1、 AIOT電子行業(yè)發(fā)展深度報(bào)告 一、核心觀點(diǎn)行業(yè)整體回顧：20Q3 營(yíng)收增速環(huán)比提升，歸母凈利潤(rùn)同比提升好于預(yù)期。 2020 前三季度整體共實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 16629.69 億元，同比增長(zhǎng) 7%，歸母凈利潤(rùn) 866.37 億元，同比增長(zhǎng) 26%；2020Q3 單季度共實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 6556.44 億元，同 比增長(zhǎng) 13%，歸母凈利潤(rùn) 399.73 億元，同比增長(zhǎng) 41%。2020 三季度營(yíng)收和 利潤(rùn)均有大幅邊際改善，單季度歸母凈利潤(rùn)連續(xù)兩個(gè)季度同比增速超過(guò) 30% 以上，伴隨利潤(rùn)率的提升，盈利質(zhì)量也有所提升。我們認(rèn)為，經(jīng)過(guò)上半年全 球疫情影響、宏觀經(jīng)濟(jì)下滑等多方面因素，整體產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)艿搅溯^大的沖擊， 從

2、Q2Q3 季度來(lái)看，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)蘇好于預(yù)期。具體體現(xiàn)在以下三方面：一 是三季度需求快速回暖，國(guó)內(nèi)產(chǎn)能恢復(fù)好于全球，導(dǎo)致國(guó)內(nèi)公司訂單景氣度 較高；二是供給端產(chǎn)能有所下降，中小企業(yè)受到疫情影響有部分產(chǎn)能退出， 導(dǎo)致行業(yè)集中度進(jìn)一步提升，行業(yè)龍頭實(shí)現(xiàn)份額提升；三是半導(dǎo)體及消費(fèi)電 子等主要下游需求來(lái)自國(guó)內(nèi)，因此一定程度上國(guó)內(nèi)需求帶動(dòng)了全球產(chǎn)業(yè)鏈復(fù) 蘇。消費(fèi)電子：5G 與 AIOT 時(shí)代啟動(dòng)，消費(fèi)電子終端將大規(guī)模延伸。梳理過(guò)去電 子行業(yè)發(fā)展過(guò)程及輪動(dòng)因素，我們認(rèn)為電子行業(yè)走過(guò)了兩個(gè)主要的發(fā)展周期， 分別是以個(gè)人 PC 為代表的桌面端時(shí)代和以智能手機(jī)為代表的移動(dòng)終端時(shí)代。 總體來(lái)說(shuō)，電子行業(yè)迭代周期可以以

3、通訊技術(shù)迭代周期（3G/4G/5G）+核心 產(chǎn)品（PC/智能手機(jī)/物聯(lián)網(wǎng)）兩個(gè)趨勢(shì)指標(biāo)作為疊加，觀察行業(yè)周期性變化 的拐點(diǎn)。隨著新一輪技術(shù)的不斷落地，我們認(rèn)為有兩個(gè)顯著的變化：1）消費(fèi) 電子終端將大幅延伸，從 PC 與智能手機(jī)延伸到智能音箱、耳機(jī)、手表、智能家居、汽車(chē)等；2）生態(tài)系統(tǒng)的多端融合，從 PC 端到智能手機(jī)的過(guò)程，二 者的系統(tǒng)是獨(dú)立的，依存度不強(qiáng)，未來(lái)以華為鴻蒙為代表的多端系統(tǒng)，將打 通手機(jī)、汽車(chē)、PC、智能家居、可穿戴等多終端。我們認(rèn)為，以上兩個(gè)顯著 的趨勢(shì)與變化，將會(huì)帶來(lái)以多智能終端為基礎(chǔ)，以生態(tài)系統(tǒng)為核心的競(jìng)爭(zhēng)。半導(dǎo)體：全球半導(dǎo)體復(fù)蘇有望迎來(lái)拐點(diǎn)，國(guó)產(chǎn)替代帶動(dòng)下游需求。半導(dǎo)體制

4、 造商持續(xù)增加資本開(kāi)支，預(yù)計(jì) 2020 年同比增加 4%。其他半導(dǎo)體制造商在 2019 年的總支出為 626 億美元，預(yù)計(jì)在 2020 年將支出 654 億美元，增長(zhǎng) 4%。2019 年，在臺(tái)積電支出激增的推動(dòng)下，芯片代工部門(mén)的資本支出增幅 最大，達(dá)到 17%。到 2020 年，晶圓制造行業(yè)的支出預(yù)計(jì)將再次出現(xiàn)最大增 長(zhǎng)，增幅為 8%。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體新建產(chǎn)能持續(xù)增長(zhǎng)，進(jìn)一步擴(kuò)大國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè) 備需求。根據(jù) SEMI 預(yù)測(cè)，雖然新冠肺炎疫情持續(xù)不利，中國(guó)大陸的半導(dǎo)體 設(shè)備支出仍將同比增長(zhǎng) 5%左右，今年將超過(guò) 120 億美元，并在 2021 年同比增長(zhǎng) 22%，達(dá)到 150 億美元。2020Q3 全球

5、產(chǎn)業(yè)鏈有不同程度的復(fù)蘇，需 求端的復(fù)蘇先于供給端，由于部分產(chǎn)能仍未達(dá)到疫情前水平、平板需求帶來(lái) 同比增長(zhǎng)，2020 第三季度全球銷(xiāo)售額分別為 2,491.00，同比增長(zhǎng) 3.3%，環(huán) 比增長(zhǎng) 14%。LED：LED 市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步發(fā)展，Mini/Micro LED 有望貢獻(xiàn)行業(yè)增量。國(guó)產(chǎn) 替代致各環(huán)節(jié)成本不斷降低，各環(huán)節(jié)集中度不斷提升。上游環(huán)節(jié)，進(jìn)口設(shè)備 出現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代，設(shè)備及原材料成本降低是主要因素；中游環(huán)節(jié)，封裝產(chǎn)能與 集中度趨向頭部企業(yè)；下游環(huán)節(jié) Mini LED & Micro LED 均需要一定研發(fā)實(shí) 力，有利于 LED 下游企業(yè)建立技術(shù)壁壘。更小間距顯示屏成為未來(lái)的趨勢(shì)， Mini L

6、ED 和 MicroLED 產(chǎn)品的問(wèn)世為行業(yè)發(fā)展提供了新的成長(zhǎng)機(jī)會(huì)，根據(jù)預(yù) 測(cè)，2018-2020 年我國(guó) MiniLED 市場(chǎng)規(guī)?？蛇_(dá)到年化 175%左右的增長(zhǎng)， 2020 年 MiniLED 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 22 億元，增速高于全球，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)有更大發(fā) 展空間。被動(dòng)元件：5G、新能源汽車(chē)帶動(dòng) MLCC 國(guó)產(chǎn)替代需求。5G 換機(jī)潮來(lái)臨， MLCC 需求量有望持續(xù)提升。隨 5G 換機(jī)潮到來(lái)，5G 手機(jī)的 MLCC 需求量 預(yù)計(jì)比 4G 手機(jī)增長(zhǎng)一倍以上，各手機(jī)品牌均在推出創(chuàng)新產(chǎn)品，無(wú)線充電、 全面屏、多攝像頭等功能也增加了對(duì) MLCC 的需求。被動(dòng)元件往微型化發(fā)展 的同時(shí)，單一手機(jī)使用量迅速提升。

7、汽車(chē)電子化率提升，帶動(dòng) MLCC 市場(chǎng)規(guī)模 的擴(kuò)大，新能源汽車(chē)電子化將大幅提升 MLCC 用量。汽車(chē)電子主要應(yīng)用于動(dòng) 力控制系統(tǒng)，車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)，汽車(chē)安全控制系統(tǒng)和車(chē)身電子系統(tǒng)等。新 能源汽車(chē)帶動(dòng)汽車(chē)電子化程度不斷提高，汽車(chē)電子市場(chǎng)也帶來(lái)了大量新增的 MLCC 需求。普通燃油車(chē) MLCC 的平均用量約為 3000 顆，混合動(dòng)力和插電 式混合動(dòng)力車(chē)所需的數(shù)量約為 12000 顆，純電動(dòng)汽車(chē)所需的數(shù)量約為 18000 顆。純電動(dòng)汽車(chē)所需的 MLCC 數(shù)量大約是傳統(tǒng)內(nèi)燃車(chē)的六倍。新能源汽車(chē)滲 透率的提高，為車(chē)用 MLCC 產(chǎn)品提供了廣闊的發(fā)展空間。二、前三季度市場(chǎng)回顧：2020Q3 國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈景氣

8、度提升，盈利能力有所改善2.1 行業(yè)整體綜述：2020Q3 邊際大幅改善三季度電子行業(yè)邊際大幅改善，單三季度營(yíng)收同比增長(zhǎng) 13%。截止 2020 年 三季度，A 股上市公司中按申萬(wàn)行業(yè)分類，電子行業(yè)共有 296 家公司發(fā)布 2020 年半年報(bào)。電子行業(yè)第三季度營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng) 13%；前三季度營(yíng)業(yè) 收入同比增長(zhǎng) 7%，實(shí)現(xiàn)正向增長(zhǎng)的有 199 家，增長(zhǎng)幅度的中位數(shù)為 18.4%， 占比為 67%；同比下滑的有 97 家，下滑幅度的中位數(shù)為 10.37%，占比為 33%。從行業(yè)整體來(lái)看，2020Q3 業(yè)績(jī)整體邊際大幅改善，在 2020Q1 季度 受疫情影響的情況下，連續(xù)兩個(gè)季度業(yè)績(jī)環(huán)比大幅上漲，

9、部分細(xì)分賽道增長(zhǎng) 動(dòng)力強(qiáng)勁。電子行業(yè) 2020 年前三季度歸母凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng) 26%，單三季度歸母凈利潤(rùn) 同比增長(zhǎng) 41%；其中實(shí)現(xiàn)正向增長(zhǎng)的有 175 家，增速中位數(shù)為 41.4%，占比 59.12%；同比下滑的有 121 家，下滑幅度的中位數(shù)為 43.21%，占比為 40.88%。2.2 行業(yè)橫向?qū)Ρ龋翰糠之a(chǎn)能向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移，半導(dǎo)體與消費(fèi)電子持續(xù)景氣按照申萬(wàn)電子二級(jí)行業(yè)拆分增速來(lái)看，與其他申萬(wàn)一級(jí)行業(yè)進(jìn)行比較。國(guó)內(nèi) 經(jīng)濟(jì)基本面邊際大幅改善，制造業(yè)在三季度持續(xù)景氣，國(guó)內(nèi)產(chǎn)能利用率顯著 高于國(guó)外，造成部分訂單進(jìn)一步向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移，Q3 季度整體較 Q2 有大幅改 善。從 20Q3 各行業(yè)的營(yíng)業(yè)收入來(lái)看

10、，電子二級(jí)行業(yè)中半導(dǎo)體（+26%）、電 子制造（+14%）、光學(xué)光電子（+1%）均保持正向增長(zhǎng)，半導(dǎo)體與電子制造 相比其他一級(jí)行業(yè)增長(zhǎng)幅度排名靠前。2.3 收入與利潤(rùn)：2020Q3 營(yíng)收利潤(rùn)持續(xù)大幅增長(zhǎng)20Q3 營(yíng)收增速環(huán)比提升，歸母凈利潤(rùn)同比提升好于預(yù)期。2020 前三季度整 體共實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 16629.69 億元，同比增長(zhǎng) 7%，歸母凈利潤(rùn) 866.37 億元，同 比增長(zhǎng) 26%；2020Q3 單季度共實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 6556.44 億元，同比增長(zhǎng) 13%，歸 母凈利潤(rùn) 399.73 億元，同比增長(zhǎng) 41%。2020 三季度營(yíng)收和利潤(rùn)均有大幅邊 際改善，單季度歸母凈利潤(rùn)連續(xù)兩個(gè)季度同比增速超過(guò) 3

11、0%以上，伴隨利潤(rùn) 率的提升，盈利質(zhì)量也有所提升。我們認(rèn)為，經(jīng)過(guò)上半年全球疫情影響、宏 觀經(jīng)濟(jì)下滑等多方面因素，整體產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)艿搅溯^大的沖擊，從 Q2Q3 季度來(lái) 看，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)蘇好于預(yù)期。具體體現(xiàn)在以下三方面：一是三季度需求快 速回暖，國(guó)內(nèi)產(chǎn)能恢復(fù)好于全球，導(dǎo)致國(guó)內(nèi)公司訂單景氣度較高；二是供給 端產(chǎn)能有所下降，中小企業(yè)受到疫情影響有部分產(chǎn)能退出，導(dǎo)致行業(yè)集中度 進(jìn)一步提升，行業(yè)龍頭實(shí)現(xiàn)份額提升；三是半導(dǎo)體及消費(fèi)電子等主要下游需 求來(lái)自國(guó)內(nèi)，因此一定程度上國(guó)內(nèi)需求帶動(dòng)了全球產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)蘇。2.4 盈利能力：2020Q3 盈利能力大幅改善，細(xì)分領(lǐng)域加速增長(zhǎng)2020Q3 利潤(rùn)率提升顯著。2020Q3

12、單季度電子行業(yè)毛利率為 17.15%，相比 去年同期增加 1.62pcts，較 Q2 季度環(huán)比提升 0.11pcts；凈利率為 6.24%， 相比上年同期提升 1.29pcts，較 Q2 季度環(huán)比提升 0.46pcts。2020Q3 電子 行業(yè)整體期間費(fèi)用率為 10.91%，相比去年同期上升 0.33pcts。整體而言，由 于額外抗疫開(kāi)支，各項(xiàng)費(fèi)用均有所提升，Q3 季度受到相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格上漲，盈 利能力顯著提升。2020Q3 經(jīng)營(yíng)性現(xiàn)金流凈額為 1143.15 億元，相比上年同 期增長(zhǎng) 23%，凈現(xiàn)比由去年同期的 2.094 下降至 2020Q3 的 1.57。整體而 言，2020Q3 電子行業(yè)

13、景氣度持續(xù)回暖，上市公司經(jīng)營(yíng)情況大幅改善。部分 產(chǎn)品產(chǎn)能緊缺導(dǎo)致企業(yè)提前備貨，部分龍頭企業(yè)的業(yè)績(jī)高增長(zhǎng)有望持續(xù)到明 年一季度。2.5 子行業(yè)對(duì)比：半導(dǎo)體加速增長(zhǎng)，電子制造增速持平半導(dǎo)體 2020Q3 加速增長(zhǎng)。按申萬(wàn)二級(jí)子行業(yè)分類，從營(yíng)業(yè)收入增速的角度 來(lái)看，二級(jí)行業(yè)半導(dǎo)體與電子制造 Q3 加速增長(zhǎng)，其他電子板塊下降收窄， 光學(xué)元件增速由負(fù)轉(zhuǎn)正；從歸母凈利潤(rùn)來(lái)看，半導(dǎo)體 Q3 季度保持高速增長(zhǎng)， 光學(xué)光電子增速由負(fù)轉(zhuǎn)正。從毛利率來(lái)看，2020Q3 半導(dǎo)體板塊處于二級(jí)行 業(yè)中最高為 26.52%，同比與環(huán)比均有所提升，其余子行業(yè)相比去年同期小幅 波動(dòng)。從凈利率來(lái)看，半導(dǎo)體、元件較為突出，2020

14、Q3 凈利率分別為 9.96%、 7.85%，其中半導(dǎo)體凈利率提升顯著，相比去年同期上升 4.25pcts。對(duì)于半 導(dǎo)體等細(xì)分行業(yè)，國(guó)內(nèi)需求驅(qū)動(dòng)了全球產(chǎn)業(yè)鏈增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)龍頭公司更加受益 于國(guó)產(chǎn)替代的持續(xù)落地。三、消費(fèi)電子：AIOT 周期啟動(dòng)，關(guān)注核心生態(tài)系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)鏈3.1 產(chǎn)業(yè)鏈隨技術(shù)迭代進(jìn)入 AIOT 新周期5G 與 AIOT 時(shí)代啟動(dòng)，消費(fèi)電子終端將大規(guī)模延伸。梳理過(guò)去電子行業(yè)發(fā)展 過(guò)程及輪動(dòng)因素，我們認(rèn)為電子行業(yè)走過(guò)了兩個(gè)主要的發(fā)展周期，分別是以 個(gè)人 PC 為代表的桌面端時(shí)代和以智能手機(jī)為代表的移動(dòng)終端時(shí)代?？傮w來(lái) 說(shuō)，電子行業(yè)迭代周期可以以通訊技術(shù)迭代周期（3G/4G/5G）+核心產(chǎn)品（

15、PC/ 智能手機(jī)/物聯(lián)網(wǎng)）兩個(gè)趨勢(shì)指標(biāo)作為疊加，觀察行業(yè)周期性變化的拐點(diǎn)。隨 著新一輪技術(shù)的不斷落地，我們認(rèn)為有兩個(gè)顯著的變化：1）消費(fèi)電子終端將 大幅延伸，從 PC 與智能手機(jī)延伸到智能音箱、耳機(jī)、手表、智能家居、汽 車(chē)等；2）生態(tài)系統(tǒng)的多端融合，從 PC 端到智能手機(jī)的過(guò)程，二者的系統(tǒng)是 獨(dú)立的，依存度不強(qiáng)，未來(lái)以華為鴻蒙為代表的多端系統(tǒng)，將打通手機(jī)、汽 車(chē)、PC、智能家居、可穿戴等多終端。我們認(rèn)為，以上兩個(gè)顯著的趨勢(shì)與變 化，將會(huì)帶來(lái)以多智能終端為基礎(chǔ)，以生態(tài)系統(tǒng)為核心的競(jìng)爭(zhēng)。3.2 存量更新?lián)Q代，關(guān)注相關(guān)元器件的產(chǎn)品升級(jí)全球手機(jī)進(jìn)入存量換代期，預(yù)計(jì) 2021 年 5G 滲透率將大幅提升

16、。隨著國(guó)內(nèi) 多家廠商發(fā)布 5G 手機(jī)，存量換代趨勢(shì)顯著，未來(lái)單機(jī)價(jià)值量提升有望帶動(dòng) 產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)內(nèi)相關(guān)公司業(yè)績(jī)提升。主要源自：1）國(guó)內(nèi) 5G 基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)大幅領(lǐng) 先于全球水平，應(yīng)用端滲透率國(guó)內(nèi)高于國(guó)外；2）國(guó)產(chǎn)品牌積極布局 5G 新機(jī)， 銷(xiāo)售價(jià)格幾乎與 4G 持平；3）蘋(píng)果 5G 新機(jī)發(fā)布，品牌效應(yīng)帶動(dòng)的同時(shí)，有 望進(jìn)一步帶動(dòng)國(guó)內(nèi)廠商業(yè)績(jī)提升。我們認(rèn)為，在存量競(jìng)爭(zhēng)與產(chǎn)品升級(jí)的背景下，行業(yè)發(fā)展的趨勢(shì)主線有以下兩 條：1）手機(jī)品牌的集中度持續(xù)提升，導(dǎo)致相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的集中度將進(jìn)一步提升； 2）產(chǎn)品元器件升級(jí)，技術(shù)迭代過(guò)程中部分公司有長(zhǎng)期成長(zhǎng)的能力。全球迎來(lái)新一輪換機(jī)潮，關(guān)注存量產(chǎn)品更新升級(jí)。我們認(rèn)為，手機(jī)

17、銷(xiāo)量有望 實(shí)現(xiàn)三年以來(lái)的正增長(zhǎng)，疊加 5G 換機(jī)周期，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈公司業(yè)績(jī)有望提升。 自全球手機(jī)銷(xiāo)量 2017 年到達(dá)階段性峰值后，目前已經(jīng)連續(xù)三年下滑，主要 原因?yàn)橛布矫鎰?chuàng)新能力有限遇到階段性瓶頸，以及 4G 背景下應(yīng)用生態(tài)開(kāi) 發(fā)基本達(dá)到飽和。蘋(píng)果 5G 新機(jī)發(fā)布，全球出貨量前五廠商已經(jīng)全部完成 5G手機(jī)布局，未來(lái)將圍繞 5G 智能設(shè)備展開(kāi)的新一輪元器件更新與生態(tài)應(yīng)用完 善。根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì) 20Q4 智能手機(jī)出貨量將同比增長(zhǎng) 2.4，在 2021 年將同比增長(zhǎng) 4.4。隨著供應(yīng)鏈快速恢復(fù)，以及 OEM 對(duì)新 5G 產(chǎn)品的重點(diǎn) 研發(fā)，預(yù)計(jì)到 2024 年，全球市場(chǎng)將以每年 1.3的五

18、年復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。單機(jī)成本下降帶動(dòng)滲透率大幅提升。根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì) 5G 智能手機(jī)的出 貨量將在 2020 年達(dá)到全球出貨量的 19，并在 2024 年增長(zhǎng)到 58。滲透 率的提升的關(guān)鍵因素是單機(jī)成本大幅下降，預(yù)計(jì) 2020 年全球 5G 平均售價(jià) 將同比下降 25至 611 美元，到 2024 年降至 453 美元。我們認(rèn)為，未來(lái)智 能手機(jī)出貨量增速將放緩至年均增長(zhǎng) 3%以下，產(chǎn)業(yè)鏈投資機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)為細(xì)分領(lǐng) 域集中度的提升和元器件的創(chuàng)新與升級(jí)。進(jìn)入存量時(shí)代，差異化創(chuàng)新周期被拉長(zhǎng)，光學(xué)賽道是為數(shù)不多近年有持續(xù)創(chuàng) 新的細(xì)分領(lǐng)域。目前主要的突破方式有以下兩點(diǎn)：1）成像質(zhì)量的不斷提升， 包括硬件

19、的成像設(shè)備像素，變焦速度，廣角與微距等。隨著智能設(shè)備廠商對(duì) 成像質(zhì)量需求提升，攝像頭及 CIS 芯片廠商實(shí)現(xiàn)了量?jī)r(jià)齊升的帶來(lái)的盈利提 升過(guò)程。2）攝像頭功能性的不斷創(chuàng)新，主要路徑為從單一的高質(zhì)量成像，轉(zhuǎn) 為功能性識(shí)別以及生產(chǎn)效率的提升。例如 3D 結(jié)構(gòu)光人臉識(shí)別，虛擬現(xiàn)實(shí)， 激光攝像頭建模等。5G 時(shí)代的到來(lái)，光學(xué)設(shè)備作為主要流量入口的趨勢(shì)將更 加顯著，ARVR 以及自動(dòng)駕駛帶來(lái)的新需求將為相關(guān)供應(yīng)商帶來(lái)了更多的創(chuàng) 新方向。CIS 芯片是攝像頭重要組成部分，主要成本由部分構(gòu)成。智能手機(jī)攝像頭拍攝景象通過(guò)鏡頭組生成光學(xué)圖像，光學(xué)圖像通過(guò)一系列轉(zhuǎn)換過(guò)程，包括電信 號(hào)、數(shù)字信號(hào)等從傳感器送至數(shù)字處理

20、芯片，最終轉(zhuǎn)換成屏幕上呈現(xiàn)的圖像。 物理結(jié)構(gòu)上，其主要由鏡頭組、對(duì)焦馬達(dá)、固定器/鏡座、紅外截止濾光片、 圖像傳感器、PCB 板等物理部件組成。攝像頭各組成部分功能及成本占比各 不相同，主要包括圖像傳感器（占比 52%）；鏡頭（收集光線然后將物體成像 到圖像傳感器占比 20%）；音圈馬達(dá)（推動(dòng)鏡頭移動(dòng)實(shí)現(xiàn)對(duì)焦，占比 6%）； 紅外截止濾光片（過(guò)濾多余的紅外光和紫外光，占比 3%）；以及最終的模組 封裝（整合攝像頭零部件，占比 19%）。Yole 預(yù)期全球攝像頭模組的出貨量將以 8.2%的 CAGR 增速增長(zhǎng)，從 2019 年的 55 億個(gè)擴(kuò)增至 2025 年的 89 億個(gè)。2015-2016

21、年是移動(dòng)設(shè)備中多攝技 術(shù)的初期階段，從單一攝像頭到雙攝像頭；在 2018 到 2019 年發(fā)展為三攝， 趨于成熟。2020 年該技術(shù)已向四攝像頭前進(jìn)，多樣化的模組帶來(lái)多樣化的縮 放或廣角性能。這種情況在 3D 面部識(shí)別的前向結(jié)構(gòu)光、AR 應(yīng)用的后置 ToF4 和屏幕下方的光學(xué)指紋模組中都有體現(xiàn)。后置雙攝成為主流后，攝像頭的數(shù)目在持續(xù)增加。根據(jù) IDC 統(tǒng)計(jì)，2018 年手機(jī)平均搭載 2.84 顆攝像頭，同比增長(zhǎng) 6.77%2019 年全球手機(jī)平均搭載攝 像頭的數(shù)量在 3.21 顆左右。在多攝像頭的推動(dòng)下，2019 年全球手機(jī)攝像頭 的出貨量在 44 億顆左右，根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，未來(lái) 5G 技

22、術(shù)的推進(jìn)，通信基礎(chǔ) 設(shè)施建設(shè)的完善將加快全球范圍內(nèi)智能手機(jī)出貨量的需求。預(yù)計(jì) 2020 年全 球攝像頭的出貨量將達(dá)到 60 億顆，2021 年全球手機(jī)攝像頭的出貨量將達(dá)到 75 億顆。攝像頭像素升級(jí)趨勢(shì)延續(xù)，高像素?cái)z像頭滲透率有望持續(xù)提升。從目前手機(jī) 攝像頭出貨量來(lái)看，主流的智能手機(jī)搭載的攝像頭在 500-1300 萬(wàn)區(qū)間范圍 內(nèi)，2019 年出貨量約為 24.46 億顆，占比約為 48.9%，其次為 1300-4800 萬(wàn)區(qū)間范圍內(nèi)，出貨量約為 10.63 億顆，占比約為 21.3%。隨著光學(xué)元器件 技術(shù)不斷升級(jí)，以及有生物識(shí)別、AR/VR、激光建模等需求提升，未來(lái) 4800 萬(wàn)像素的出貨量

23、以及占比有望大幅提升，預(yù)計(jì)到 2022 年，4800 萬(wàn)像素以上 攝像頭出貨量有望達(dá)到 24.05 億顆，占比有望提升到 29%。產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)公司 將持續(xù)受益于光學(xué)創(chuàng)新帶來(lái)的市場(chǎng)空間提升。TOF 手機(jī)攝像頭有望成為智能手機(jī)熱門(mén)配置。TOF（Time of Flight，飛行時(shí) 間），其實(shí)是一種深度信息測(cè)量方案，主要由紅外光投射器和接收模組構(gòu)成。 投射器向外投射紅外光，紅外光遇到被測(cè)物體后反射，并被接收模組接收， 通過(guò)記錄紅外光從發(fā)射到被接收的時(shí)間，計(jì)算出被照物體深度信息，并完成 3D 建模。目前多家廠商在面部識(shí)別上所采用的 3D 結(jié)構(gòu)光技術(shù)，iPhone X、 OPPO Find X 都是采用了

24、 3D 結(jié)構(gòu)光方案。與 TOF 不同，3D 結(jié)構(gòu)光通過(guò)利 用點(diǎn)陣投影儀向外投射多個(gè)光斑到被測(cè)物體，以紅外攝像頭拍攝被測(cè)物體的 三維光圖像，再經(jīng)由處理系統(tǒng)計(jì)算物體深度信息。根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，配置 TOF 攝像頭手機(jī)出貨量在 2019 年迎來(lái)了爆發(fā)，預(yù)計(jì)在 2021 年有望達(dá)到 2.67 億 部，相較 2019 年出貨量增長(zhǎng) 4 倍。3.3 增量滲透率提升，關(guān)注產(chǎn)品力與創(chuàng)新力（1）聲學(xué)成為流量入口趨勢(shì)顯著，產(chǎn)品創(chuàng)新與滲透率提升帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈爆發(fā) 式增長(zhǎng)TWS 未來(lái)將成為智能設(shè)備標(biāo)配，增量空間確定性強(qiáng)。在蘋(píng)果產(chǎn)品的引領(lǐng)下， 無(wú)線耳機(jī)滲透率迅速提升，從 AirPods 發(fā)布前后的市占率可以看出，強(qiáng)大的

25、產(chǎn)品力得到市場(chǎng)認(rèn)可。AirPods 被業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為是最好用的無(wú)線耳機(jī)，19 年 3 月發(fā)布了第二代 AirPods，搭載無(wú)線充電技術(shù)，進(jìn)一步提高市占率；19 年 12 月發(fā)布了 AirPods Pro，升級(jí)防水、降噪等功能的升級(jí)，使得 AirPods 系列銷(xiāo)量快速增長(zhǎng)。隨著終端廠商持續(xù)推進(jìn)智能耳機(jī)技術(shù)革新，智能耳機(jī)將會(huì) 有包括生物識(shí)別、醫(yī)用、軍用等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。立訊精密是為數(shù)不多的具 備精密無(wú)線耳機(jī)模組生產(chǎn)能力的廠商，預(yù)計(jì)未來(lái)受益于無(wú)線耳機(jī)滲透，不斷 增厚業(yè)績(jī)。TWS 滲透率仍有提升空間，未來(lái)手機(jī)取消耳機(jī)接口有望成為市場(chǎng)催化劑。根 據(jù)蘋(píng)果產(chǎn)品規(guī)劃，Airpods 第三代新品有望在今年順利上市

26、，TWS 滲透率提 升趨勢(shì)有望延續(xù)。目前 TWS 滲透率約為 40%，Airpods 市占率約為 45%， 2020 年 Airpods 出貨量有望達(dá)到 1 億臺(tái)。據(jù) StrategyAnalytics 研究報(bào)告數(shù) 據(jù)顯示，蘋(píng)果 AirPods 在 2019 年實(shí)現(xiàn)了近 6000 萬(wàn)的銷(xiāo)量，占全球 TWS 耳機(jī) 50%以上。根據(jù) Counterpoint 的數(shù)據(jù)，AirPods 預(yù)計(jì) 20/21 年 AirPods 銷(xiāo)量有望達(dá)到 1 億/1.5 億部，其中 AirPodsPro 占比為 36%/40%。安卓系與音頻廠商快速跟進(jìn)，全面打開(kāi)市場(chǎng)空間。根據(jù) StrategyAnalytics 數(shù) 據(jù)

27、，1719 年間 AirPods 出貨量從 1400 萬(wàn)部增長(zhǎng)至 6000 萬(wàn)部,年復(fù)合增長(zhǎng) 率高達(dá) 62%，并有望在未來(lái)維持高增速。除蘋(píng)果外，索尼、華為、小米等安 卓系品牌積極跟進(jìn)布局，TWS 耳機(jī)市場(chǎng)進(jìn)入快速發(fā)展期。根據(jù) Counterpoint 數(shù)據(jù) 1619 年間全球 TWS 耳機(jī)出貨量劇增超 13 倍（19 年全球出貨量 1.2 億部），年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá) 134%，并預(yù)估 20 年出貨量有望突破 2.3 億部。（2）5G 應(yīng)用層智能產(chǎn)品逐漸顯現(xiàn)，高清視頻與可穿戴值得關(guān)注5G 融合應(yīng)用體系包括 3 大應(yīng)用方向、4 大通用應(yīng)用和多行業(yè)應(yīng)用。從應(yīng)用方 向上看，5G 應(yīng)用包括產(chǎn)業(yè)數(shù)字化、智慧化

28、生活、數(shù)字化治理三大方向。4 大 通用應(yīng)用包括 4K/8K 超高清視頻、VR/AR、無(wú)人機(jī)/車(chē)/船、機(jī)器人四大類； 5G 應(yīng)用到工業(yè)、醫(yī)療、教育、安防等領(lǐng)域，還將產(chǎn)生多種創(chuàng)新型行業(yè)應(yīng)用。超清視頻發(fā)展加速直接受益于帶寬提升。5G 將全方位賦能超高清產(chǎn)業(yè)。5G 將在視頻采集回傳、視頻素材云端制作以及超高清視頻節(jié)目播出三個(gè)環(huán)節(jié)助 力超高清產(chǎn)業(yè)。4K/8K 攝像機(jī)通過(guò)編碼推流設(shè)備，將原始視頻流轉(zhuǎn)換成 IP 數(shù) 據(jù)流，通過(guò) 5G CPE 或集成 5G 模組的編碼推流設(shè)備將視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)給 5G 基站。畫(huà)質(zhì)提升需求帶來(lái)超清面板滲透率提升。提升畫(huà)質(zhì)是顯示應(yīng)用產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的焦點(diǎn)，目前，4K 產(chǎn)品已經(jīng)普及，43 寸以

29、上的中大尺寸產(chǎn)品中 4K 已成為標(biāo)配。 2018 年全球 4K LCD TV 面板出貨量超過(guò) 1.1 億臺(tái)，滲透率接近 40%，未來(lái) 8K 是面板廠商提前布局的下游應(yīng)用。2019 年韓、臺(tái)、中等主流面板廠均積 極規(guī)劃 8K 產(chǎn)品，8K 面板將在 2019 年正式起步，帶動(dòng)液晶面板的分辨率實(shí) 現(xiàn)再一次的跨越。根據(jù)群智咨詢預(yù)計(jì) 2020 年出貨量將達(dá)到 260 萬(wàn)片，滲透率 1%，2022 年滲透率將提升到 3.6%。VR/AR 對(duì)時(shí)延要求較高，5G 是降低產(chǎn)業(yè)門(mén)檻的重要途徑。對(duì)于 VR/AR 產(chǎn) 業(yè),若將視覺(jué)計(jì)算放在云端，能夠顯著降低終端復(fù)雜度，但會(huì)引入額外的網(wǎng)絡(luò) 傳輸時(shí)延。若 VR 可以順暢體

30、驗(yàn)，需要至少 60Mbps 的終端速率，時(shí)延要低 于 20 毫秒。5G 帶來(lái)的高帶寬低時(shí)延特性使得 VR/AR 這樣的應(yīng)用可以實(shí)現(xiàn) 無(wú)線化，實(shí)用性大為增強(qiáng)需要至少 60Mbps 的終端速率，時(shí)延要低于 20 毫 秒。5G 帶來(lái)的高帶寬低時(shí)延特性使得 VR/AR 這樣的應(yīng)用可以實(shí)現(xiàn)無(wú)線化， 實(shí)用性大為增強(qiáng)。隨 5G 商用落地，VR 市場(chǎng)規(guī)模有望快速擴(kuò)大。用戶體驗(yàn)與終端成本的平衡是 現(xiàn)階段影響 VR 產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵問(wèn)題，隨著產(chǎn)品功能不斷成熟，5G 商用化浪 潮來(lái)臨之際，出貨量有了顯著增長(zhǎng)。2018 年全年中國(guó)虛擬現(xiàn)實(shí)設(shè)備出貨量為 120 萬(wàn)臺(tái)，其中 VR 頭顯出貨量為 116.8 臺(tái)，AR 頭顯出

31、貨量 3.2 萬(wàn)臺(tái)。根據(jù) 艾瑞咨詢預(yù)測(cè)，未來(lái)五年 VR 市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率將超過(guò) 80%。預(yù)計(jì)到 2021 年，中國(guó)會(huì)成為全球最大的 VR 市場(chǎng)，行業(yè)整體規(guī)模將達(dá)到 790.2 億元。5G 將為車(chē)聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用打開(kāi)新的空間。5G 極高的數(shù)據(jù)吞吐量、低時(shí)延和更高的 可靠性將使車(chē)聯(lián)網(wǎng)能提供的信息服務(wù)類型更加豐富，隨著 5G 技術(shù)在低時(shí)延、 高可靠方面能力的增強(qiáng)，可以支持提供基于意圖共享、協(xié)同決策的高級(jí)別主 動(dòng)安全預(yù)警、交通出行效率提升類服務(wù)，還將支持構(gòu)建“人車(chē)路云”高度協(xié) 同的互連環(huán)境，實(shí)現(xiàn)車(chē)路協(xié)同控制、遠(yuǎn)程遙控操作、高級(jí)別自動(dòng)駕駛等業(yè)務(wù)， 最終支撐實(shí)現(xiàn)完全無(wú)人駕駛。5G 與汽車(chē)結(jié)合應(yīng)用場(chǎng)景豐富，車(chē)聯(lián)網(wǎng)

32、與汽車(chē)電子市場(chǎng)規(guī)模有望同步增長(zhǎng)。 汽車(chē)電子成為新藍(lán)海，有望成為未來(lái)半導(dǎo)體應(yīng)用主要增長(zhǎng)點(diǎn)，目前已有包括 安全系統(tǒng)、娛樂(lè)信息系統(tǒng)、車(chē)內(nèi)網(wǎng)絡(luò)、動(dòng)力系統(tǒng)等，未來(lái)汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā) 展空間還將進(jìn)一步增加。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)，車(chē)聯(lián)網(wǎng)未來(lái)有望保持36.0% 的年復(fù)合增速，到 2022 年達(dá)到 520 億美元，到 2020 年全球汽車(chē)電子產(chǎn)品 市場(chǎng)的產(chǎn)業(yè)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到 2400 億美元，其中我國(guó)汽車(chē)電子市場(chǎng)規(guī)模將超 過(guò) 1058 億美元。3.4 板塊財(cái)報(bào)綜述：Q3 季度消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)鏈景氣度提升國(guó)內(nèi)市場(chǎng) 10 月份出貨量同比下滑，四季度預(yù)期行業(yè)景氣度回升，降幅有望 縮窄。2020年10月，國(guó)內(nèi)手機(jī)市場(chǎng)總體出貨

33、量2615.3萬(wàn)部，同比下降27.3%； 1-10 月，國(guó)內(nèi)手機(jī)市場(chǎng)總體出貨量累計(jì) 2.52 億部，同比下降 22.1%。2020 年 10 月，國(guó)內(nèi)手機(jī)上市新機(jī)型 28 款，同比下降 42.9%。1-10 月，上市新機(jī) 型累計(jì) 387 款，同比下降 19.7%。2020 年 10 月，國(guó)內(nèi)市場(chǎng) 5G 手機(jī)出貨量 1676.0 萬(wàn)部，占同期手機(jī)出貨量的 64.1%；上市新機(jī)型 16 款，占同期手機(jī)上市新機(jī)型數(shù)量的 57.1%。1-10 月， 國(guó)內(nèi)市場(chǎng) 5G 手機(jī)累計(jì)出貨量 1.24 億部、上市新機(jī)型累計(jì) 183 款，占比分別 為 49.4%和 47.3%。2020 年 10 月，國(guó)產(chǎn)品牌手機(jī)出

34、貨量 2032.2 萬(wàn)部，同比下降 33.5%，占同 期手機(jī)出貨量的 77.7%；上市新機(jī)型 21 款，同比下降 53.3%，占同期手機(jī) 上市新機(jī)型數(shù)量的 75.0%。1-10 月，國(guó)產(chǎn)品牌手機(jī)出貨量累計(jì) 2.26 億部， 同比下降 23.2%，占同期手機(jī)出貨量的 89.9%；上市新機(jī)型累計(jì) 348 款，同 比下降 19.3%，占同期手機(jī)上市新機(jī)型數(shù)量的 89.9%。2020 年 10 月，智能手機(jī)出貨量 2501.4 萬(wàn)部，同比下降 27.7%，占同期手 機(jī)出貨量的 95.6%。1-10 月，智能手機(jī)累計(jì)出貨量 2.43 億部，同比下降 21.5%， 占同期手機(jī)出貨量的 96.4%。2020

35、 年 10 月，智能手機(jī)上市新機(jī)型 25 款， 同比下降 19.4%，占同期手機(jī)上市新機(jī)型數(shù)量的 89.3%。1-10 月，智能手機(jī) 上市新機(jī)型累計(jì) 298 款，同比下降 17.9%，占同期上市新機(jī)型數(shù)量的 77.0%。20Q3 下游需求迅速?gòu)?fù)蘇，產(chǎn)業(yè)鏈庫(kù)存提升帶來(lái)需求預(yù)期。2020Q3 單季度共 實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 2845.43 億元，同比增長(zhǎng) 19%，歸母凈利潤(rùn) 204.63 億元，同比增 長(zhǎng) 28%；從前三季度來(lái)看，共實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 7048.73，同比增長(zhǎng) 14%，歸母 凈利潤(rùn) 446.59，同比增長(zhǎng) 26%。受到三季度消費(fèi)電子旺季影響，產(chǎn)業(yè)鏈景氣 度提升，主要原因?yàn)?1）全球電子產(chǎn)業(yè)進(jìn)入周期性

36、向上拐點(diǎn)，5G 換機(jī)潮疊加 半導(dǎo)體資本開(kāi)支見(jiàn)底，供需端均出現(xiàn)了向好變化；2）H1 季度庫(kù)存見(jiàn)底，Q3 季度庫(kù)存回補(bǔ)需求顯著，加之相關(guān)元器件價(jià)格上漲，帶動(dòng)部分公司盈利提升。2020Q3 利潤(rùn)率有所改善。2020Q3 單季度電子制造行業(yè)毛利率為 17.06%， 相比去年同期上升 1.14pcts，凈利率為 7.25%，相比上年同期提升 0.34pcts。 2020Q2 電子制造行業(yè)整體期間費(fèi)用率為 9.81%，其中銷(xiāo)售費(fèi)用率為 1.99%， 相比去年同期下降 0.05pcts，管理費(fèi)用（不含研發(fā)費(fèi)用）率為 2.26%，相比 去年同期上升 0.27pcts，財(cái)務(wù)費(fèi)用率為 1.39%，相比去年同期提升

37、 1.73pcts。 2020Q3 經(jīng)營(yíng)性現(xiàn)金流凈額為 205.79 億元，相比上年同期下降 0.5%，2020Q 電子制造行業(yè)盈利能力略有提升，費(fèi)用率略微下降，經(jīng)營(yíng)性現(xiàn)金流與去年同 期保持持平。四、半導(dǎo)體：行業(yè)拐點(diǎn)已至，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈景氣度好于全球4.1 全球半導(dǎo)體復(fù)蘇周期延續(xù)，疫情影響邊際效應(yīng)遞減全球半導(dǎo)體資本開(kāi)支受疫情影響或同比下滑，源于存儲(chǔ)芯片公司資本開(kāi)支大 幅減少。根據(jù) IC Insights 預(yù)測(cè)，2020 全球半導(dǎo)體資本開(kāi)支將同比減少 3%， 雖然全球產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)艿?Covid-19 爆發(fā)的影響，但由于絕大多數(shù)的支出是針對(duì)工 藝技術(shù)進(jìn)步的長(zhǎng)期目標(biāo)或晶圓片啟動(dòng)能力的增加，因此預(yù)計(jì)大部分支出

38、將按 計(jì)劃進(jìn)行。與此同時(shí)，IC Insights 預(yù)計(jì)今年的資本支出下降主要是由于三大 內(nèi)存供應(yīng)商（三星、海力士和美光）大幅削減了資本開(kāi)支。這三家大型存儲(chǔ) 公司 2019 年的總支出為 397 億美元，預(yù)計(jì)今年將為 336 億美元，大幅下降 15%。半導(dǎo)體制造商持續(xù)增加資本開(kāi)支，預(yù)計(jì) 2020 年同比增加 4%。其他半導(dǎo)體制 造商在 2019 年的總支出為 626 億美元，預(yù)計(jì)在 2020 年將支出 654 億美元， 增長(zhǎng) 4%。2019 年，在臺(tái)積電支出激增的推動(dòng)下，芯片代工部門(mén)的資本支出 增幅最大，達(dá)到 17%。到 2020 年，晶圓制造行業(yè)的支出預(yù)計(jì)將再次出現(xiàn)最 大增長(zhǎng)，增幅為 8%。除

39、了 2018 年，晶圓廠自 2015 年以來(lái)每年都是按產(chǎn)品 類型劃分的資本支出最高的公司。到 2020 年，預(yù)計(jì)此行業(yè)將再次占半導(dǎo)體 行業(yè)資本支出的最大比例（29%）。根據(jù) IC Insights 數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電是去 年芯片代工資本支出增加的主要原因，其 2019 年的支出較 2018 年增加了 45 億美元左右。2020 年，臺(tái)積電的支出增長(zhǎng)預(yù)計(jì)將較為平緩，預(yù)計(jì)達(dá)到 5.63 億美元。相比之下，中國(guó)的中芯國(guó)際今年計(jì)劃將支出增加約 11 億美元。全球半導(dǎo)體進(jìn)入復(fù)蘇周期，2020 年有望實(shí)現(xiàn)正向增長(zhǎng)。2019Q3 隨著存儲(chǔ)芯片、面板等周期性產(chǎn)品產(chǎn)能進(jìn)一步減少，價(jià)格開(kāi)始見(jiàn)底回升，行業(yè)先行指標(biāo) 出

40、現(xiàn)拐點(diǎn)，半導(dǎo)體行業(yè)景氣度開(kāi)始逐步復(fù)蘇，行業(yè)產(chǎn)值增速由負(fù)轉(zhuǎn)正。2020Q3 全球產(chǎn)業(yè)鏈有不同程度的復(fù)蘇，需求端的復(fù)蘇先于供給端，由于部分產(chǎn)能仍 未達(dá)到疫情前水平、平板需求帶來(lái)同比增長(zhǎng)，2020 第三季度全球銷(xiāo)售額分別 為 2,491.00，同比增長(zhǎng) 3.3%，環(huán)比增長(zhǎng) 14%。4.2 封測(cè)環(huán)節(jié)景氣度大幅提升，終端需求持續(xù)上揚(yáng)IC 封測(cè)門(mén)檻相對(duì)較低，本土廠商逐漸崛起。目前國(guó)內(nèi)已有三家企業(yè)進(jìn)入世界前十，分別是長(zhǎng)電科技、華天科技、通富微電，按照市場(chǎng)份額來(lái)看，分別排在全球第三、六、七名。由于封測(cè)產(chǎn)業(yè)對(duì)規(guī)?；筝^高，相對(duì)于設(shè)計(jì)與代 工，國(guó)內(nèi)封測(cè)企業(yè)目前排名相對(duì)靠前，主要采用的方式是加大研發(fā)投入以及 并購(gòu)

41、整合。整體行業(yè)目前集中度略低于設(shè)計(jì)與代工，隨著并購(gòu)持續(xù)進(jìn)行，未 來(lái)集中度有望進(jìn)一步提升。自第二季起受惠于疫情衍生的宅經(jīng)濟(jì)效應(yīng)，終端需求持續(xù)上揚(yáng)。疊加 9 月 15 日起美國(guó)全面禁售相關(guān)含美設(shè)備與技術(shù)芯片給華為（Huawei），進(jìn)而帶動(dòng)多 數(shù)封測(cè)業(yè)者趕在截止日前交貨。在急單效應(yīng)的加持下，2020 年第三季全球前 十大封測(cè)業(yè)者營(yíng)收上升至 67.59 億美元，年成長(zhǎng) 12.9%。2020 年第三季封測(cè) 龍頭日月光（ASE）及安靠（Amkor）營(yíng)收分別為 15.20 億美元與 13.54 億 美元年成長(zhǎng) 15.1%及 24.9%。第三季營(yíng)收成長(zhǎng)幅度相較第二季略為放緩，然 隨著 5G 通訊、WiFi6

42、及車(chē)用芯片的需求上揚(yáng)與華為急單助力下，整體表現(xiàn)仍相對(duì)出色。封測(cè)大廠力成（PTI）第三季營(yíng)收雖然達(dá) 6.47 億美元，年增 14.2%， 然存儲(chǔ)器封測(cè)需求不如預(yù)期，力成逐步開(kāi)展改革計(jì)劃，以降低長(zhǎng)期對(duì)于存儲(chǔ) 器封裝需求的依賴，并出售和關(guān)閉其他獲利較差的子公司加以應(yīng)對(duì)。行業(yè)分工細(xì)化，OSAT 成為主要生產(chǎn)模式，未來(lái)先進(jìn)封裝技術(shù)是提升芯片效 能的增量動(dòng)力。IDM 與 OSAT 是目前半導(dǎo)體封測(cè)產(chǎn)業(yè)的兩種主要模式。IDM 企業(yè)芯片產(chǎn)業(yè)所有環(huán)節(jié)均自己完成，OSAT 企業(yè)僅提供中后段的封裝測(cè)試代 工服務(wù)。隨著輕資產(chǎn)的設(shè)計(jì)公司的不斷增長(zhǎng)，推動(dòng) OSAT 企業(yè)快速發(fā)展， OSAT+Foundry 的模式成為半導(dǎo)

43、體行業(yè)發(fā)展的主要模式。隨著 IC 設(shè)計(jì)趨于 復(fù)雜與制程工藝不斷提升，封裝環(huán)節(jié)的技術(shù)提升，有望為芯片的性能提供額 外的附加值，提高半導(dǎo)體產(chǎn)品價(jià)值的同時(shí)降低成本。目前先進(jìn)封裝演進(jìn)方向 主要分為減小尺寸的方向，主要實(shí)現(xiàn)方式是 FC、Fan-out、Fan-inWLP 和 Bumping，和異質(zhì)結(jié)融合的方向，主要實(shí)現(xiàn)方式是 Sip、3D 封裝和 TSV，通 過(guò)這兩類型技術(shù)，實(shí)現(xiàn)在更小尺寸里集成更多功能，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的封裝效 率。而 Fan-out 和和 Sip 系統(tǒng)級(jí)封裝是目前被公認(rèn)的在這兩個(gè)方向上具有最 大增長(zhǎng)潛力的封裝技術(shù)。4.3 國(guó)內(nèi)產(chǎn)線建成提升半導(dǎo)體材料與設(shè)備需求國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體新建產(chǎn)能持續(xù)增長(zhǎng)，進(jìn)

44、一步擴(kuò)大國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備需求。根據(jù) SEMI 預(yù)測(cè)，雖然新冠肺炎疫情持續(xù)不利，中國(guó)大陸的半導(dǎo)體設(shè)備支出仍將同比增 長(zhǎng) 5%左右，今年將超過(guò) 120 億美元，并在 2021 年同比增長(zhǎng) 22%，達(dá)到 150 億美元。長(zhǎng)江存儲(chǔ)開(kāi)始新一輪半導(dǎo)體設(shè)備招標(biāo)，中芯國(guó)際追加資本開(kāi)支，半 導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)加快。長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布第 40、41 批設(shè)備采購(gòu)招標(biāo)公告， 涉及產(chǎn)品包括封裝級(jí)高并行度測(cè)試機(jī)臺(tái)、高速芯片測(cè)試機(jī)、鈦化學(xué)氣相沉積 -氮化鈦原子層沉積機(jī)臺(tái)、鋁刻蝕設(shè)備、層間介質(zhì)層化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)等。長(zhǎng)江存儲(chǔ)正處于產(chǎn)能爬坡期，未來(lái)將帶來(lái)下游需求增量空間。國(guó)家存儲(chǔ)器基 地項(xiàng)目二期在武漢東湖高新區(qū)未來(lái)科技城國(guó)家存儲(chǔ)器基地建設(shè)

45、工地開(kāi)工建設(shè)。 國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目于 2016 年 12 月 30 日開(kāi)工，計(jì)劃分兩期建設(shè)，總投資 240 億美元。一期主要實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，建成 10 萬(wàn)片/月產(chǎn)能；二期規(guī)劃產(chǎn)能 20 萬(wàn)片/月，兩期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后月產(chǎn)能共計(jì) 30 萬(wàn)片。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示從全球市場(chǎng) 綜合發(fā)展來(lái)看，企業(yè)級(jí) SSD（固態(tài)硬盤(pán)）、個(gè)人電腦和智能手機(jī)將是未來(lái)閃 存市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。預(yù)計(jì)到 2024 年，SSD 的需求會(huì)占閃存總需求的 57.7%，智能手機(jī)占 27.0%。對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)而言，市場(chǎng)的容量足夠大，機(jī)會(huì)足 夠多，還有很多高速率低延時(shí)的應(yīng)用未被充分開(kāi)發(fā)出來(lái)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的加入將 為市場(chǎng)帶來(lái)新活力。全球半導(dǎo)體資本開(kāi)始有望在 20

46、21 年保持高增長(zhǎng)。根據(jù) SEMI 預(yù)測(cè)，2021 年 全球晶圓廠設(shè)備支出將迎來(lái)標(biāo)志性一年，將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的 677 億美元，增長(zhǎng) 率達(dá) 24%。具體而言，存儲(chǔ)器工廠將以 300 億美元的設(shè)備支出領(lǐng)先全球半導(dǎo) 體領(lǐng)域，3DNAND 閃存將在今年推動(dòng) 30%的投資激增，從而推動(dòng)支出狂潮，在 2021 年實(shí)現(xiàn) 17%的增長(zhǎng)。繼今年一季度創(chuàng)下季度營(yíng)收新高后，中芯國(guó)際 追加全年資本開(kāi)支 11 億美元至 43 億美元。長(zhǎng)江存儲(chǔ)和中芯國(guó)際等國(guó)內(nèi)晶圓 廠的投資以及美國(guó)的出口限制將加速半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)。4.4 關(guān)注第三代半導(dǎo)體材料帶來(lái)的技術(shù)變革機(jī)會(huì)（1）第三代半導(dǎo)體材料對(duì)性能提升有明顯優(yōu)勢(shì)第三代半導(dǎo)體材料以

47、碳化硅、氮化鎵為代表，極具性能優(yōu)勢(shì)。第三代半導(dǎo)體 材料是指帶隙寬度明顯大于 Si 的寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要包括 SiC、GaN、 金剛石等，因其禁帶寬度大于或等于 2.3 電子伏特，又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體 材料。和第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、 高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)，可以滿足現(xiàn)代電子技 術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及高輻射等惡劣條件的新要求。第三代半 導(dǎo)體材料在航空、航天、光存儲(chǔ)等領(lǐng)域有著重要應(yīng)用前景，在寬帶通訊、太 陽(yáng)能、汽車(chē)制造、半導(dǎo)體照明、智能電網(wǎng)等眾多戰(zhàn)略行業(yè)可以降低 50%以上 的能量損失，最高可以使裝備體積減小 75%以上，是

48、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步躍進(jìn) 的基石。半導(dǎo)體材料經(jīng)歷了三次明顯的換代和發(fā)展。第一代半導(dǎo)體材料是 Si、Ge 等 單質(zhì)半導(dǎo)體材料，由于其具有出色的性能和成本優(yōu)勢(shì)，目前仍然是集成電路 等半導(dǎo)體器件主要使用的材料；第二代半導(dǎo)體材料以 GaAs 和 InP 等材料為 代表。第二代半導(dǎo)體材料在物理結(jié)構(gòu)上具有直接帶隙的特點(diǎn)，相對(duì)于 Si 材料 具有光電性能佳、工作頻率高、抗高溫、抗輻射等優(yōu)勢(shì)，可以應(yīng)用于光電器 件和射頻器件；第三代半導(dǎo)體材料以 GaN 和 SiC 等材料為代表。1969 年實(shí)現(xiàn)了 GaN 單晶薄膜的制備。1994 年中村修二研發(fā)了第一支高亮度的 GaN 基 藍(lán)光 LED。1891 年，SiC 晶體

49、被人工合成。1955 年，飛利浦實(shí)驗(yàn)室的 Lely 發(fā)明 SiC 的升華生長(zhǎng)法(或物理氣相傳輸法，即 PVT 法)，后來(lái)經(jīng)過(guò)改進(jìn)后的 PVT 法成為 SiC 單晶制備的主要方法。材料分子結(jié)構(gòu)導(dǎo)致先天性能優(yōu)勢(shì)。第三代半導(dǎo)體材料相對(duì)于 Si 材料具有：禁帶寬度更大、電子飽和飄移速度較高等特點(diǎn)，制作出的半導(dǎo)體器件擁有光電 性能優(yōu)異、高速、高頻、大功率、耐高溫和高輻射等特征，具備應(yīng)用于光電 器件、微波器件和電力電子器件的先天性能優(yōu)勢(shì)。（2）產(chǎn)業(yè)應(yīng)用集中在襯底、射頻器件，2025 年滲透率將達(dá)到 50%以上GaN 襯底技術(shù)難度較大，光電子領(lǐng)域中較為成熟。目前，SiC 襯底技術(shù)相對(duì) 簡(jiǎn)單，主要制備過(guò)程大致

50、分為兩步：第一步 SiC 粉料在單晶爐中經(jīng)過(guò)高溫升 華之后在單晶爐中形成 SiC 晶錠；第二步通過(guò)對(duì) SiC 晶錠進(jìn)行粗加工、切割、 研磨、拋光，得到透明或半透明、無(wú)損傷層、低粗糙度的 SiC 晶片（即 SiC 襯底）。GaN 襯底的生長(zhǎng)主要采用 HVPE（氫化物氣相外延）法，制備技術(shù)仍 有待提升，行業(yè)產(chǎn)量較低，導(dǎo)致 GaN 襯底的缺陷密度和價(jià)格較高，目前只有 激光器等少數(shù)器件采用 GaN 同質(zhì)襯底；GaN 電力電子器件的襯底主要采用 Si 襯底，部分企業(yè)采用藍(lán)寶石襯底，GaN 同質(zhì)襯底的器件在研發(fā)中；GaN 射 頻器件主要是 SiC 高純半絕緣襯底，少數(shù)企業(yè)采用 Si 做襯底；GaN 光電子

51、 器件是 GaN 材料最成熟的領(lǐng)域，基于藍(lán)寶石、SiC 和 Si 襯底的藍(lán)寶石 LED 產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進(jìn)入成熟階段。高技術(shù)門(mén)檻導(dǎo)致第三代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)以日美歐寡頭壟占，國(guó)內(nèi)企業(yè)在 SiC 襯底方面以 4 英寸為主。目前，國(guó)內(nèi)已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了 6 英寸導(dǎo)電性 SiC 襯底和高純半絕緣 SiC 襯底，山東天岳公司、北京天科合達(dá)公司和河北同光晶體公 司分別與山東大學(xué)、中科院物理所和中科院半導(dǎo)體所進(jìn)行技術(shù)合作與轉(zhuǎn)化， 在 SiC 單晶襯底技術(shù)上形成自主技術(shù)體系。國(guó)內(nèi)目前已實(shí)現(xiàn) 4 英寸襯底的量 產(chǎn)；同時(shí)山東天岳、天科合達(dá)、河北同光、中科節(jié)能均已完成 6 英寸襯底的 研發(fā)；中電科裝備已成功研制出 6 英寸半絕緣襯

52、底。在 GaN 襯底方面，國(guó)內(nèi) 企業(yè)已經(jīng)可以小批量生產(chǎn) 2 英寸襯底，具備 4 英寸襯底生產(chǎn)能力，并開(kāi)發(fā)出 6 英寸襯底樣品。目前已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)包括蘇州納米所的蘇州納維科技 公司和北京大學(xué)的東莞市中鎵半導(dǎo)體科技公司，其中蘇州納維目前已推出 4 英寸襯底產(chǎn)品，并且正在開(kāi)展 6 英寸襯底片研發(fā)。先進(jìn)半導(dǎo)體材料已上升至國(guó)家戰(zhàn)略層面，2025 年目標(biāo)滲透率超過(guò) 50%。底 層材料與技術(shù)是半導(dǎo)體發(fā)展的基礎(chǔ)科學(xué)，在 2025 中國(guó)制造中，分別對(duì)第三 代半導(dǎo)體單晶襯底、光電子器件/模塊、電力電子器件/模塊、射頻器件/模塊 等細(xì)分領(lǐng)域做出了目標(biāo)規(guī)劃。在任務(wù)目標(biāo)中提到 2025 實(shí)現(xiàn)在 5G 通信、高效 能

53、源管理中的國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到 50%；在新能源汽車(chē)、消費(fèi)電子中實(shí)現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用， 在通用照明市場(chǎng)滲透率達(dá)到 80%以上。（3）底層材料突破是摩爾定律延續(xù)的關(guān)鍵摩爾定律在硅時(shí)代 6nm 已接近效能極限?！澳柖伞痹谶^(guò)去的幾十年中是 集成電路性能增長(zhǎng)的黃金定律。其核心內(nèi)容：價(jià)格維持不變時(shí)，集成電路上 可容納的元件數(shù)目，約每隔 18-24 個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。 根據(jù) ITRS 的觀點(diǎn)，傳統(tǒng)的硅晶體管微縮至 6 納米已達(dá)極限。以硅材料為根 基的摩爾定律即將失效。若半導(dǎo)體仍以摩爾定律趨勢(shì)發(fā)展，則需要在底層材 料中形成突破。美國(guó)、歐盟、日韓等國(guó)家和地區(qū)組織已經(jīng)通過(guò)制定研發(fā)項(xiàng)目 的方式來(lái)引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)發(fā)展

54、。超越摩爾定律，新材料是突破路徑之一。目前市面上超過(guò) 99%的集成電路都 是以第一代元素半導(dǎo)體材料之一，硅(Si)、鍺(Ge)材料在 20 世紀(jì) 50 年代有 過(guò)高光時(shí)刻，廣泛應(yīng)用于低壓、低頻、中功率晶體管以及光電探測(cè)器中，但 到了 60 年代后期因耐高溫和抗輻射性能較差，工藝更難、成本更高逐漸被硅 材料取代。第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料(SiC、GaN 等)，因其禁帶寬度(Eg)大于 或等于 2.3 電子伏特(eV)而得名。第三代半導(dǎo)體材料具有優(yōu)越的性能和能帶 結(jié)構(gòu)，廣泛用于射頻器件、光電器件、功率器件等制造，具有很大的發(fā)展?jié)?力。目前第三代半導(dǎo)體材料已逐漸滲透 5G、新能源汽車(chē)、綠色照明等新興領(lǐng)

55、 域，被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)的重要發(fā)展方向。美歐等經(jīng)濟(jì)體持續(xù)加大化合物半導(dǎo)體投入。2018 年，美國(guó)、歐盟等國(guó)家和組 織啟動(dòng)了超過(guò) 15 個(gè)研發(fā)項(xiàng)目。其中，美國(guó)的研發(fā)支持力度最大。2018 年美國(guó)能源部（DOE）、國(guó)防先期研究計(jì)劃局（DARPA）、和國(guó)家航空航天局（NASA） 和電力美國(guó)(Power America)等機(jī)構(gòu)紛紛制定第三代半導(dǎo)體相關(guān)的研究項(xiàng)目， 支持總資金超過(guò) 4 億美元，涉及光電子、射頻和電力電子等方向，以期保持 美國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域全球領(lǐng)先的地位。此外，歐盟先后啟動(dòng)了“硅基高 效毫米波歐洲系統(tǒng)集成平臺(tái)（SERENA）”項(xiàng)目和“5GGaN2”項(xiàng)目，以搶占 5G 發(fā)展先機(jī)。（4）以

56、充電器為代表，GaN 支持下的快充效率翻倍提升GaN 三個(gè)特點(diǎn)大幅提升效率：開(kāi)關(guān)頻率高、禁斷寬度大、更低的導(dǎo)通電阻。 開(kāi)關(guān)頻率是指充電頭內(nèi)部晶閘管，可控硅等電子元件，每秒可以完全導(dǎo)通、 斷開(kāi)的次數(shù)。變壓器恰好是充電器中體積最大的元器件之一，占據(jù)了內(nèi)部相 當(dāng)大的空間。開(kāi)關(guān)的頻率高可使用體積更小的變壓器。使用氮化鎵作為變壓 元件，變壓器和電容的體積減少，有助于減少充電頭的體積和重量。禁帶寬 度直接決定電子器件的耐壓和最高工作溫度，禁帶寬度越大，器件能夠承載 的電壓和溫度越高，擊穿電壓也會(huì)越高，功率越高。更低的導(dǎo)通電阻，直接 表現(xiàn)為導(dǎo)電時(shí)的發(fā)熱量。導(dǎo)通電阻越低，發(fā)熱量越低。2018 年 ANKER

57、將 GaN 帶出實(shí)驗(yàn)室。2018 年 10 月 25 日 ANKER 在美國(guó) 紐約發(fā)布了一款劃時(shí)代的新品“ANKER Power Port Atom PD1”GaN 充 電器，由于其搭載了高頻高效的 GaN（氮化鎵）功率器件而備受業(yè)界關(guān)注。 該款產(chǎn)品也是首次將第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用在充電設(shè)備上，從而將相關(guān)技術(shù) 從實(shí)驗(yàn)室?guī)驊?yīng)用市場(chǎng)。主流廠商依次跟進(jìn)，高功率，小體積成最明顯優(yōu)勢(shì)。小米于 2020 年 2 月發(fā)布了 GaN 充電器 Type-C65W，能夠?yàn)樾∶?10Pro 最高提供 50W 的充電功率，小米 10Pro 搭配其使用從 0 充電至 100%僅需 45 分鐘。同時(shí)，它支持 小米疾速閃充

58、、PD3.0 等快充協(xié)議，并且還支持全系 iPhone 快充，官方表 示，使用小米 GaN 充電器 Type-C65W 為 iPhone11 充電，充電速度比原裝 5W 充電器提升約 50%。得益于新型半導(dǎo)體材料 GaN 的加持，Type-C65W 的體積比小米筆記本標(biāo)配的適配器減小約 48%。此外，小米 Type-C65W 的 USB-C 接口支持多個(gè)檔位的智能調(diào)節(jié)輸出電流，能為新款 MacBookPro、小 米筆記本等大功率設(shè)備進(jìn)行最大 65W 充電，還能兼容大多數(shù) Type-C 接口的 電子設(shè)備，包括 Switch 等。產(chǎn)品搭載 E-Marker 芯片，最大支持 5A 電流。 目前，業(yè)界

59、已推出多種快充技術(shù)方案，主要包括高通 Quick Charge 技術(shù)、 OPPO VOOC 閃充技術(shù)、聯(lián)發(fā)科 Pump Express 技術(shù)、華為 Super Charge 技術(shù)、vivo SUPER Flash Charge 技術(shù)和 USB3.1PD 充電技術(shù)等。從消費(fèi)電子快充市場(chǎng)來(lái)看，未來(lái)隨快充需求與 GaN 滲透率不斷提升，2022 年市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到 87.74 億元。隨著 5G 手機(jī)各類參數(shù)不斷提升，內(nèi)部射 頻、處理器、屏幕的耗電量在直線上升，電子產(chǎn)品對(duì)快充的需求日益提升。 多家廠商發(fā)布 GaN 快充后，目前的售價(jià)大部分用戶已經(jīng)可以接受，未來(lái)滲透 率有望逐步提升。假設(shè)智能手機(jī)未來(lái)三年

60、 GaN 快充滲透率為 1%、3%、5%， 可穿戴需求度相對(duì)手機(jī)端有所降低，三年的滲透率為 0.5%、1%、2%；我們 預(yù)計(jì) 2020 年全球 GaN 充電器市場(chǎng)規(guī)模為 24.41 億元，2022 年有望達(dá)到87.74 億元。（5）新能源汽車(chē)市場(chǎng)拐點(diǎn)已至，GaN 功率器件空間可期新能源汽車(chē)拐點(diǎn)已至，發(fā)展路徑復(fù)制智能手機(jī)。新能源汽車(chē)的競(jìng)爭(zhēng)格局已出 現(xiàn)明顯變化，政策端：全球節(jié)能減排，碳排放成國(guó)際談判的重要籌碼，國(guó)六 排放的實(shí)行，加速新能源汽車(chē)替代傳統(tǒng)燃油車(chē)。供給端：全球主流廠商規(guī)劃 將未來(lái)重點(diǎn)發(fā)展方向放到 NEV，有保有量加速提升，目前全球有超過(guò) 150 家 車(chē)廠已有規(guī)劃 EV 新車(chē)上市；在自動(dòng)駕