2025年探傷試題及答案一、單項選擇題（每題2分，共30分）1.超聲波探傷中，縱波在鋼中的傳播速度約為（）。A.3230m/sB.5960m/sC.2730m/sD.1480m/s答案：B2.射線探傷中，決定X射線穿透力的主要因素是（）。A.管電流B.曝光時間C.管電壓D.焦距答案：C3.磁粉探傷時，采用交流電磁化的優(yōu)點是（）。A.能檢測深層缺陷B.退磁方便C.剩磁穩(wěn)定D.對表面缺陷靈敏度低答案：B4.滲透探傷中，后乳化型滲透劑的關(guān)鍵操作步驟是（）。A.預(yù)清洗B.乳化處理C.顯像D.干燥答案：B5.渦流探傷中，檢測表面缺陷時應(yīng)選擇（）。A.高頻激勵B.中頻激勵C.低頻激勵D.直流激勵答案：A6.超聲波探傷中，使用斜探頭的主要目的是（）。A.提高分辨力B.檢測表面缺陷C.檢測焊縫中的面狀缺陷D.降低耦合損失答案：C7.射線探傷中，透照厚度為40mm的鋼件，采用Ir192源（半衰期74天），若當(dāng)前活度為100Ci，30天后活度約為（）。A.50CiB.65CiC.75CiD.85Ci答案：B（計算：活度衰減公式N=N?×e^(λt)，λ=ln2/74≈0.00935/天，t=30天，N=100×e^(0.00935×30)≈65Ci）8.磁粉探傷中，周向磁化用于檢測（）。A.平行于工件軸線的缺陷B.垂直于工件軸線的缺陷C.表面下3mm的缺陷D.任意方向的缺陷答案：B9.滲透探傷中，熒光滲透劑的檢測靈敏度通常（）著色滲透劑。A.高于B.低于C.等于D.無法比較答案：A10.超聲波探傷中，當(dāng)晶片尺寸增大時，聲束擴散角（）。A.增大B.減小C.不變D.先增大后減小答案：B11.射線探傷中，像質(zhì)計的主要作用是（）。A.測量缺陷大小B.評估透照質(zhì)量C.確定曝光時間D.校準射線源答案：B12.磁粉探傷時，連續(xù)法與剩磁法的主要區(qū)別是（）。A.磁化電流類型不同B.施加磁粉的時機不同C.檢測缺陷深度不同D.對工件表面要求不同答案：B13.渦流探傷中，提離效應(yīng)是指（）。A.探頭與工件距離變化引起的信號波動B.工件提離檢測線圈時的信號變化C.溫度變化導(dǎo)致的電導(dǎo)率變化D.缺陷深度增加引起的信號衰減答案：A14.超聲波探傷中，使用雙晶探頭的主要目的是（）。A.提高近表面缺陷檢測能力B.增大探測深度C.簡化耦合操作D.降低設(shè)備成本答案：A15.射線探傷中，對于厚度差較大的工件，常用的透照方法是（）。A.單壁單影B.雙壁單影C.多次曝光D.中心透照答案：C二、填空題（每空1分，共20分）1.超聲波探傷中，常用的耦合劑有（水）、（機油）、（甘油）等。2.射線探傷的基本原理是利用射線的（穿透性）、（衰減性）和（感光作用）。3.磁粉探傷按磁粉載體分為（干粉法）和（濕粉法），按磁化電流分為（交流）和（直流/脈動直流）。4.滲透探傷的基本步驟包括（預(yù)清洗）、（滲透）、（清洗）、（干燥）、（顯像）和（觀察記錄）。5.渦流探傷中，影響檢測信號的主要因素有（電導(dǎo)率）、（磁導(dǎo)率）、（幾何形狀）、（缺陷尺寸）和（提離距離）。6.超聲波探傷中，橫波的傳播速度約為縱波的（0.58）倍（鋼中）。7.射線探傷中，半價層是指射線強度衰減到初始值（1/2）所需的材料厚度。三、判斷題（每題1分，共10分）1.超聲波探傷中，頻率越高，波長越短，穿透能力越強。（×）2.射線探傷中，管電流增大僅增加射線強度，不改變波長。（√）3.磁粉探傷適用于所有金屬材料，包括奧氏體不銹鋼。（×）4.滲透探傷不能檢測表面開口缺陷以外的缺陷。（√）5.渦流探傷可以檢測非導(dǎo)電材料的表面缺陷。（×）6.超聲波探傷中，缺陷回波高度僅與缺陷面積有關(guān)。（×）7.射線探傷中，增感屏的作用是減少曝光時間并提高圖像清晰度。（√）8.磁粉探傷時，工件表面的油污會降低磁粉的聚集效果。（√）9.滲透探傷中，顯像劑的作用是吸附滲透劑，形成清晰的顯示。（√）10.渦流探傷中，激勵頻率越高，檢測深度越淺。（√）四、簡答題（每題6分，共30分）1.簡述超聲波探傷中影響缺陷定位精度的主要因素。答案：①儀器時基線校準誤差；②探頭K值（折射角）的準確性；③耦合層厚度變化；④工件材料聲速偏差；⑤缺陷位置的幾何形狀（如曲面工件的聲程修正）；⑥儀器掃描延遲誤差。2.射線探傷中，如何選擇透照工藝參數(shù)（管電壓、管電流、曝光時間、焦距）？答案：①管電壓：根據(jù)工件厚度和材料選擇，厚度大或密度高的材料需更高電壓，但需控制對比度（電壓過高會降低對比度）；②管電流：影響射線強度，需與曝光時間配合，通常選擇設(shè)備允許的最大電流以縮短時間；③曝光時間：與管電流乘積為曝光量，需保證膠片獲得足夠黑度（一般2.04.0）；④焦距：根據(jù)幾何不清晰度要求（Ug=f×d/D，f為焦點尺寸，d為缺陷至膠片距離，D為焦距），通常取焦距≥10f+2d（或按標(biāo)準規(guī)定）。3.磁粉探傷中，如何區(qū)分偽磁痕與真實缺陷磁痕？答案：①觀察磁痕形態(tài)：真實缺陷磁痕通常細而清晰，邊界銳利；偽磁痕（如劃傷、氧化皮、焊縫余高）多為粗散、斷續(xù)或規(guī)則形狀；②重復(fù)磁化檢查：真實缺陷磁痕在重復(fù)磁化后仍出現(xiàn)，偽磁痕可能消失或形態(tài)變化；③用非磁性筆輕劃磁痕：真實缺陷磁痕因漏磁場吸附牢固，不易被擦掉；④結(jié)合工件工藝分析：如焊接件的磁痕多分布在焊縫附近，而機加工劃痕多沿加工方向。4.滲透探傷中，為什么后乳化型滲透劑需要控制乳化時間？答案：后乳化型滲透劑含油基成分，需通過乳化劑（水基或油基）使其乳化后才能被水清洗。乳化時間過短，滲透劑未充分乳化，清洗不徹底會導(dǎo)致背景污染；時間過長，乳化劑可能滲透到缺陷中，將缺陷內(nèi)的滲透劑溶解帶出，造成漏檢。因此需嚴格控制乳化時間（通常15分鐘，具體按滲透劑說明書）。5.渦流探傷中，如何通過阻抗平面分析區(qū)分缺陷類型？答案：渦流檢測時，探頭阻抗變化（ΔR,ΔX）會在阻抗平面上形成軌跡。不同缺陷（如裂紋、氣孔、夾雜）因形狀、方向、電導(dǎo)率影響，其阻抗變化的幅值和相位不同：①表面裂紋：阻抗變化大，相位角大（ΔX顯著）；②氣孔：阻抗變化小，相位角?。虎劢砻嫒毕荩弘S深度增加，ΔX減小，ΔR增大；④材料電導(dǎo)率變化：表現(xiàn)為沿電導(dǎo)率軸的偏移；⑤提離變化：表現(xiàn)為沿提離軸的偏移。通過對比標(biāo)準試樣的阻抗軌跡，可區(qū)分缺陷類型。五、計算題（每題10分，共10分）1.某鋼焊縫超聲波探傷，使用K2探頭（折射角β=63.4°），探頭前沿長度L0=12mm，檢測時在示波屏上測得缺陷波聲程讀數(shù)為100mm（按水平定位法校準）。求缺陷在工件中的水平距離和深度（工件厚度T=30mm）。答案：水平定位法中，聲程S=√(水平距離x2+深度h2)，K=tanβ=x/h=2（K2探頭），故x=2h。已知S=100mm，代入得：√((2h)2+h2)=100→√(5h2)=100→h=100/√5≈44.72mm。但工件厚度T=30mm，說明h應(yīng)≤T，因此可能為一次波檢測（h≤T）或二次波檢測（h=2Th’，h’≤T）。若為一次波檢測，h=44.72mm＞30mm，矛盾，故為二次波檢測。二次波檢測時，聲程路徑為：探頭→工件上表面→缺陷→工件下表面→探頭（或類似路徑），實際深度h’=2Th=6044.72=15.28mm。水平距離x=K×h’=2×15.28≈30.56mm。最終缺陷水平距離（距探頭前沿）=xL0=30.5612≈18.56mm，深度h’≈15.28mm（位于工件下表面15.28mm處，即距上表面14.72mm）。