XX有限公司20XX半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)知識培訓(xùn)課件匯報(bào)人：XX目錄01半導(dǎo)體概述02半導(dǎo)體材料03半導(dǎo)體制造流程04半導(dǎo)體器件原理05半導(dǎo)體工藝技術(shù)06半導(dǎo)體行業(yè)趨勢半導(dǎo)體概述01半導(dǎo)體的定義核心特性具有可控導(dǎo)電性，是電子器件基礎(chǔ)。半導(dǎo)體概念導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體間的材料。0102半導(dǎo)體的分類元件半導(dǎo)體與集成電路按功能分硅基半導(dǎo)體與化合物半導(dǎo)體按材料分半導(dǎo)體的應(yīng)用半導(dǎo)體是制造二極管、晶體管等電子器件的基礎(chǔ)材料。電子器件制造半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于集成電路的制造，是現(xiàn)代電子設(shè)備不可或缺的部分。集成電路半導(dǎo)體材料02常用半導(dǎo)體材料應(yīng)用最廣，穩(wěn)定性好，成本低。硅材料如砷化鎵、碳化硅，用于特殊需求。化合物半導(dǎo)體材料的性質(zhì)與選擇熱敏與光電性半導(dǎo)體材料電阻隨溫升而降，光照增強(qiáng)其導(dǎo)電性。摻雜與壓敏性摻雜可改變電阻率，受壓時(shí)電阻率亦變。材料的制備過程硅錠切割成薄片，拋光成光滑晶圓。晶圓切割拋光從沙子中提取并提純硅，制成高純度硅錠。硅原料提純半導(dǎo)體制造流程03前端工藝流程拉晶、切片、研磨等晶圓制造涂膠、曝光、蝕刻光刻蝕刻離子注入改變晶圓電特性后端封裝流程晶圓切割成芯片，進(jìn)行背面研磨減薄。芯片切割研磨芯片貼裝到框架，通過鍵合實(shí)現(xiàn)電氣互連。芯片貼裝互連測試與質(zhì)量控制對制造出的半導(dǎo)體芯片進(jìn)行功能測試，確保成品率符合標(biāo)準(zhǔn)。成品率測試實(shí)施嚴(yán)格的質(zhì)量控制措施，包括環(huán)境監(jiān)控、設(shè)備校準(zhǔn)等，確保制造流程穩(wěn)定。質(zhì)量控制措施半導(dǎo)體器件原理04二極管與晶體管單向?qū)щ娦?，整流、檢波應(yīng)用。二極管原理放大、開關(guān)作用，電子電路核心。晶體管功能集成電路原理介紹集成電路中晶體管、電阻、電容等基本元件的構(gòu)造與功能。芯片構(gòu)造基礎(chǔ)01闡述集成電路中信號如何傳輸、放大及處理，實(shí)現(xiàn)邏輯運(yùn)算與數(shù)據(jù)存儲。信號傳輸與處理02光電器件原理光電器件實(shí)現(xiàn)光能與電信號相互轉(zhuǎn)換。光電轉(zhuǎn)換基礎(chǔ)基于光電效應(yīng)，PN結(jié)分離電子-空穴對形成光電流。光電二極管半導(dǎo)體工藝技術(shù)05光刻技術(shù)涂膠、曝光、顯影EUV、多重圖案化核心工藝步驟關(guān)鍵技術(shù)刻蝕技術(shù)01濕法刻蝕利用化學(xué)試劑腐蝕，適用于大尺寸。02干法刻蝕結(jié)合物理與化學(xué)，用于高精度圖形轉(zhuǎn)移。離子注入技術(shù)電場加速離子摻雜基本原理含離子源加速器系統(tǒng)組成半導(dǎo)體行業(yè)趨勢06技術(shù)發(fā)展趨勢2nm工藝量產(chǎn)，GAA架構(gòu)成焦點(diǎn)制程技術(shù)革新Chiplet與面板級封裝普及先進(jìn)封裝技術(shù)氧化鎵量產(chǎn)，挑戰(zhàn)SiC地位新材料應(yīng)用市場發(fā)展趨勢全球半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)增長，復(fù)合年增長率達(dá)7.54%。市場規(guī)模增長國產(chǎn)化進(jìn)程加快，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司營收業(yè)績高速增長。國產(chǎn)化加速創(chuàng)新與挑戰(zhàn)AI推動半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制