STM8S103K3STM8S103F3 STM8S103K3STM8S103F3基礎(chǔ)型系列 8位單片機(jī)，多達(dá)8K字節(jié)集成數(shù)據(jù)EEPROM，10位ADC，3個(gè)定時(shí)特內(nèi)器數(shù)據(jù)器：640字節(jié)真正的數(shù)EEPROM；可達(dá)30萬(wàn)次擦RAM：1K時(shí)鐘、復(fù)位和電源2.95到5.5V工作電靈活的時(shí)鐘控制，4個(gè)主時(shí)鐘用戶(hù)可調(diào)整的內(nèi)部16MHz內(nèi)部低功耗128kHz低功耗模式(等待、活躍停機(jī)、停機(jī)中斷管帶有32個(gè)中斷的嵌套中斷控制6個(gè)外部中斷向量，最多27個(gè)外部中定時(shí)

道(IC、OC或)帶有8位預(yù)分頻器的8位基本定時(shí)通I2C接口最高到模數(shù)轉(zhuǎn)換I/O32腳封裝上最多有28個(gè)I/O，包21個(gè)高吸收電流輸開(kāi)發(fā)支可以方便地進(jìn)行編程和非侵入式調(diào)本文檔英文原文地址簡(jiǎn) 詳細(xì)描 模塊框 產(chǎn)品概 STM8的處理單 單線(xiàn)接口模塊(SWIM)和調(diào)試模塊 中斷控制 Flash程序器和數(shù)據(jù)EEPROM 時(shí)鐘控制 電源管 看門(mén)狗定時(shí) 自動(dòng)喚醒計(jì)數(shù) 蜂鳴 TIM1—16位高級(jí)控制定時(shí) TIM2—16位通用定時(shí) TIM4—8位基本定時(shí) 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 通 引腳及其描 備選功能重映 器和寄存器映 器映 寄存器映 中斷向量映 選項(xiàng)字 特有 電氣特 參數(shù)條 最小和最大 典型數(shù) 典型曲 負(fù)載電 引腳輸入電 絕對(duì)最大額定 工作條 VCAP外部電 供電電流特 外部時(shí)鐘源和時(shí)間特 內(nèi)部時(shí)鐘源和時(shí)間特 器特 復(fù)位管腳特 串行外設(shè)接口 I2C接口特 10位ADC特 封裝特 封裝機(jī)械數(shù) LQFP封裝尺 QFN封裝機(jī)械數(shù) TSSOP封裝機(jī)械數(shù) UFQFPN封 熱特 參考文 選擇產(chǎn)品的溫度范 訂購(gòu)信 仿真和調(diào)試工 軟件工 STM8工具套 C和匯編工 編程工 簡(jiǎn) 簡(jiǎn)這本描述了STM8S103xx基礎(chǔ)型系列單片機(jī)的特點(diǎn)、引腳分配、電氣特性、機(jī)械特性如果需要關(guān)于內(nèi)部Flash器的編程、擦除和保護(hù)的信息，請(qǐng)參考STM8S閃存編程手(PM0051)如果需要關(guān)于調(diào)試和SWIM(singlewireinterfacemodule單線(xiàn)接口模塊)，請(qǐng)參考STM8如果需要關(guān)于STM8內(nèi)核的信息，請(qǐng)參考 CPU編程手冊(cè)(PM0044)詳細(xì)描 詳細(xì)STM8S103xx基礎(chǔ)型系列8位單片機(jī)提供容量為8K字節(jié)的Flash程序器，集成真正的數(shù)16MHzCPU定高入捕出比較通 器(字節(jié)(字節(jié)34高級(jí)控制定時(shí)器7057051無(wú)RWW(寫(xiě)入的同時(shí)讀)模塊框 模塊圖 模塊框產(chǎn)品STM8的處理單8位的STM8內(nèi)核在設(shè)計(jì)時(shí)考慮了代碼的效率和性結(jié)構(gòu)和寄3級(jí)流水32位寬程序器總線(xiàn)—對(duì)于大多數(shù)指令可進(jìn)行單周期取8位累加24位程序指針—16M字節(jié)線(xiàn)性地址16位堆棧指針—可以64K字節(jié)深度堆8位狀態(tài)寄存器—可根據(jù)上條指令的結(jié)果產(chǎn)生7個(gè)狀態(tài)標(biāo)志尋20種尋址模指令80條指令，指令的平均長(zhǎng)度為28位乘8位的乘法指位除位和位除位除法可通過(guò)對(duì)堆棧的直接實(shí)現(xiàn)堆棧和累加器之間的數(shù)據(jù)直接傳送單線(xiàn)接口模塊(SWIM)和調(diào)試模塊通過(guò)單線(xiàn)接口模塊可以直接調(diào)試模塊和對(duì)器編程。這個(gè)接口在設(shè)備運(yùn)行的所有模式下調(diào)試模非侵入式調(diào)試模塊近似于一個(gè)全功能的仿真器，通過(guò)寄存器可以實(shí)時(shí)地觀測(cè)到器、外實(shí)時(shí)地對(duì)RAM通過(guò)暫停CPU可以對(duì)所有資源進(jìn)行讀寫(xiě)2個(gè)高級(jí)斷點(diǎn)，23種預(yù)定義的配中斷控制帶有3級(jí)軟件優(yōu)先級(jí)設(shè)定的嵌套中帶有硬件優(yōu)先級(jí)的32個(gè)中斷向包括TLI中斷在內(nèi)的，最多27個(gè)外部中斷分布在6個(gè)中斷向量Flash程序器和數(shù)據(jù)EEPROM8K字節(jié)的單電壓閃存程序640字節(jié)的真正的數(shù)據(jù)寫(xiě)保護(hù)寫(xiě)保護(hù)分為兩個(gè)等級(jí)。第一級(jí)寫(xiě)保護(hù)叫做MAS(MemoyAccessSecurySstm，作安全保障系統(tǒng))。MAS始終有效并保護(hù)主要的閃存程序器，數(shù)據(jù)EEPRM和選項(xiàng)設(shè)置字節(jié)。如果需要執(zhí)行IAP(In-ApplicationProgramming，編程)，可以向控制寄存器中寫(xiě)入MASS關(guān)鍵字序列去掉寫(xiě)保護(hù)，然后應(yīng)用程序就可以向數(shù)據(jù)EEPROM寫(xiě)入數(shù)據(jù)，或者修改主程序器為了進(jìn)一步保護(hù)一些特殊的UBC(Userbootcode，用戶(hù)啟動(dòng)代碼)器區(qū)域，可以打開(kāi)二級(jí)保主程序器：最多至8K字節(jié)減去UBC區(qū)域的大用戶(hù)指定的啟動(dòng)代碼(UBC)：可配置最高至8K編程時(shí)UBC區(qū)域仍然保持寫(xiě)保護(hù)。也就是說(shuō)，MASS關(guān)鍵字不能UBC區(qū)域。這保護(hù)了圖 讀出保護(hù)讀出保護(hù)功能在IP模式(和調(diào)試模式)下對(duì)Flsh程序器和數(shù)據(jù)EPRM器的讀寫(xiě)操作。一旦讀保護(hù)功能使能后，任何嘗試改變其狀態(tài)的操作都會(huì)將程序和數(shù)據(jù)器全部擦除。盡管沒(méi)有保護(hù)被認(rèn)為是完全不可的，這個(gè)功能還是為通用的單片機(jī)提供了一個(gè)非常高等級(jí)的保護(hù)措施。時(shí)鐘控制特點(diǎn)主時(shí)鐘源：4個(gè)不同的時(shí)鐘源可用來(lái)驅(qū)1~16MHz高速外部晶振最高至16MHz的高速外部時(shí)鐘16MHz高速內(nèi)部RC振蕩器128kHz低速內(nèi)部可配置的主時(shí)鐘輸出(CCO)：應(yīng)用程序可以控制輸出一個(gè)外部時(shí)表 CLK_PCKENR1/2寄存器中的外設(shè)時(shí)鐘控制外外外外電源管看門(mén)狗定時(shí)窗口看門(mén)超時(shí)：在 CPU時(shí)鐘下超時(shí)時(shí)間可以在75μs到64ms之間進(jìn)行調(diào)整獨(dú)立看門(mén)狗(IWDG)定時(shí)自動(dòng)喚醒計(jì)數(shù)時(shí)鐘源：內(nèi)部128kHz低頻RC振蕩器或外部時(shí)鐘用于校準(zhǔn)時(shí)，LSI時(shí)鐘可以從內(nèi)部連接到TIM1的輸入捕獲通道1蜂鳴蜂鳴器功能通過(guò)BEEP引腳輸出信號(hào)來(lái)產(chǎn)生聲音。這個(gè)信號(hào)可在1、2或者4kHz中選擇TIM116位高級(jí)控制定時(shí)帶有16位預(yù)分頻的16位遞增、遞減和雙向(遞增/遞減)自動(dòng)重載計(jì)數(shù) 死區(qū)時(shí)間可調(diào)的3個(gè)互補(bǔ)編模中斷源：3個(gè)輸入捕獲/輸出比較，1個(gè)溢出/更新，1個(gè)剎TIM21616位向上計(jì)數(shù)和自動(dòng)裝載計(jì)數(shù)15位的預(yù)分頻器，分頻系數(shù)可調(diào)整為1～32768之間的2次冪數(shù)帶有3個(gè)獨(dú)立可配置的捕獲/比較中斷源：3個(gè)輸入捕獲/輸出比較，1個(gè)溢出/TIM4—8位基本定8位自動(dòng)裝載可調(diào)整的預(yù)分頻器，比例可選為1~128之間2次冪數(shù)時(shí)鐘源：CPU器(位器(位同步/1~65536之間任意整43有無(wú)1~32768間任意230無(wú)81~128間任意200無(wú)模數(shù)轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換時(shí)間：14個(gè)時(shí)鐘緩沖區(qū)大?。簄x10(n=輸入通道數(shù)轉(zhuǎn)換結(jié)束(EOC)中通主要特1M位/秒全雙工模擬IrDASIRLIN主模異步通信(UART模式2個(gè)接收喚醒模式地址位同步通8位數(shù)據(jù)通最大速度：在16MHz(fCPU/16)時(shí)為1M位/LIN主模發(fā)送：產(chǎn)生13位同步中斷接收：檢測(cè)11位中斷最大速率：8M位/秒(fMASTER/2)無(wú)論主設(shè)備或從設(shè)CRC1個(gè)字節(jié)的發(fā)送或接收緩I2C主設(shè)備特點(diǎn)I2C從設(shè)備特點(diǎn)可編程的I2C地址檢可產(chǎn)生和檢測(cè)7位/10位尋址和廣播尋圖 2．(T)真正的開(kāi)漏輸出(沒(méi)有P-buffer和連接到VDD的保護(hù)二極管)表 符號(hào)和縮寫(xiě)說(shuō)I輸入，O輸出，SCM=HSHighsinkO1=慢速(最高到2MHz)O2快速(最高到10MHz)==float=浮置，wpuT真正的開(kāi)漏結(jié)構(gòu)，OD開(kāi)漏結(jié)構(gòu)，PP復(fù)位狀態(tài)用加粗字體表 VFQFPN32/LQFP32引腳說(shuō)編管腳名類(lèi)輸輸主功(復(fù)位后復(fù)用功映射后的備選功能[設(shè)置選項(xiàng)浮上中吸速1X復(fù)位2XXXXX端口晶振輸3XXXXX端口晶振輸4S數(shù)字5S1.8V調(diào)壓器電6S數(shù)字部分供7XXXXX端口定時(shí)器2通道8XXXX端口9XXXXX端口XXXXX端口XX端口I2C數(shù)XX端口I2C時(shí)XXXXX端口模擬輸入定時(shí)器1外部觸XXXXX端口模擬輸入定時(shí)器1通道3反輸XXXXX端口模擬輸入定時(shí)器1通道2反輸XXXXX端口模擬輸入XXXXX端口SPI主/從選XXXXX端口XXXXX端口定時(shí)器1-通道XXXXX端口定時(shí)器1-通道XXXXX端口XXXXX端口SPI時(shí)XXXXX端口SPI主出/從XXXXX端口SPI主入/從XXXXX端口定時(shí)器1-剎車(chē)配置時(shí)鐘輸XXXXX端口SWIM數(shù)據(jù)接X(jué)XXXX端口晶振輸定時(shí)器2通道XXXXX端口ADCXXXXX端口XXXXX端口UART1數(shù)據(jù)發(fā)XXXXX端口UART1數(shù)據(jù)接X(jué)XXXX端口中在開(kāi)漏輸出列中‘T’表示真正的開(kāi)漏I/O(沒(méi)有P-buffer和連接到VDD的保護(hù)二極管)圖 STM8S103FTSSOP20引[]圖 STM8S103FUFQFPN封裝引[]表 STM8S103F引腳描管腳編管腳名類(lèi)輸輸主功(復(fù)位后復(fù)用功映射后的備選功能浮1XXXXX端口2XXXXX端口3XXXXX端口41X復(fù)位52XXXXX端口63XXXXX端口74S85S96S7XXXXX端口8XX端口9XX端口[TLI][TIM1_CH1N]XXXXX中斷[AIN2]XXXXXXXXXX端口XXXXX端口XXXXX端口XXXXXXXXXX端口XXXXX端口在開(kāi)漏輸出列中‘T’表示真正的開(kāi)漏I/O(沒(méi)有P-buffer和連接到VDD的保護(hù)二極管)備選功能重映如引腳描述表最右列中所示，通過(guò)對(duì)8個(gè)(備選功能重映射)選項(xiàng)位中的一位，一些備選功能可以被重新映射到不同的I/O端口上。請(qǐng)參考第8章：選項(xiàng)字節(jié)。當(dāng)相應(yīng)的重映射選項(xiàng)被打開(kāi)后，引腳默認(rèn)的復(fù)用功能將不可用了。備選功能重映射不影響I/O端口的GPIO功能(請(qǐng)見(jiàn)參考手冊(cè)RM0016中有關(guān)GPIO的章節(jié)) 器和寄存器映 器映圖 器映寄存器映表 00端口0000000000端口0000000000端口端口C數(shù)據(jù)輸出鎖存寄00端口C輸入引腳值寄存00端口C數(shù)據(jù)方向寄存00端口C控制寄存器00端口C控制寄存器00端口端口D數(shù)據(jù)輸出鎖存寄存00端口D輸入引腳值寄存00端口D數(shù)據(jù)方向寄存00端口D控制寄存器00端口D控制寄存器00端口0000000000端口000000端口F控制寄存器00端口F控制寄存器表 通用硬件寄存器影00至00保留區(qū)(60字節(jié)00FLASH控制寄存器00FLASH控制寄存器00FLASH互補(bǔ)控制寄存器00FLASH保護(hù)寄存00FLASH互補(bǔ)保護(hù)寄存00FLASH在應(yīng)用編程狀態(tài)寄00至00保留區(qū)(2字節(jié)00FLASH解保護(hù)寄存00保留區(qū)(1字節(jié)00數(shù)據(jù)EEPROM解保護(hù)00至00保留區(qū)(59字節(jié)00外部中斷控制寄存器00外部中斷控制寄存器00至00保留區(qū)(17字節(jié)0000至00保留區(qū)(12字節(jié)000000保留區(qū)(1字節(jié)0000000000外設(shè)時(shí)鐘門(mén)控寄存器000000外設(shè)時(shí)鐘門(mén)控寄存器00CAN總線(xiàn)時(shí)鐘控制寄存00HIS時(shí)鐘微調(diào)00SWIM時(shí)鐘控制寄存00至00保留區(qū)(3字節(jié)00WWDG控制00WWDR窗口寄存00至00保留區(qū)(13字節(jié)00IWDG密鑰寄—00IWDG預(yù)分頻00IWDG重裝載00至00保留區(qū)(13字節(jié)00AWU控制/狀態(tài)寄存00AWU異步預(yù)分頻寄存00AWU時(shí)基選擇寄存0000至00保留區(qū)(12字節(jié)000000000000SPICRC多項(xiàng)式寄存00SPI接收CRC00SPI發(fā)送CRC00至00保留區(qū)(8字節(jié)00I2C控制寄存器00I2C控制寄存器00I2C頻率寄存00I2C自身地址寄存器低00I2C自身地址寄存器00保留區(qū)(1字節(jié)00I2C數(shù)據(jù)寄存00I2C狀態(tài)寄存器00I2C狀態(tài)寄存器00I2C狀態(tài)寄存器00I2C中斷控制寄存00I2C時(shí)鐘控制寄存器低00I2C時(shí)鐘控制寄存器0000I2C包錯(cuò)誤檢查寄存00至00保留區(qū)(17字節(jié)00UART1狀態(tài)00UART1數(shù)據(jù)00UART1波特率寄存器00UART1波特率寄存器00UART1控制寄存器00UART1控制寄存器00UART1控制寄存器00UART1控制寄存器00UART2控制寄存器00UART1保護(hù)時(shí)間寄存00UART1預(yù)分頻寄存00至00保留區(qū)(21字節(jié)00TIM1控制寄存器00TIM1控制檢測(cè)器00TIM1從模式控制寄00TIM1外部觸發(fā)寄存00TIM1中斷使能寄存00TIM1狀態(tài)寄存器00TIM1狀態(tài)寄存器00TIM1事件產(chǎn)生寄存00TIM1比較/捕獲模式寄存器00TIM1比較/捕獲模式寄存器00TIM1比較/捕獲模式寄存器00TIM1比較/捕獲模式寄存器00TIM1比較/捕獲使能寄存器00TIM1比較/捕獲使能寄存器00TIM1計(jì)數(shù)器00TIM1計(jì)數(shù)器低00TIM1預(yù)分頻寄存器00TIM1預(yù)分頻寄存器低00TIM1預(yù)裝載寄存器00TIM1預(yù)裝載寄存器低00TIM1重復(fù)計(jì)數(shù)器寄存00TIM1比較/捕獲寄存器100TIM1比較/捕獲寄存器1低00TIM1比較/捕獲寄存器200TIM1比較/捕獲寄存器2低00TIM1比較/捕獲寄存器300TIM1比較/捕獲寄存器3低00TIM1比較/捕獲寄存器400TIM1比較/捕獲寄存器4低00TIM1剎車(chē)寄存00TIM1死區(qū)寄存00TIM1輸出停滯狀態(tài)寄00至00保留區(qū)(147字節(jié)00TIM2控制寄存器000000TIM2中斷使能寄存00TIM2狀態(tài)寄存器00TIM2狀態(tài)寄存器00TIM2事件產(chǎn)生寄存00TIM2比較/捕獲寄存器00TIM2比較/捕獲寄存器00TIM2比較/捕獲寄存器00TIM2比較/捕獲使能寄存器00TIM2比較/捕獲使能寄存器00TIM2計(jì)數(shù)器00TIM2計(jì)數(shù)器低00TIM2預(yù)分頻寄存00TIM2預(yù)裝載寄存器00TIM2預(yù)裝載寄存器低00TIM2比較/捕獲寄存器100TIM2比較/捕獲寄存器1低00TIM2比較/捕獲寄存器200TIM2比較/捕獲寄存器2低00TIM2比較/捕獲寄存器300TIM2比較/捕獲寄存器3低00至00保留區(qū)(43字節(jié)00TIM4控制寄存器000000TIM4中斷使能寄存00TIM4狀態(tài)寄存00TIM4事件產(chǎn)生寄存00TIM400TIM4預(yù)分頻寄存00TIM4預(yù)裝載寄存00至00保留位(153字節(jié)00至00ADC數(shù)據(jù)緩沖寄存00至00保留區(qū)(12字節(jié)00ADC控制/狀態(tài)寄存00ADC配置寄存器00ADC配置寄存器00ADC配置寄存器00ADC數(shù)據(jù)寄存器00ADC數(shù)據(jù)寄存器低00ADC觸發(fā)器禁用寄存器00ADC觸發(fā)器禁用寄存器低00ADC高閾值00ADC高閾值低00ADC低閾值00ADC低閾值低00ADC模擬看門(mén)狗狀態(tài)寄存器00ADC模擬看門(mén)狗狀態(tài)寄存器00ADC模擬看門(mén)狗控制寄存器00ADC模擬看門(mén)狗控制寄存器00至00保留區(qū)(1008字節(jié)表 CPU/SWIM/調(diào)試模塊/中斷控制寄存00A0000000000000000000000至00保留區(qū)(85字節(jié)0000中斷軟件優(yōu)先級(jí)寄存器00中斷軟件優(yōu)先級(jí)寄存器00中斷軟件優(yōu)先級(jí)寄存器00中斷軟件優(yōu)先級(jí)寄存器00中斷軟件優(yōu)先級(jí)寄存器00中斷軟件優(yōu)先級(jí)寄存器00中斷軟件優(yōu)先級(jí)寄存器00中斷軟件優(yōu)先級(jí)寄存器00保留區(qū)(2字節(jié)0000SWIM控制狀態(tài)寄存00至00保留區(qū)(15字節(jié)00DM斷點(diǎn)1寄存器擴(kuò)展字00DM斷點(diǎn)1寄存器高字00DM斷點(diǎn)1寄存器低字00DM斷點(diǎn)2寄存器擴(kuò)展字00DM斷點(diǎn)2寄存器高字00DM斷點(diǎn)2寄存器低字00DM調(diào)試模塊控制寄存器00DM調(diào)試模塊控制寄存器00DM調(diào)試模塊控制/狀態(tài)寄存器00DM調(diào)試模塊控制/狀態(tài)寄存器00DM使能功能寄存00至00保留區(qū)(5字節(jié)中斷向量映 表10編中斷說(shuō)模式喚向量地復(fù)是是0x00軟件中--0x000外部中--0x001從停機(jī)模式自動(dòng)-是0x002時(shí)鐘控制--0x003端口A外部是是0x004端口B外部中是是0x005端口C外部中是是0x006端口D外部中是是0x007端口E外部中是是0x008保--0x009保--0x00傳輸結(jié)是是0x00定時(shí)器1更新/上溢出/下溢出/觸發(fā)/--0x00定時(shí)器1捕獲/--0x00定時(shí)器2更新/上溢--0x00定時(shí)器2捕獲/--0x00保--0x00保--0x00發(fā)送完--0x00接收寄存器數(shù)據(jù)--0x00I2C是是0x00保--0x00保--0x00ADC1轉(zhuǎn)換結(jié)束/模擬看門(mén)狗中--0x00定時(shí)器4更新/上溢--0x00--0x00保0x00806C0x001．PA1除選項(xiàng)選項(xiàng)字節(jié)包括硬件特性的配置和器的保護(hù)信息，這些字節(jié)保存在器中一個(gè)的塊內(nèi)。除了P(讀出保護(hù))字節(jié)，每個(gè)選項(xiàng)字節(jié)必須被保存兩次，一個(gè)是通常的格式)和一個(gè)用來(lái)備份的互補(bǔ)格式)?？梢栽贗CP模式(通過(guò)SWIM)下下表中EEPROM的地址來(lái)修改選項(xiàng)字節(jié)有關(guān)SWIM編程過(guò)程的內(nèi)容請(qǐng)參考STM8S閃存編程手冊(cè)(PM0051)和STM8SWIM通信協(xié)議和調(diào)表11地選項(xiàng)名字選項(xiàng)出廠(chǎng)默認(rèn)設(shè)76543210讀保用啟動(dòng)代其它選保保時(shí)鐘選保保U表12ROP[7:0]器讀出保護(hù)0xAA：讀出保護(hù)使能(通過(guò)SWIM協(xié)議寫(xiě)入注：詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)參考產(chǎn)品參考手冊(cè)(RM0016)中關(guān)于Flash/EEPROM器讀保護(hù)內(nèi)容的章節(jié)]0x00：沒(méi)有UBC，沒(méi)有寫(xiě)保0x01：頁(yè)0定義為UBC，器寫(xiě)保護(hù)0x02：頁(yè)0~頁(yè)1定義為UBC，器寫(xiě)保護(hù)。頁(yè)0~頁(yè)1包含中斷向量…0x7F：頁(yè)0~頁(yè)126定義為UBC，器寫(xiě)保護(hù)其余數(shù)值：頁(yè)0~頁(yè)127定義為UBC，器寫(xiě)保注：詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)參考產(chǎn)品參考手冊(cè)(RM0016)中關(guān)于Flash/EEPROM器寫(xiě)保護(hù)內(nèi)容的章節(jié)32引腳封裝的參考表20引腳封裝的參考表:0：CLK_HSITRIMR寄存器支持3位調(diào)1：CLK_HSITRIMR寄存器支持4位調(diào)LSI_EN：低速內(nèi)部時(shí)鐘0：LSI時(shí)鐘不能被用作CPU的時(shí)鐘源1：LSI時(shí)鐘可以被用作CPU的時(shí)鐘源0：IWDG獨(dú)立看門(mén)狗由軟件激活1：IWDG獨(dú)立看門(mén)狗由硬件激活0：WWDG窗口看門(mén)狗由軟件激活1：WWDG窗口看門(mén)狗由硬件激活 當(dāng)進(jìn)入停機(jī)模式時(shí)窗口看門(mén)狗的復(fù)位動(dòng)0：如果窗口看門(mén)狗使能，當(dāng)進(jìn)入停機(jī)模式時(shí)不產(chǎn)生復(fù)位1：如果窗口看門(mén)狗使能，當(dāng)進(jìn)入停機(jī)模式時(shí)可以產(chǎn)生復(fù)位EXT_CLK：外部時(shí)鐘0：外部晶體振蕩器連接到OSCIN/OSCOUT1：外部時(shí)鐘連接到OSCINCKAWUSEL：自動(dòng)喚醒單元/時(shí)0：LSI時(shí)鐘源作為AWU1：HSE分頻后的時(shí)鐘作為AWU的時(shí)10：8MHz到128kHz分11：4MHz到128kHz分0xB4：128個(gè)HSE周0xD2：8個(gè)HSE周0xE1：0.5個(gè)HSE周表13STM8S103K對(duì)于321：端口D7復(fù)用功能為AFR5復(fù)用功能重映射選項(xiàng)0：端口D0復(fù)用功能為1：端口D0復(fù)用功能為AFR1復(fù)用功能重映射選項(xiàng)0：端口A3復(fù)用功能為1：端口A3復(fù)用功能為SPI_NSS，端口D2復(fù)用功能為AFR0復(fù)用功能重映射選項(xiàng)不要在同一個(gè)端口使能1個(gè)以上的復(fù)用功能。同時(shí)使能AFR1和表14STM8S103F對(duì)于20AFR7復(fù)用功能重映射選項(xiàng)0：端口C3復(fù)用功能TIM1_CH3，端口C4復(fù)用功能TIM1_CH4、AIN2或1：端口C3復(fù)用功能TIM1_CH1N，端口C4復(fù)用功能AFR4復(fù)用功能重映射選項(xiàng)0：端口B4復(fù)用功能I2C_SCL，端口B5復(fù)用功能1：端口B4復(fù)用功能ADC_ETR，端口B5復(fù)用功能AFR3復(fù)用功能重映射選項(xiàng)0：端口C3復(fù)用功能為1：端口C3復(fù)用功能為AFR2復(fù)用功能重映射選項(xiàng)0：AIN2和AIN3不映射在端口C4和D21：端口C4復(fù)用功能AIN2，端口D2復(fù)用功能AFR1復(fù)用功能重映射選項(xiàng)0：端口A3復(fù)用功能1：端口A3復(fù)用功能SPI_NSS，端口D2復(fù)用功能AFR0復(fù)用功能重映射選項(xiàng)0：端口C5復(fù)用功能SPI_SCK，端口C6復(fù)用功能SPI_MOSI，端口C7復(fù)用功能1：端口C5復(fù)用功能TIM2_CH1，端口C6復(fù)用功能TIM1_CH1，端口C7復(fù)用功能不要在同一個(gè)端口使能1個(gè)以上的復(fù)用功能。同時(shí)使能AFR1和AFR0特有STM8S103x系列產(chǎn)品的特色是提供一個(gè)96-位的設(shè)備標(biāo)識(shí)符，它提供了一個(gè)在任何情況和任何表15特有ID寄存器（96位電氣參數(shù)條除非特別說(shuō)明，在生產(chǎn)線(xiàn)上通過(guò)對(duì)100%的產(chǎn)品在環(huán)境溫度TA=25°C和TA=TAmax下執(zhí)行的測(cè)試(TAmax與選定的溫度范圍匹配)，所有最小和最大值將在的環(huán)境溫度、供電電壓和時(shí)鐘頻率在每個(gè)表格下方的注解中說(shuō)明為通過(guò)推算、設(shè)計(jì)模擬和/或工藝特性得到的數(shù)據(jù)，不會(huì)在生產(chǎn)線(xiàn)上進(jìn)試；在推算的基礎(chǔ)上，最小和最大數(shù)值是通過(guò)樣本測(cè)試后，取其平均值再加減三倍的典型數(shù)除非特別說(shuō)明，典型數(shù)據(jù)是基于TA=25°C和VDD=5V。這些數(shù)據(jù)僅用于設(shè)計(jì)指導(dǎo)而測(cè)試典型曲負(fù)載電 絕對(duì)最大額定加在器件上的載荷如果超過(guò)‘絕對(duì)最大額定值’列表中給出的值可能會(huì)導(dǎo)致器件永久性地?fù)p壞。這里只是給出能承受的最大載荷，并不意味在此條件下器件的功能性操作無(wú)誤。器件長(zhǎng)期工作在最大值條件下會(huì)影響器件的可靠性。表16VDDx--VV在真正開(kāi)漏管腳上的輸入電壓在其他管腳上的輸入電壓VDD|VDDx–VDD|VSSx-ESD靜電放電所有的電源(VDD)和地(VSS)管腳必須始終連接到外部對(duì)應(yīng)的供電引腳上INJ(PIN)絕對(duì)不可以超過(guò)它的極限，即保證VIN不超過(guò)其最大值。如果不能保證VN不超過(guò)其最大值，也要保證限制IINJ(PIN)值。當(dāng)VIN>VDD時(shí)，有一個(gè)正向注入電流；當(dāng)VIN<VDD時(shí)，有一個(gè)負(fù)向注入電流。對(duì)于真正開(kāi)漏的管腳，沒(méi)有正向入電流，它對(duì)應(yīng)VIN的最大值必須得到保證表17最大值經(jīng)過(guò)VDD電源線(xiàn)的總電流(輸出電流)-IINJ(PIN)(3)NRST管腳的注入電+/-OSCIN管腳的注入電+/-+/-+/-所有的電源(VDD)和地(VSS)管腳必須始終連接到外部對(duì)應(yīng)的供電引腳上INJ(PN)絕對(duì)不可以超過(guò)它的極限，即保證VIN不超過(guò)其最大值。如果不能保證VIN不超過(guò)其最大值，也要保證限制IINJ(PIN)大值。當(dāng)VIN>VDD時(shí)，有一個(gè)正向注入電流；當(dāng)VIN<VDD時(shí)，有一個(gè)負(fù)向注入電流。對(duì)于真正開(kāi)漏的管腳，沒(méi)正向注入電流，它對(duì)應(yīng)VIN的最大值必須得到保證負(fù)注入電流會(huì)件的模擬性能。參看10.3.10節(jié)當(dāng)幾個(gè)I/O口同時(shí)有注入電流時(shí)，∑INJ(PN)的最大值為正向注入電流與負(fù)向注入電流的即時(shí)絕對(duì)值之和。該結(jié)果基于在器件4個(gè)I/O端口上∑INJ(PN)最大值的特性。表18值-65工作條表19內(nèi)部CPU時(shí)鐘0VVCAP外部電容1MHz時(shí)0.05ESR0.2P(2)TA=85℃溫度標(biāo)號(hào)TA=125℃溫度標(biāo)號(hào)環(huán)境溫度(溫度標(biāo)號(hào)-℃環(huán)境溫度(溫度標(biāo)號(hào)-溫度標(biāo)號(hào)-溫度標(biāo)號(hào)-PDmax(TA的計(jì)算方法是使用公式PDmaxTJmaxTA)/JA（11.2節(jié)熱工參數(shù)），TJmax圖 不同fCPUmax及VDD情況下的MCU工作情表20在上電/符參條單VDD上升2∞VDD下降速率2∞VDD上VV在tTEMP時(shí)間延遲后一定會(huì)產(chǎn)生復(fù)位。當(dāng)經(jīng)過(guò)tTEMP時(shí)間延遲后，必須保證VDD時(shí)鐘大于最小工作電壓(VDDmin)VCAP圖 外部電容電流消耗的測(cè)量方法如圖7所示在運(yùn)行模式下的總電MCU處于以下條件中所有的I/O口工作于輸入模式，并被連接到VDD或VSS(無(wú)負(fù)載)值運(yùn)行模式下流，代碼在HSE晶振HSE外部時(shí)鐘2HSIRC振蕩器2HSE外部時(shí)鐘HSIRC振蕩器HSIRC振蕩器運(yùn)行模式下流，代碼在HSE晶振HSE外部時(shí)鐘HSIRC振蕩器HSIRC振蕩器HSIRC振蕩器HSIRC振蕩器值運(yùn)行模式下流，代碼在HSE晶振HSE外部時(shí)鐘2HSIRC振蕩器2HSE外部時(shí)鐘HSIRC振蕩器HSIRC振蕩器運(yùn)行模式下流，代碼在HSE晶振4HSE外部時(shí)鐘HSIRC振蕩器HSIRC振蕩器HSIRC振蕩器HSIRC振蕩器在等待模式下的電流表23在VDD=5.0V，MCU值等待模式下HSE晶振HSE外部時(shí)鐘HSIRC振蕩器HSIRC振蕩器HSIRC振蕩器表24在VDD=3.3V，MCU值等待模式下HSE晶振HSE外部時(shí)鐘HSIRC振蕩器HSIRC振蕩器HSIRC振蕩器在活躍停機(jī)模式下的符參條單主調(diào)壓閃存模式HSE晶振HSE晶振配置CLK_ICKR寄存器中的REGAH位配置FLASH_CR1寄存器中的AHALT位符參條單主調(diào)壓閃存模式HSE晶振HSE晶振配置CLK_ICKR寄存器中的REGAH位配置FLASH_CR1寄存器中的AHALT位在停機(jī)模式下的電流表27在VDD=5.0V，MCU符參條單閃存處于工作模式，喚醒后使用HSI時(shí)閃存處于斷電模式，喚醒后使用HSI時(shí)表28在VDD=3.3V，MCU符參條單閃存處于工作模式，喚醒后使用HSI時(shí)閃存處于斷電模式，喚醒后使用HSI時(shí)低功耗模式下的喚醒表29最大值見(jiàn)注MVR調(diào)壓閃存在工作模式MVR調(diào)壓閃存在工作模式閃存在工作模式閃存在斷電模式2．tWU(WFI2X1/fmaster6X1/fCPU配置CLK_ICKR寄存器中的REGAH位配置FLASH_CR1寄存器中的AHALT位根據(jù)同步狀態(tài)需要增加1個(gè)LSI在強(qiáng)迫復(fù)位狀態(tài)下的總電流消耗表30符參條最大值單片上外設(shè)的電流表31符參單定時(shí)器1供電電流定時(shí)器2供電電流定時(shí)器4供電電流UART1供電電流I2C供電電流ADC1進(jìn)行轉(zhuǎn)換時(shí)的供電電流數(shù)據(jù)根據(jù)復(fù)位配置與連續(xù)的A/D轉(zhuǎn)換時(shí)的IDD差值測(cè)量得到。生產(chǎn)時(shí)不做測(cè)電流消耗圖11至圖16為當(dāng)代碼在RAM中運(yùn)行時(shí)的典型電流消耗圖 使用HSE外部時(shí)鐘fCPU=16MHz時(shí)典型的IDD(RUN)對(duì)比圖 使用HSE外部時(shí)鐘，VDD=5V時(shí)典型的IDD(RUN)對(duì)比圖 圖 使用HSE外部時(shí)鐘fCPU=16MHz時(shí)，典型的IDD(WFI)對(duì)比圖 使用HSE外部時(shí)鐘，VDD=5V時(shí)，典型的IDD(WFI)對(duì)比圖 HSE用戶(hù)外部時(shí)表32HSE符參條0OSCIN輸入管腳高0.7xVDD+VVHSELOSCIN輸入管腳低0.3xOSCIN輸入管腳漏電VSS<VIN<-1．?dāng)?shù)據(jù)基于特性總結(jié)得出，沒(méi)有在生產(chǎn)時(shí)測(cè)圖 HSE外部時(shí)鐘HSE石英/陶瓷晶體振E可由1Mz石英/陶瓷晶體提供時(shí)鐘。本節(jié)的所有信息都是基于使型外部器件得到的特性結(jié)果。在實(shí)際應(yīng)用中，晶體和負(fù)載電容必須盡可能近地放置于振蕩器管腳旁，以減少輸出畸變及啟動(dòng)時(shí)間。請(qǐng)參考晶體的用戶(hù)手冊(cè)以了解信息頻率、封裝、精度。表33HSE符參條1建議的加載電容HSE振蕩器功率消C=20pF,6(啟動(dòng)1.6(穩(wěn)定C=10pF,6(啟動(dòng)1.2(穩(wěn)定5VDD是穩(wěn)1C大約為晶體Cload的2倍可根據(jù)供電電流，使用Rm較小的高質(zhì)量晶體來(lái)優(yōu)化振蕩器的選擇。信息請(qǐng)參考晶體的用戶(hù)手冊(cè)tSU(HSE)是晶體的起振時(shí)間，其值為從軟件使能HSE開(kāi)始，直到16MHz圖 HSE振蕩器電路框HSE振蕩器關(guān)鍵參數(shù)gm計(jì)算公gm>>gmcrit高速內(nèi)部RC振蕩器表34HSI符參條HSI振蕩器的%-%VDD=5V，25℃≤TA≤-2.95V≤VDD≤-40℃≤TA≤-5HSI振蕩器電圖 VDD=5V時(shí)，在5種溫度下典型的HIS精圖 在4種溫度下典型的HSI頻率與VDD對(duì)低速內(nèi)部RC振蕩器符參條符參條LSI振蕩器的喚醒時(shí)7LSI振蕩器電5圖 在4種溫度下典型的LSI頻率與VDD對(duì)RAM和硬件寄存表36RAM符參條數(shù)據(jù)保持V不丟失在M和硬件寄存器中保存的數(shù)據(jù)的最小供電電壓(在停機(jī)模式或復(fù)位狀態(tài))。由設(shè)計(jì)保證，沒(méi)有在生產(chǎn)上測(cè)試。關(guān)于VIT-max參數(shù)，見(jiàn)表20FLASH程序器/數(shù)據(jù)EEPROM表37FLASH程序器/數(shù)據(jù)EEPROM符參條工作電壓(所有模式下，執(zhí)行/寫(xiě)/擦除fCPU≤V6對(duì)于1塊(64字節(jié))的快速編程33擦除/寫(xiě)入周期(2)(程序器TA=擦除/寫(xiě)入周期(2)(數(shù)據(jù)器TA=TRET=年在TA=+125℃時(shí)經(jīng)過(guò)300kTRET=1供電電流(Flash編程或擦除1至128字節(jié)2器的組織結(jié)構(gòu)是基于4字節(jié)的；因此，即使寫(xiě)/擦除操作只針對(duì)1個(gè)字節(jié)，實(shí)際的操作也是基于4個(gè)字I/O通用特表38I/O符參條VDD=-0.3xV0.7xVDD+V滯回電壓VDD=5V，VIN=tR,上升和下降時(shí)間VSS≤VIN≤IlkgVSS≤VIN≤注入電流1．觸發(fā)器的滯回電壓。數(shù)據(jù)基于特性總結(jié)得出，沒(méi)有在生產(chǎn)中測(cè)試圖 在4種溫度下典型的VIL和VIH與VDD的對(duì)圖 在4種溫度下典型的上拉電阻與VDD的對(duì)圖 在4種溫度下典型的上拉電流與VDD的對(duì)表39輸出驅(qū)動(dòng)電流(標(biāo)準(zhǔn)端口符參條輸出低電平，4個(gè)管腳吸收IIO=4mA，VDD=V輸出低電平，8個(gè)管腳吸收IIO=10mA，VDD=2輸出高電平，4個(gè)管腳輸出IIO=4mA，VDD=輸出高電平，8個(gè)管腳輸出IIO=10mA，VDD=1．?dāng)?shù)據(jù)基于特性總結(jié)得出，沒(méi)有在生產(chǎn)中測(cè)表40輸出驅(qū)動(dòng)電流(真正的開(kāi)漏端口符參條輸出低電平，2個(gè)管腳吸收IIO=10mA，VDD=VIIO=10mA，VDD=1IIO=20mA，VDD=1．?dāng)?shù)據(jù)基于特性總結(jié)得出，沒(méi)有在生產(chǎn)中測(cè)表41輸出驅(qū)動(dòng)電流(吸收大電流端口符參條輸出低電平，4個(gè)管腳吸收IIO=10mA，VDD=V輸出低電平，8個(gè)管腳吸收IIO=10mA，VDD=輸出低電平，4個(gè)管腳吸收IIO=20mA，VDD=輸出高電平，4個(gè)管腳輸出IIO=10mA，VDD=輸出高電平，8個(gè)管腳輸出IIO=10mA，VDD=輸出高電平，4個(gè)管腳輸出IIO=20mA，VDD=11．?dāng)?shù)據(jù)基于特性總結(jié)得出，沒(méi)有在生產(chǎn)中測(cè)圖 VDD=3.3V時(shí)，典型的VOL曲線(xiàn)(標(biāo)準(zhǔn)端口圖 VDD=5.0V時(shí)，典型的VOL曲線(xiàn)(標(biāo)準(zhǔn)端口圖 VDD=3.3V時(shí)，典型的VOL曲線(xiàn)(真正開(kāi)漏端口圖 VDD=5.0V時(shí)，典型的VOL曲線(xiàn)(真正開(kāi)漏端口圖 VDD=3.3V時(shí)，典型的VOL曲線(xiàn)(吸收大電流端口圖 VDD=5.0V時(shí)，典型的VOL曲線(xiàn)(吸收大電流端口圖 VDD=3.3V時(shí)，典型的VDD-VOH曲線(xiàn)(標(biāo)準(zhǔn)端口圖 VDD=5.0V時(shí)，典型的VDD-VOH曲線(xiàn)(標(biāo)準(zhǔn)端口圖 VDD=3.3V時(shí)，典型的VDD-VOH曲線(xiàn)(吸收大電流端口圖 VDD=5.0V時(shí)，典型的VDD-VOH曲線(xiàn)(吸收大電流端口符參條NRST輸符參條NRST輸入低電平-0.3xVVNRST輸入高電平0.7xVDD+NRST輸出低電平NRST上拉電阻NRST輸入濾波脈沖NRST輸入無(wú)濾波脈沖NRST輸出脈沖RPU上拉等效阻抗是基于一個(gè)有阻抗的晶體圖 在4種溫度條件下NRST的典型VIL和VIH相對(duì)于VDD的變圖 在4種溫度條件下NRST的典型上拉阻抗相對(duì)于VDD的變圖 在4種溫度條件下NRST的典型上拉電流相對(duì)于VDD的變下圖中的復(fù)位網(wǎng)絡(luò)保護(hù)不被意外復(fù)位。用戶(hù)必須確保NRST引腳上的電平能夠低于表38 串行外設(shè)接口的。tMASTER=1/fMASTER符參條件080符參條件080電容負(fù)載CNSS建立4xNSS保持)tw(SC(3)SCK高和低的tSCK/2-tSCK/2+tsu(MI55th(MI7 3x 從模式(使能邊沿之后主模式(使能邊沿之后從模式(使能邊沿之后tv(MO)主模式(使能邊沿之后參數(shù)是在選擇I/O輸出頻率10MHz時(shí)得到圖 圖 1．測(cè)量點(diǎn)基于CMOS電平：0.3VDD和圖 SPI時(shí)序圖—主模式1．測(cè)量點(diǎn)基于CMOS電平：0.3VDD和I2C表44I2C標(biāo)準(zhǔn)I2C?？焖買(mǎi)2C模式最小值最大值最小值SCL時(shí)鐘低時(shí)SCL時(shí)鐘高時(shí)SDA建立SDA數(shù)據(jù)保持SDA和SCL上升時(shí)SDA和SCL下降時(shí)停止至開(kāi)始條件時(shí)間(總線(xiàn)空閑fMASTER至少為8MHz才能達(dá)到最快的I2C速度(400kHz)數(shù)據(jù)基于標(biāo)準(zhǔn)I2C協(xié)議的需要，沒(méi)有在生產(chǎn)中為了跳過(guò)SCL下降沿的不確定區(qū)域，必須在內(nèi)部為SDA提供一個(gè)至少300ns的保持時(shí)間10位ADCADC時(shí)鐘VDDADC時(shí)鐘VDD=14VDD=16VA轉(zhuǎn)換電壓范圍V3t(1)fADC=fADC=7fADC=fADC=在采樣時(shí)間內(nèi)，輸入電容AI(最大F)采樣時(shí)間s內(nèi)能夠達(dá)到最終的電壓。在采樣時(shí)間s之后，模擬輸入電壓的變化不會(huì)影響轉(zhuǎn)換結(jié)果。采樣時(shí)間ts的值由編程確定。符參條最大值單|ETfADC=fADC=4fADC=|EO偏移誤差fADC=fADC=3fADC=3|EG增益誤差fADC=3fADC=3fADC=4|ED微分線(xiàn)性誤差fADC=fADC=fADC=|EL積分線(xiàn)性誤差fADC=fADC=2fADC=2AD個(gè)模擬輸入上的轉(zhuǎn)換精度。建議在可能產(chǎn)生潛在的負(fù)注入電流的標(biāo)準(zhǔn)模擬管腳上增加一個(gè)肖特基二極管。任何正的注入電流，只要不超過(guò)節(jié)的IJPN和ΣIJPN，則不會(huì)影響A的精度。|ETfADC=fADC=4|EO偏移誤差fADC=1fADC=|EG增益誤差fADC=3fADC=23|ED微分線(xiàn)性誤差fADC=1fADC=|EL積分線(xiàn)性誤差fADC=fADC=2個(gè)模擬輸入上的轉(zhuǎn)換精度。建議在可能產(chǎn)生潛在的負(fù)注入電流的標(biāo)準(zhǔn)模擬管腳上增加一個(gè)肖特基二極管(連接到地)。任何限制在10.3.6節(jié)的INJ(PN)和ΣIINJ(PIN)的正向注入電流，不會(huì)影響ADC的精度。圖 ADC的精確度特=====圖 ADC的典型應(yīng)EMC功能EMS(電磁兼容產(chǎn)品在兩種電磁測(cè)試環(huán)境下運(yùn)行一個(gè)簡(jiǎn)單的應(yīng)用程序(用I/O端口翻轉(zhuǎn)兩個(gè)LED)直到失效發(fā)生(LED上表現(xiàn)出來(lái))ESD：靜電放電(正向和反向)加載在的所有引腳上，直到功能性干擾發(fā)生。測(cè)試遵性干擾發(fā)生。測(cè)試遵守IEC1000-4-4標(biāo)準(zhǔn)。設(shè)計(jì)可靠的軟件以避免噪聲因此建議用戶(hù)進(jìn)行EMC軟件優(yōu)化，并且針對(duì)應(yīng)用的EMC等