)；另一方面雙極性持目士蘭微〔600460〕650.81.0微米，目前實(shí)際月0.60.8微米，第一期的工藝設(shè)備已調(diào)試完畢，現(xiàn)已進(jìn)入量產(chǎn)。BiCMOS領(lǐng)域。在量大面廣的消費(fèi)類集成電路產(chǎn)品，MOS功率晶體管等產(chǎn)品。BiCMOS工藝，其產(chǎn)品的市場(chǎng)空間和成長(zhǎng)性較好。其芯片生產(chǎn)線的整體運(yùn)行效益不太抱負(fù)的重要緣由。長(zhǎng)電科技〔600584〕〔屬于分別器件〕制造為主要業(yè)務(wù)的半導(dǎo)體企業(yè)。202315-150-200億只的力量。4英寸芯片生產(chǎn)線，其集成電路封裝和測(cè)試所用的芯片是來(lái)自于士蘭微等芯片設(shè)計(jì)和制造企業(yè)?！睟GA，CSP等〕和小型化〔TSSOP，TQFP，SOT等〕的封裝上取得較大的技術(shù)突破和業(yè)務(wù)拓展，其進(jìn)展的空間將大大增加，其經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)也有望進(jìn)一步提升。2090年月第八個(gè)五年打算，“909”是指第九個(gè)五個(gè)打算。兩大工程的主體企業(yè)分別是華晶和華虹。它們與華越、南科、貝嶺、先進(jìn)、首鋼日電共同組成了當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)具有代表性的七大芯片制造企業(yè)。工程和“909”水平，但實(shí)際的狀況與期望相差較遠(yuǎn)。1.26英寸芯片生產(chǎn)線，產(chǎn)品定位在ASIC〔專用集成電路〕。但由于審批時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，工程從開(kāi)頭立項(xiàng)到真)19972.4億元。DRAM。這是半導(dǎo)體市場(chǎng)中容量最大、更換代最快的產(chǎn)品之一。“909”生產(chǎn)線投產(chǎn)的第一年，主打產(chǎn)尚處于生命周期成熟期的末端，市場(chǎng)容量較大，價(jià)格水平不錯(cuò)，因此第一年盈利較好。投產(chǎn)其次年以后，64兆就進(jìn)入了生命周期的衰退期，市場(chǎng)容量萎縮，價(jià)格成倍下降。以全設(shè)備構(gòu)成的生產(chǎn)線，一樣陷入了高折舊、低收入的泥沼。908909工程和“909”的投資也大大降低了。但整個(gè)中國(guó)的芯片制造業(yè)仍舊在高速進(jìn)展，并形成了高端代工和低端分別器件雙向突破的可喜局面。以代工為導(dǎo)向的高端路徑“909”主體工程，NEC合DRAM芯片。20236.4%20%左右，全球排名第三。中芯國(guó)1,347,302片〔8英寸晶圓〕，11億美元。以分別器件和雙極性電路為導(dǎo)向的低端路徑126英寸生產(chǎn)線為主，甚至更有4英寸、58英寸生產(chǎn)線。MOS工藝和微型組件、存儲(chǔ)器方面技術(shù)進(jìn)步太快，產(chǎn)MOS電路之間，加上國(guó)內(nèi)浩大的市場(chǎng)需求，因此民間資本多項(xiàng)選擇擇雙極性電路作為集盤二手設(shè)備。由于投資額相對(duì)較低，折舊負(fù)擔(dān)也相對(duì)較小。主要上市公司分析華微電子〔600360〕域。華微電子過(guò)去幾年的進(jìn)展主要得益于其芯片生產(chǎn)力量的提升。35.63%15.64%，顯示出良好的經(jīng)營(yíng)績(jī)效。生命周期較長(zhǎng)的分別器件，其瞄準(zhǔn)的目標(biāo)市場(chǎng)是家電、節(jié)能燈、計(jì)算機(jī)等中國(guó)具有制造優(yōu)勢(shì)的領(lǐng)域。MOSFETIGBTMOSFETIGBT的市場(chǎng)增長(zhǎng)MOSFETIGBT更加易用，而且后者代表技術(shù)，性價(jià)比能快速提高，因而雙極型功率晶體管面臨著不斷失去自己領(lǐng)地的局面。〔如深愛(ài)半導(dǎo)體、揚(yáng)州晶來(lái)〕在雙極性功率晶體管上的擴(kuò)產(chǎn)和劇烈競(jìng)爭(zhēng)；另一方面雙極性持目士蘭微〔600460〕650.81.0微米，目前實(shí)際月0.60.8微米，第一期的工藝設(shè)備已調(diào)試完畢，現(xiàn)已進(jìn)入量產(chǎn)。BiCMOS領(lǐng)域。在量大面廣的消費(fèi)類集成電路產(chǎn)品，MOS功率晶體管等產(chǎn)品。BiCMOS工藝，其產(chǎn)品的市場(chǎng)空間和成長(zhǎng)性較好。其芯片生產(chǎn)線的整體運(yùn)行效益不太抱負(fù)的重要緣由。長(zhǎng)電科技〔600584〕〔屬于分別器件〕制造為主要業(yè)務(wù)的半導(dǎo)體企業(yè)。202315-150-200億只的力量。4英寸芯片生產(chǎn)線，其集成電路封裝和測(cè)試所用的芯片是來(lái)自于士蘭微等芯片設(shè)計(jì)和制造企業(yè)?！睟GA，CSP等〕和小型化〔TSSOP，TQFP，SOT等〕的封裝上取得較大的技術(shù)突破和業(yè)務(wù)拓展，其進(jìn)展的空間將大大增加，其經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)也有望進(jìn)一步提升。2090年月第八個(gè)五年打算，“909”是指第九個(gè)五個(gè)打算。兩大工程的主體企業(yè)分別是華晶和華虹。它們與華越、南科、貝嶺、先進(jìn)、首鋼日電共同組成了當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)具有代表性的七大芯片制造企業(yè)。工程和“909”水平，但實(shí)際的狀況與期望相差較遠(yuǎn)。1.26英寸芯片生產(chǎn)線，產(chǎn)品定位在ASIC〔專用集成電路〕。但由于審批時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，工程從開(kāi)頭立項(xiàng)到真)19972.4億元。DRAM。這是半導(dǎo)體市場(chǎng)中容量最大、更換代最快的產(chǎn)品之一?！?09”生產(chǎn)線投產(chǎn)的第一年，主打產(chǎn)尚處于生命周期成熟期的末端，市場(chǎng)容量較大，價(jià)格水平不錯(cuò)，因此第一年盈利較好。投產(chǎn)其次年以后，64兆就進(jìn)入了生命周期的衰退期，市場(chǎng)容量萎縮，價(jià)格成倍下降。以全設(shè)備構(gòu)成的生產(chǎn)線，一樣陷入了高折舊、低收入的泥沼。華微電子〔600360〕域。華微電子過(guò)去幾年的進(jìn)展主要得益于其芯片生產(chǎn)力量的提升。35.63%15.64%，顯示出良好的經(jīng)營(yíng)績(jī)效。生命周期較長(zhǎng)的分別器件，其瞄準(zhǔn)的目標(biāo)市場(chǎng)是家電、節(jié)能燈、計(jì)算機(jī)等中國(guó)具有制造優(yōu)勢(shì)的領(lǐng)域。MOSFETIGBTMOSFETIGBT的市場(chǎng)增長(zhǎng)MOSFETIGBT更加易用，而且后者代表技術(shù)，性價(jià)比能快速提高，因而雙極型功率晶體管面臨著不斷失去自己領(lǐng)地的局面。〔如深愛(ài)半導(dǎo)體、揚(yáng)州晶來(lái)〕在雙極性功率晶體管上的擴(kuò)產(chǎn)和劇烈競(jìng)爭(zhēng)；另一方面雙極性持目士蘭微〔600460〕650.81.0微米，目前實(shí)際月0.60.8微米，第一期的工藝設(shè)備已調(diào)試完畢，現(xiàn)已進(jìn)入量產(chǎn)。BiCMOS領(lǐng)域。在量大面廣的消費(fèi)類集成電路產(chǎn)品，MOS功率晶體管等產(chǎn)品。BiCMOS工藝，其產(chǎn)品的市場(chǎng)空間和成長(zhǎng)性較好。其芯片生產(chǎn)線的整體運(yùn)行效益不太抱負(fù)的重要緣由。長(zhǎng)電科技〔600584〕〔屬于分別器件〕制造為主要業(yè)務(wù)的半導(dǎo)體企業(yè)。202315-150-200億只的力量。4英寸芯片生產(chǎn)線，其集成電路封裝和測(cè)試所用的芯片是來(lái)自于士蘭微等芯片設(shè)計(jì)和制造企業(yè)?！睟GA，CSP等〕和小型化〔TSSOP，TQFP，SOT等〕的封裝上取得較大的技術(shù)突破和業(yè)務(wù)拓展，其進(jìn)展的空間將大大增加，其經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)也有望進(jìn)一步提升。2090年月第八個(gè)五年打算，“909”是指第九個(gè)五個(gè)打算。兩大工程的主體企業(yè)分別是華晶和華虹。它們與華越、南科、貝嶺、先進(jìn)、首鋼日