1、微波集成傳輸線coupled stripline and coupled microstrp line (C1)EDd21顯然除了dDE1121dDE12等耦合外還有耦合形式分為：常用的耦合微帶線是側邊耦合對稱耦合微帶線這種類型的耦合線可等效為三線耦合: 假設傳輸TEM模.因為導電板和接地板為非導磁體，引入另一導體帶對磁場的分布影響不大，對電場的分別影響較大。單線L L變化不大，單線C C 變化大 三線耦合等效電路如圖（b） 由對稱性必有C11C22耦合線特性可由有效線間電容變化傳輸速度變化解出C11為導體2不存在時的對地自電容C22為導體1不存在時的對地自電容C12為接地板不存在時的對地自電

2、容奇模激勵(odd-mode excitation):大小相同，方向相反的電流對耦合線兩導帶的激勵（中心電壁）偶模激勵(even-mode excitation):大小相同，方向相同的電流對耦合線兩導帶的激勵（中心磁壁）( odd/even excitation methods )V=0H=0V-Vodd/even excitation methods (continue 1)odd/even excitation methods (continue 2)奇模電容奇模激勵下，單根導帶對地的分布電容C0C0C112C12C222C124.3-1偶模電容在偶模激勵下，單根導帶對地的分布電容CeCe

3、=C11=C12odd/even excitation methods (continue 3)奇模電抗奇模激勵下，單根導帶對地的特性阻抗Z0oepepeeeeCCCCLCLeZ110114.3-400000101110CCCCLCLoppZ4.3-3偶模電抗在偶模激勵下，單根導帶對地的特性阻抗Z0eodd/even excitation methods (continue 4)rCpppe0是由于假設系統(tǒng)傳TEM波，故由4.3-1 4.3-2 和圖可見 C0 Ce 所以 Z0eZ0o由等效圖奇耦模激勵的場可用電(奇)/磁(偶)壁切分成兩半.只需分別分析單根奇模(電壁邊界)/偶模(磁壁邊界)線

4、特性,再迭加即可得到總場的解四端口網(wǎng)絡(轉化為)兩端口網(wǎng)絡(可用傳輸線分析)B. 奇耦模方法（continue1）對耦合線端口的任何激勵電壓V1、V2總可以分解成一對奇，偶模激勵電壓的組合：oeoeVVVVVV214.3-5B. 奇耦模方法（continue 2）對任何V1、V2可具體解出:222121VVoVVeVV4.3-6B. 奇耦模方法（continue 4） 等效原理圖Lm/Cm單位長度耦合電感/電容 L1/C1單線得分布電感/電容B. 奇耦模方法（continue 5）設電源時諧變化，由基爾霍夫定律有2111dzILjdzILjdVm1212dzILjdzILjdVm)(21111

5、VVdzCjdzVCjdIm)(12212VVdzCjdzVCjdImB. 奇耦模方法（continue 6）同除dz，注意到L1L CC1+Cm即有式211ILjLIjmdzdV122ILjLIjmdzdV211VCjCVjmdzdI122VCjCVjmdzdIB. 奇耦模方法（continue 7）前2個Eq變?yōu)?00000)1 (0IZILjIkLjLdzdV后2個方程變?yōu)?00000)1 (0VYVCjVkCjCdzdI 即式，其中: 對于奇模激勵201VVV201IIIB. 奇耦模方法（continue 8） LLkmL/CCkmC/為耦合系數(shù)mLLk LmCCk C耦合電感耦合電容

6、B. 奇耦模方法（continue 9） 于是 fgop0024.3-12)1)(1(11000CLKKLCCLpo4.3-11CLKKCLoZZ1100004.3-13eVVV21eIII21利用：類似可解出偶模傳輸線方程為：eeeeeLdzdVIZILjIkLje)1 (eeeeeCdzdIVYVCjVkCje)1 ( 據(jù)此可求得偶模相速度、偶模波導波長和偶模特性阻抗分別為：)1)(1 (11CLeeKKLCCLpe4.3-14fgepee24.3-15CLCLeeKKKCKLCLeZZ110)1 ()1 (04.3-16 由上述各種參數(shù)的關系可求得耦合線單位長度自電容、自電感、互電感、互

7、電容分別為: )()(21rerOCCC)1(1)1(120eOCCL)()(21rerOmCCC)1(1)1(120oeCCmL由：由CO=C(1+KC)和 Ce=C(1-KC)相加可得 C=(C0+Ce)/2 相減可得 Cm=(C0-Ce)/2再利用vp公式即可得L、Lm的關系均勻填充介質的對稱線-TEM波對于均勻填充介質的對稱線TEM波奇模偶模相速度必須相等則：rCppepo由此可知:kkkCL均勻填充介質的對稱線-TEM波(continue 1)所以1100ZZo4.3-21fgego4.3-20)1(12LCpepo4.3-191100ZZe4.3-22均勻填充介質的對稱線-TEM波

8、(continue 2)oeZZZ00204.2-23上面兩式相乘有:oeoeZZZZ0000相除可解得：4.3-24)(lg20dBCM耦合系數(shù)的分貝耦合度為:對于非均勻介質可采用有效介電常數(shù)e再用奇偶模eo、ee做準靜態(tài)模擬參見上面剛推出的公式求解可采用求奇模靜態(tài)電容： Co(r)、Ce(r)、Co(1)、Ce(1) 方法；實用公式 準靜態(tài)加邊界數(shù)值法也可用前面保角變換公式復雜求解 )()(22bswbwicththii1io，e式（P130）給出了已知Z0i、r算W/b、S/b的公式。書上給出了零厚度側邊耦合帶狀線公式)() (300iirKKiZio，e連線與中心線的交點即為所求的W/b,S/b實際可用圖4.3-7計算，00roreZZ與