(19)國家知識產(chǎn)權(quán)局(30)優(yōu)先權(quán)數(shù)據(jù)(62)分案原申請數(shù)據(jù)(71)申請人三星顯示有限公司地址韓國京畿道(72)發(fā)明人樸京淳金建熙金亨錫徐榮完蔡鍾哲(74)專利代理機(jī)構(gòu)北京凱偉律師事務(wù)所16404H10K59/35(2023.01)(54)發(fā)明名稱顯示面板素和第1-2子像素，第1-1子像素和第1-2子像素布置在襯底上方以處于主要顯示區(qū)域中，主要顯示區(qū)域在平面視圖中位于部件區(qū)域外部；第2-1子像素和第2-2子像素，第2-1子像素和第2-2子像素布置在襯底上方以處于部件區(qū)域中，第2-1子像素和第2-2子像素包括薄膜晶體管，薄膜晶體管中的每個(gè)具有半導(dǎo)體層；以及導(dǎo)電層，導(dǎo)電層布置半導(dǎo)體層與襯底之間，導(dǎo)電層在平面視圖2第1-1子像素和第1-2子像素，所述第1-1子像素和所述第1-2子像素在襯底上方布置在主要顯示區(qū)域中，所述主要顯示區(qū)域在平面視圖中位于部件區(qū)域外部；第2-1子像素和第2-2子像素，所述第2-1子像素和所述第2-2子像素在所述襯底上方布置在所述部件區(qū)域中，所述第2-1子像素和所述第2-2子像素包括薄膜晶體管，所述薄膜晶導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層布置在所述半導(dǎo)體層與所述襯底之間，所述導(dǎo)電層在所述平面視圖中在所述部件區(qū)域中包括具有多邊形形狀的開口，所述開口的至少一個(gè)內(nèi)角是鈍角。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，所述導(dǎo)電層在所述平面視圖中與所述第2-1子像素和所述第2-2子像素的所述薄膜晶體管重疊。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，所述導(dǎo)電層在所述平面視圖中與所述第2-1子像素和所述第2-2子像素包括的所有薄膜晶體管重疊。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，所述導(dǎo)電層在所述平面視圖中與所述第2-1子像素和所述第2-2子像素包括的像素電極重疊。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，還包括：金屬層，所述金屬層布置在所述襯底與所述第1-1子像素包括的薄膜晶體管之間。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板，其中，所述金屬層與所述第1-1子像素的所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的一部分重疊，所述半導(dǎo)體層的所述一部分與所述第1-1子像素的所述薄膜晶體管的柵電極重疊。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板，其中，所述導(dǎo)電層與所述金屬層布置在同一層。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，所述導(dǎo)電層的所述開口在所述部件區(qū)域中限定透射區(qū)域。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示面板，其中，所述部件區(qū)域中的透光率不同于所述主要顯示區(qū)域中的透光率。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示面板，還包括：有機(jī)絕緣層，所述有機(jī)絕緣層布置在所述襯底與所述第2-1子像素和所述第2-2子像素包括的像素電極之間，所述有機(jī)絕緣層包括與所述導(dǎo)電層的所述開口相對應(yīng)的孔。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示面板，其中，所述有機(jī)絕緣層的所述孔在所述平面視圖中與所述導(dǎo)電層的所述開口重疊。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，包括所述第1-1子像素和所述第1-2子像素的組重復(fù)地出現(xiàn)在所述主要顯示區(qū)域中，并且包括所述第2-1子像素和所述第2-2子像素的組重復(fù)地出現(xiàn)在所述部件區(qū)域中。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示面板，其中，包括所述第2-1子像素和所述第2-2子像素的所述組布置在所述導(dǎo)電層上方。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示面板，其中，包括所述第2-1子像素和所述第2-2子像素的所述組在所述平面視圖中與所述導(dǎo)電層重疊。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，所述導(dǎo)電層的所述開口具有八邊形的形狀。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，還包括：橋接線，所述橋接線將信號傳輸?shù)剿鲋饕@示區(qū)域中的布置在所述部件區(qū)域旁邊的3子像素。17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，所述橋接線在所述平面視圖中在所述部件區(qū)域中與所述導(dǎo)電層重疊。18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，還包括：驅(qū)動(dòng)電壓線，所述驅(qū)動(dòng)電壓線在所述主要顯示區(qū)域中，所述驅(qū)動(dòng)電壓線電連接到所述第1-1子像素以向所述第1-1子像素施加驅(qū)動(dòng)電壓，其中，所述導(dǎo)電層電連接到所述驅(qū)動(dòng)電壓線。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中，所述驅(qū)動(dòng)電壓線布置在與布置有所述導(dǎo)電層的層不同的層。20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，所述部件區(qū)域在所述平面視圖中具有圓形的形狀。第1-1子像素和第1-2子像素，所述第1-1子像素和所述第1-2子像素在襯底上方布置在主要顯示區(qū)域中，所述主要顯示區(qū)域在平面視圖中位于部件區(qū)域外部；第2-1子像素和第2-2子像素，所述第2-1子像素和所述第2-2子像素在所述襯底上方布置在所述部件區(qū)域中，所述第2-1子像素和所述第2-2子像素包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管中的每個(gè)具有半導(dǎo)體層；以及導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層布置在所述半導(dǎo)體層與所述襯底之間，所述導(dǎo)電層在所述平面視圖中在所述部件區(qū)域中包括具有多邊形形狀的開口，所述導(dǎo)電層在所述平面視圖中與所述第2-1子像素和所述第2-2子像素的所述薄膜晶體管重疊。4[0001]本申請是2021年1月19日提交的申請?zhí)枮?02110068411.4、發(fā)明名稱為“顯示面板及包括顯示面板的顯示設(shè)備”的中國專利申請的分案申請。[0002]相關(guān)申請的交叉引用[0003]本申請要求于2020年1月20日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2020-0007378號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用以其整體地并入本文。技術(shù)領(lǐng)域[0004]本發(fā)明概念的一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式涉及顯示面板和包括顯示面板的顯示設(shè)備，并且更具體地，涉及具有用于顯示圖像的擴(kuò)展顯示區(qū)域的顯示面板和包括該顯示面板的顯示設(shè)備。背景技術(shù)[0005]顯示面板通常包括均勻排列以顯示各種圖像的子像素。顯示面板因其薄且重量輕而廣泛應(yīng)用于各種電子裝置中。[0006]由于顯示設(shè)備在各種不同的電子裝置中使用，所以可應(yīng)用各種方法來設(shè)計(jì)顯示設(shè)備的形狀。[0007]然而，在現(xiàn)有的顯示面板中，當(dāng)顯示面板包括作為電子元件的部件時(shí)，用于顯示圖像的顯示區(qū)域的面積受到了限制。發(fā)明內(nèi)容[0008]一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式包括顯示面板和包括該顯示面板的顯示設(shè)備，該顯示面板具有擴(kuò)展的顯示區(qū)域以便即使在布置有作為電子元件的部件的區(qū)域中也顯示圖像。然而，應(yīng)理解的是，本文中描述的示例性實(shí)施方式應(yīng)僅被視為描述性意義，而非為了限制本發(fā)[0009]附加方面將在下面的詳細(xì)描述中部分地闡述，并且部分地將通過本描述而顯而易見，或者可通過實(shí)踐本公開的實(shí)施方式來習(xí)得。[0010]根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，顯示面板包括布置在第一行中的第1-1子像素和第1-2子像素。第2-1子像素布置在第二行中。第3-1子像素和第3-2子像素布置在第三行中。第一數(shù)據(jù)線配置成將第1-1子像素的像素電路、第2-1子像素的像素電路和第3-1子像素的像素電路電連接。第2-1數(shù)據(jù)線配置成與第1-2子像素的像素電路電連接。第2-2數(shù)據(jù)線配置成與第3-2子像素的像素電路電連接。第一橋接線布置在與第一數(shù)據(jù)線、第2-1數(shù)據(jù)線和第2-2數(shù)據(jù)線不同的層上。第一橋接線具有與第2-1數(shù)據(jù)線接觸的第一側(cè)和與第2-2數(shù)據(jù)線接觸的第二側(cè)。第一橋接線具有沿第一數(shù)據(jù)線的至少一部分延伸的部分。[0011]第1-1子像素、第1-2子像素、第2-1子像素、第3-1子像素和第3-2子像素可布置在襯底上，其中第一橋接線的沿第一數(shù)據(jù)線的至少一部分延伸的部分在襯底的頂表面上的正交投影圖像可與第一數(shù)據(jù)線在襯底的頂表面上的正交投影圖像重疊。5[0012]顯示面板還可包括：第一行中的第1-3子像素和第1-4子像素，其中第1-3子像素位于相對于第1-1子像素與第1-2子像素相反的方向上，并且第1-4子像素位于第1-1子像素與第1-2子像素之間；第二行中的第2-2子像素；第三行中的第3-3子像素和3-4子像素，其中第3-3子像素位于相對于第3-1子像素與第3-2子像素相反的方向上，并且第3-4子像素位于第3-1子像素與第3-2子像素之間；將第1-3子像素的像素電路、第2-2子像素的像素電路和第3-3子像素的像素電路電連接的第三數(shù)據(jù)線；與第1-4子像素的像素電路電連接的第4-1數(shù)據(jù)線；與第3-4子像素的像素電路電連接的第4-2數(shù)據(jù)線；以及第二橋接線，其中第二橋接線位于與第三數(shù)據(jù)線、第4-1數(shù)據(jù)線和第4-2數(shù)據(jù)線不同的層上，第二橋接線具有與第4-1數(shù)據(jù)線接觸的一側(cè)和與第4-2數(shù)據(jù)線接觸的另一側(cè)，第二橋接線具有沿第三數(shù)據(jù)線的至少一部分延伸的部分。[0013]第1-3子像素、第1-4子像素、第2-2子像素、第3-3子像素和第3-4子像素可位于襯底上，其中第二橋接線的沿第三數(shù)據(jù)線的至少一部分延伸的部分在襯底的頂表面上的正交投影圖像可與第三數(shù)據(jù)線在襯底的頂表面上的正交投影圖像重疊。[0014]第三數(shù)據(jù)線、第4-1數(shù)據(jù)線和第4-2數(shù)據(jù)線可位于與第一數(shù)據(jù)線、第2-1數(shù)據(jù)線和第2-2數(shù)據(jù)線相同的層上，并且第二橋接線可位于與第一橋接線相同的層上。[0015]第一橋接線和第二橋接線可位于覆蓋第一數(shù)據(jù)線、第2-1數(shù)據(jù)線、第2-2數(shù)據(jù)線、第三數(shù)據(jù)線、第4-1數(shù)據(jù)線和第4-2數(shù)據(jù)線的絕緣層上。[0016]顯示面板可包括部件區(qū)域和圍繞部件區(qū)域的主要顯示區(qū)域，其中第1-1子像素、第1-2子像素、第3-1子像素和第3-2子像素可位于主要顯示區(qū)域中，并且第2-1子像素可位于部件區(qū)域中。[0017]部件區(qū)域可包括在第2-1子像素外部的透射區(qū)域。[0018]顯示面板還可包括與部件區(qū)域中的一個(gè)子像素的像素電路電連接的附加數(shù)據(jù)線，其中附加數(shù)據(jù)線可沿透射區(qū)域的邊緣延伸。[0019]部件區(qū)域的分辨率可為主要顯示區(qū)域的分辨率的1/2或小于1/2。[0020]顯示面板還可包括與第2-1子像素的像素電路電連接的輔助驅(qū)動(dòng)電壓線以向第2-1子像素的像素電路施加驅(qū)動(dòng)電壓，其中輔助驅(qū)動(dòng)電壓線可位于部件區(qū)域中，并且位于與第一數(shù)據(jù)線和第一橋接線不同的層上并且與第一數(shù)據(jù)線和第一橋接線重疊。[0021]輔助驅(qū)動(dòng)電壓線可位于第一數(shù)據(jù)線和第一橋接線下方。[0022]顯示面板還可包括：主要顯示區(qū)域中的驅(qū)動(dòng)電壓線，驅(qū)動(dòng)電壓線與第1-1子像素的像素電路電連接以向第1-1子像素的像素電路施加驅(qū)動(dòng)電壓。[0023]驅(qū)動(dòng)電壓線可位于第一數(shù)據(jù)線所處的層上。[0024]輔助驅(qū)動(dòng)電壓線的寬度可大于驅(qū)動(dòng)電壓線的寬度。[0025]顯示面板還可包括：第一行中的第1-5子像素；第三行中的第3-5子像素；以及將第1-5子像素的像素電路與第3-5子像素的像素電路電連接的第五數(shù)據(jù)線，其中顯示面板可包括部件區(qū)域和圍繞部件區(qū)域的主要顯示區(qū)域，其中第1-1子像素、第1-2子像素、第1-5子像素、第3-1子像素、第3-2子像素和第3-5子像素可位于主要顯示區(qū)域中，并且第2-1子像素可位于部件區(qū)域中，其中第五數(shù)據(jù)線可橫跨部件區(qū)域，但是可不連接到部件區(qū)域中的子像素的像素電路。[0026]顯示面板還可包括：第一行中的第1-6子像素；第三行中的第3-6子像素；與第1-66子像素電連接的第6-1數(shù)據(jù)線；與第3-6子像素電連接的第6-2數(shù)據(jù)線；以及在與第6-1數(shù)據(jù)線和第6-2數(shù)據(jù)線不同的層上的第三橋接線，第三橋接線具有與第6-1數(shù)據(jù)線接觸的一側(cè)和與第6-2數(shù)據(jù)線接觸的另一側(cè)，第三橋接線具有沿第五數(shù)據(jù)線的至少一部分延伸的部分。[0027]第6-1數(shù)據(jù)線和第6-2數(shù)據(jù)線可位于第一數(shù)據(jù)線、第2-1數(shù)據(jù)線和第2-2數(shù)據(jù)線所處的層上，并且第三橋接線可位于第一橋接線所處的層上。[0028]第一橋接線和第三橋接線可位于覆蓋第一數(shù)據(jù)線、第2-1數(shù)據(jù)線、第2-2數(shù)據(jù)線、第6-1數(shù)據(jù)線和第6-2數(shù)據(jù)線的絕緣層上。[0029]根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，顯示設(shè)備包括：包含部件區(qū)域和圍繞部件區(qū)域的主要顯示區(qū)域的顯示面板以及排列為與顯示面板的部件區(qū)域相對應(yīng)的電子元件。顯示面板包括布置在第一行中的第1-1子像素和第1-2子像素。第2-1子像素布置在第二行中。第3-1子像素和第3-2子像素布置在第三行中。第一數(shù)據(jù)線配置成將第1-1子像素的像素電路、第2-1子像素的像素電路和第3-1子像素的像素電路電連接。第2-1數(shù)據(jù)線配置成與第1-2子像素的像素電路電連接。第2-2數(shù)據(jù)線配置成與第3-2子像素的像素電路電連接。第一橋接線布置在與第一數(shù)據(jù)線、第2-1數(shù)據(jù)線和第2-2數(shù)據(jù)線不同的層上。第一橋接線具有與第2-1數(shù)據(jù)線接觸的第一側(cè)和與第2-2數(shù)據(jù)線接觸的第二側(cè)。第一橋接線具有沿第一數(shù)據(jù)線的至少一部分延伸的部分。[0030]電子元件可包括成像裝置。[0031]根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式，顯示面板包括被主要顯示區(qū)域圍繞的部件區(qū)域。部件區(qū)域具有多個(gè)輔助子像素和圍繞多個(gè)輔助子像素的透射區(qū)域。透射區(qū)域配置為光經(jīng)過透射區(qū)域透射。主要顯示區(qū)域具有布置在與部件區(qū)域的下側(cè)相鄰的下部行中的第一多個(gè)主要子像素和布置在與部件區(qū)域的上側(cè)相鄰的上部行中的第二多個(gè)主要子像素。至少一條第一數(shù)據(jù)線從下部行橫跨部件區(qū)域延伸到上部行。至少一條第一數(shù)據(jù)線中的每個(gè)配置成將下部行和上部行中的子像素與第一輔助子像素電連接。至少一條下部第二數(shù)據(jù)線配置成與下部行中的子像素電連接。至少一條上部第二數(shù)據(jù)線配置成與上部行中的子像素電連接。至少一條橋接線中的每個(gè)具有與至少一條下部第二數(shù)據(jù)線中的一個(gè)連接的第一端和與至少一條上部第二數(shù)據(jù)線中的一個(gè)連接的第二端。至少一條橋接線布置在與至少一條第一數(shù)據(jù)線不同的層上，并且至少一條橋接線中的每個(gè)具有沿至少一條第一數(shù)據(jù)線中的一個(gè)的至少一部分延伸的重疊部分。[0032]根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，顯示面板包括：第1-1子像素和第1-2子像素，第1-1子像素和第1-2子像素在襯底上方布置在主要顯示區(qū)域中，主要顯示區(qū)域在平面視圖中位于部件區(qū)域外部；第2-1子像素和第2-2子像素，第2-1子像素和第2-2子像素在襯底上方布置在部件區(qū)域中，第2-1子像素和第2-2子像素包括薄膜晶體管，薄膜晶體管中的每個(gè)具有半導(dǎo)體層；以及導(dǎo)電層，導(dǎo)電層布置在半導(dǎo)體層與襯底之間，導(dǎo)電層在平面視圖中在部件區(qū)域中包括具有多邊形形狀的開口，開口的至少一個(gè)內(nèi)角是鈍角。[0033]導(dǎo)電層在平面視圖中與第2-1子像素和第2-2子像素的薄膜晶體管重疊。[0034]導(dǎo)電層在平面視圖中與第2-1子像素和第2-2子像素包括的所有薄膜晶體管重疊。[0035]導(dǎo)電層在平面視圖中與第2-1子像素和第2-2子像素包括的像素電極重疊。[0036]顯示面板還包括金屬層，金屬層布置在襯底與第1-1子像素包括的薄膜晶體管之7[0037]金屬層與第1-1子像素的薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的一部分重疊，該半導(dǎo)體層的該一部分與第1-1子像素的薄膜晶體管的柵電極重疊。[0038]導(dǎo)電層與金屬層布置在同一層。[0039]導(dǎo)電層的開口在部件區(qū)域中限定透射區(qū)域。[0040]部件區(qū)域中的透光率不同于主要顯示區(qū)域中的透光率。[0041]顯示面板還包括有機(jī)絕緣層，有機(jī)絕緣層布置在襯底與第2-1子像素和第2-2子像素包括的像素電極之間，有機(jī)絕緣層包括與導(dǎo)電層的開口相對應(yīng)的孔。[0042]有機(jī)絕緣層的孔在平面視圖中與導(dǎo)電層的開口重疊。[0043]包括第1-1子像素和第1-2子像素的組重復(fù)地出現(xiàn)在主要顯示區(qū)域中，并且包括第2-1子像素和第2-2子像素的組重復(fù)地出現(xiàn)在部件區(qū)域中。[0044]包括第2-1子像素和第2-2子像素的組布置在導(dǎo)電層上方。[0045]包括第2-1子像素和第2-2子像素的組在平面視圖中與導(dǎo)電層重疊。[0046]導(dǎo)電層的開口具有八邊形的形狀。[0047]顯示面板還包括橋接線，橋接線將信號傳輸?shù)街饕@示區(qū)域中的布置在部件區(qū)域旁邊的子像素。[0048]橋接線在平面視圖中在部件區(qū)域中與導(dǎo)電層重疊。[0049]顯示面板還包括驅(qū)動(dòng)電壓線，驅(qū)動(dòng)電壓線在主要顯示區(qū)域中，驅(qū)動(dòng)電壓線電連接到第1-1子像素以向第1-1子像素施加驅(qū)動(dòng)電壓，其中，導(dǎo)電層電連接到驅(qū)動(dòng)電壓線。[0050]驅(qū)動(dòng)電壓線布置在與布置有導(dǎo)電層的層不同的層。[0051]部件區(qū)域在平面視圖中具有圓形的形狀。[0052]根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，顯示面板包括：第1-1子像素和第1-2子像素，第1-1子像素和第1-2子像素在襯底上方布置在主要顯示區(qū)域中，主要顯示區(qū)域在平面視圖中位于部件區(qū)域外部；第2-1子像素和第2-2子像素，第2-1子像素和第2-2子像素在襯底上方布置在部件區(qū)域中，第2-1子像素和第2-2子像素包括薄膜晶體管，薄膜晶體管中的每個(gè)具有半導(dǎo)體層；以及導(dǎo)電層，導(dǎo)電層布置在半導(dǎo)體層與襯底之間，導(dǎo)電層在平面視圖中在部件區(qū)域中包括具有多邊形形狀的開口，導(dǎo)電層在平面視圖中與第2-1子像素和第2-2子像素的薄膜晶體管重疊。[0053]除上述方面、特征和優(yōu)點(diǎn)以外的其它方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將通過詳細(xì)描述、權(quán)利要求和附圖而顯而易見。附圖說明[0054]通過結(jié)合附圖的以下描述，本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的以上和其它方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將更加顯而易見，在附圖中：[0055]圖1是根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備的透視圖；[0056]圖2是根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的沿圖1的線A-A’截取的顯示設(shè)備的剖面視圖；[0057]圖3是根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的可包括在圖1的顯示設(shè)備中的顯示面板的平面視圖；[0058]圖4是示出根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的圖3的顯示面板的主要顯示區(qū)域8中的像素排列結(jié)構(gòu)的平面視圖；[0059]圖5和圖6是示出根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的圖3的顯示面板的部件區(qū)域中的像素排列結(jié)構(gòu)的平面視圖；[0060]圖7和圖8是根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的圖3的顯示面板中的子像素的像素電路的等效電路圖；[0061]圖9是根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的沿圖4的線I-I’和圖6的線II-II’截取的像素排列結(jié)構(gòu)的剖面視圖；[0062]圖10和圖11是示出根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的圖3的顯示面板的子像素和線路線的排列的平面視圖；[0063]圖12是根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的沿圖10和圖11的線III-III’截取的子像素和線路線的排列的剖面視圖；[0064]圖13是示出根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的圖3的顯示面板的驅(qū)動(dòng)電壓線和輔助驅(qū)動(dòng)電壓線的排列的平面視圖；[0065]圖14和圖15是示出根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的顯示面板的子像素和線路線的排列的平面視圖；以及[0066]圖16和圖17是示出根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的顯示面板的子像素和線路線的排列的平面視圖。具體實(shí)施方式[0067]現(xiàn)將詳細(xì)地參照實(shí)施方式，實(shí)施方式的實(shí)例被示出在附圖中，在附圖中相似的附圖標(biāo)記始終指示相似的元件。在這方面，本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式可具有不同的形式，并且不應(yīng)解釋為限于本文中所闡述的描述。相應(yīng)地，下面僅通過參照附圖對本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式進(jìn)行描述以解釋本發(fā)明概念的各方面。如本文中所使括相關(guān)所列項(xiàng)目中的一個(gè)或多個(gè)的任何和所有組合。在整[0068]雖然在附圖中示出了本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式并且在其詳細(xì)描述中進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式可具有不同的經(jīng)修改的實(shí)施方式。當(dāng)參考參照附圖描述的示例性實(shí)施方式時(shí)，本發(fā)明概念的效果和特征以及實(shí)現(xiàn)這些的方法將是顯而易見的。然而，本發(fā)明概念可以許多不同的形式實(shí)施，并且不應(yīng)解釋為受限于本文中所闡述的示例性實(shí)施方式。[0069]下面將參照附圖對本發(fā)明概念的一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式進(jìn)行更詳細(xì)的描述。與附圖標(biāo)記無關(guān)，相同或?qū)?yīng)的那些部件用相同的附圖標(biāo)記表示，并且為了解釋的便利，省略冗余的解釋。的尺寸和厚度為了解釋的便利而被任意地示出，因此以下實(shí)施方式不限于此。[0071]在以下示例性實(shí)施方式中，x軸、y軸和z軸不限于直角坐標(biāo)系的三個(gè)軸，并且可以9更廣泛的意義進(jìn)行解釋。例如，x軸、y軸和z軸可彼此垂直，或者可表示彼此不垂[0072]圖1是根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備1的示意性透視圖。[0073]參照圖1的示例性實(shí)施方式，顯示設(shè)備1包括顯示區(qū)域DA和顯示區(qū)域DA外部的外圍為其中未排列有顯示元件的非顯示區(qū)域。顯示區(qū)域DA可完全被外圍區(qū)域PA圍繞。然而，本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此。例如，在其它示例性實(shí)施方式中，顯示區(qū)域DA可延伸到顯示設(shè)備1的至少一個(gè)邊緣，并且在至少一側(cè)上可不被外圍區(qū)域PA圍繞。[0074]圖1示出了一個(gè)部件區(qū)域CA位于主要顯示區(qū)域MDA中。然而，本發(fā)明概念的示例性個(gè)部件區(qū)域CA中的每個(gè)的形狀和尺寸可相同，或者多個(gè)部件區(qū)域CA中的至少一個(gè)的形狀和尺寸可彼此不同。多個(gè)部件區(qū)域CA可以各種不同的布置排列在顯示區(qū)域DA中。[0075]在下文中，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備將被描述為根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的顯示設(shè)備1.然而，本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此。例如，在其它示例性實(shí)施方式中，顯示設(shè)備1可為無機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備(或無機(jī)電致發(fā)光(Electro-Luminescence,EL)顯示設(shè)備)、量子點(diǎn)發(fā)光顯示設(shè)備等。例如，顯示設(shè)備1的顯示元件的發(fā)射層可包括有機(jī)材料、無機(jī)[0076]在圖1的示例性實(shí)施方式中，部件區(qū)域CA被示出為具有基本上圓形形狀。然而，本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此，并且當(dāng)在基本上垂直于襯底的上表面的方向上(例如，在由x方向和y方向限定的平面中的平面視圖中)觀看時(shí)，部件區(qū)域CA可具有包括橢圓、多邊形(諸如正方形、星形和菱形)、不規(guī)則形狀等的各種形狀中的一個(gè)。[0077]在圖1的示例性實(shí)施方式中，當(dāng)在基本上垂直于襯底的上表面的方向上(例如，在x方向和y方向限定的平面中的平面視圖中)觀看時(shí)，部件區(qū)域CA排列在具有基本上矩形形狀實(shí)施方式不限于此。例如，部件區(qū)域CA可排列在主要顯示區(qū)域MDA的各種不同區(qū)域中，諸如在具有基本上矩形形狀的主要顯示區(qū)域MDA的x方向的一側(cè)(例如，右上側(cè)或左上側(cè))上。雖然主要顯示區(qū)域MDA在圖1的示例性實(shí)施方式中被示出為具有基本上矩形形狀，但是本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此。在其它示例性實(shí)施方式中，主要顯示區(qū)域MDA可具有包括球面形、多邊形和不規(guī)則形狀的各種不同的形狀。[0078]顯示設(shè)備1可使用排列在主要顯示區(qū)域MDA中的多個(gè)主要子像素Pm和排列在部件區(qū)域CA中的多個(gè)輔助子像素Pa來提供圖[0079]如以下參照圖2的示例性實(shí)施方式所描述的，作為電子元件的部件20可排列在部件區(qū)域CA下方。在示例性實(shí)施方式中，部件20是使用紅外光或可見光的相機(jī)并且可包括成像裝置。可替換地，部件20可具有接收聲音的功能。為了減少部件20的功能限制，部件區(qū)域CA可包括用于將從部件20輸出的光和/或聲音透射到外部和/或?qū)碜酝獠康墓夂?或聲音透射到部件20的透射區(qū)域TA。透射區(qū)域TA可不包括像素或子像素。通過根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的顯示面板10和根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的具有該顯示面板10的顯示設(shè)備1,當(dāng)紅外光透射過部件區(qū)域CA時(shí)，透光率可為約10%或更多，例如，約20%或更多、約25%或更多、約50%或更多、約85%或更多或約90%或更多。[0080]多個(gè)輔助子像素Pa可排列在部件區(qū)域CA中。多個(gè)輔助子像素Pa可發(fā)射光以生成圖像。在部件區(qū)域CA中顯示的圖像是輔助圖像并且可具有比在主要顯示區(qū)域MDA中顯示的圖像更低的分辨率。由于部件區(qū)域CA包括能夠透射光和聲音的透射區(qū)域TA并且在透射區(qū)域TA中未排列有子像素，所以每單位區(qū)域可排列的輔助子像素Pa的數(shù)量可小于主要顯示區(qū)域[0081]圖2是根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的沿圖1的線A-A’截取的顯示設(shè)備1的一部分的示意性剖面視圖。[0082]參照圖2的示例性實(shí)施方式，顯示設(shè)備1可包括顯示面板10和部件20,其中顯示面板10包括顯示元件，部件20位于顯示面板10下方(例如，在-z方向上)并且是與部件區(qū)域CA相對應(yīng)的電子元件。[0083]顯示面板10可包括襯底100、排列在襯底100上的顯示元件層200以及密封顯示元件層200的薄膜封裝層300。顯示面板10還可包括各種部件。例如，如圖2的示例性實(shí)施方式中所示，顯示面板10還可包括排列在襯底100下方的下部保護(hù)膜175和類似物。[0084]在示例性實(shí)施方式中，襯底100可包括玻璃或聚合物樹脂。例如，襯底100可包括聚包括聚合物樹脂的襯底100可為柔性的、可卷曲的或可彎折的。襯底100可具有包括包含前述聚合物樹脂的層和無機(jī)層的多層結(jié)構(gòu)。例如，襯底100可包括包含前述聚合物樹脂及插置于其間的無機(jī)阻擋層的兩層。然而，本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此。[0085]顯示元件層200可包括包含薄膜晶體管TFT的電路層、作為顯示元件的有機(jī)發(fā)光二的像素電路和與像素電路電連接的有機(jī)發(fā)光二極管OLED。另外，與主要子像素Pm和輔助子像素Pa電連接的線路線可排列在主要顯示區(qū)域MDA中。[0087]在部件區(qū)域CA中，排列有輔助子像素Pa,輔助子像素Pa包括包含薄膜晶體管TFT的像素電路和與像素電路電連接的有機(jī)發(fā)光二極管OLED。另外，部件區(qū)域CA可具有不包括薄膜晶體管TFT且其中未排列有子像素的透射區(qū)域TA。透射區(qū)域TA是從部件20發(fā)射的光/聲音/信號或入射到部件20(例如，來自外部環(huán)境)的光/聲音/信號可至少部分經(jīng)過的區(qū)域。[0088]位于顯示面板10下方(例如，在-z方向上)的部件20可定位成與部件區(qū)域CA相對應(yīng)。部件20可為使用光或聲音的電子元件。例如，部件20可為諸如相機(jī)的成像裝置、接收并且使用光的傳感器(像紅外傳感器那樣)、輸出并且感測光或聲音以測量距離或識別指紋或類似物的傳感器、輸出光的小燈或輸出聲音的揚(yáng)聲器。然而，本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此。使用光的電子元件可使用不同波段中的光，諸如可見光、紅外光和紫外光。在部件區(qū)域CA中，可排列一個(gè)部件20或可排列多個(gè)部件20。例如，第一部件(諸如發(fā)光元件)和第二部件(諸如光接收元件)可排列成對應(yīng)于一個(gè)部件區(qū)域CA?？商鎿Q地，一個(gè)部件20可包括發(fā)光部分和光接收部分，并且可排列成對應(yīng)于一個(gè)部件區(qū)域CA。[0089]在示例性實(shí)施方式中，薄膜封裝層300可包括至少一個(gè)無機(jī)封裝層和至少一個(gè)有機(jī)封裝層。圖2作為實(shí)例示出了薄膜封裝層300(例如，在z方向上)包括第一無機(jī)封裝層310、11第二無機(jī)封裝層330以及它們之間的有機(jī)封裝層320.然而，本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此。[0090]在示例性實(shí)施方式中，第一無機(jī)封裝層310和第二無機(jī)封裝層330可包括選自氧化材料。有機(jī)封裝層320可包括聚合物類材料。例如，聚合物類材料可包括聚對苯二甲酸乙二硅氧烷、丙烯酸類樹脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸)或其任何組合。[0091]下部保護(hù)膜175可附接到襯底100的下表面并且可支撐和保護(hù)襯底100。例如，如圖2的示例性實(shí)施方式中所示，下部保護(hù)膜175的上表面可直接接觸襯底100的下表面。下部保護(hù)膜175可具有與部件區(qū)域CA相對應(yīng)的開口1750P。由于下部保護(hù)膜175具有開口1750P,所以穿過部件區(qū)域CA的光/聲音可被引導(dǎo)到部件20,或者來自部件20的光/聲音可進(jìn)入部件區(qū)域CA。在示例性實(shí)施方式中，下部保護(hù)膜175可包括聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亞胺。[0092]部件區(qū)域CA的面積(例如，在x方向和y方向上的面積)可大于排列有部件20的面積。雖然在圖2中部件區(qū)域CA和下部保護(hù)膜175中的開口1750P具有相同的面積，但這僅是實(shí)例。下部保護(hù)膜175中的開口1750P的面積可不等于部件區(qū)域CA的面積。例如，開口1750P的面積可小于部件區(qū)域CA的面積。[0093]雖然圖2中未示出，但是可在顯示面板10上排列用于感測觸摸輸入的輸入感測構(gòu)件。另外，可在顯示面板10上排列包括偏振器和延遲器或包括濾色器和黑色矩陣的抗反射構(gòu)件。此外，可在顯示面板10上排列諸如具有透明窗的覆蓋件的部件。[0094]在圖2中，如上所述，薄膜封裝層300用作發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此。例如，通過密封劑或熔塊與襯底100聯(lián)接的封裝襯底可用作密封顯示元件層200的構(gòu)件。[0095]圖3是根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的可包括在圖1的顯示設(shè)備1中的顯示面板10的示意性平面視圖。[0096]參照圖3的示例性實(shí)施方式，構(gòu)成顯示面板10的各種部件排列在襯底100上。襯底域CA包括透射區(qū)域TA,并且輔助圖像在部件區(qū)域CA上顯示。在示例性實(shí)施方式中，輔助圖像可與主要圖像一起形成一個(gè)整體圖像，并且輔助圖像可為獨(dú)立于主要圖像的圖像。[0097]在主要顯示區(qū)域MDA中排列有多個(gè)主要子像素Pm。多個(gè)主要子像素Pm中的每個(gè)可2所描述的，薄膜封裝層300可覆蓋主要顯示區(qū)域MDA以用于保護(hù)其免受環(huán)境空氣或濕氣的影響。[0098]部件區(qū)域CA可排列在主要顯示區(qū)域MDA內(nèi)，并且多個(gè)輔助子像素Pa排列在部件區(qū)域CA中。多個(gè)輔助子像素Pa中的每個(gè)可包括諸如有機(jī)發(fā)光二極管的顯示元件。多個(gè)輔助子性實(shí)施方式不限于此。如以上參照圖2所描述的，薄膜封裝層300可覆蓋部件區(qū)域CA以用于保護(hù)其免受環(huán)境空氣或濕氣的影響。[0099]部件區(qū)域CA可包括透射區(qū)域TA。透射區(qū)域TA可排列為圍繞多個(gè)輔助子像素Pa?？商鎿Q地，透射區(qū)域TA可與多個(gè)輔助子像素Pa以格子形狀排列(參見圖10)。[0100]由于部件區(qū)域CA包括透射區(qū)域TA,所以部件區(qū)域CA的分辨率可低于主要顯示區(qū)域?yàn)榧s200ppi或約100ppi。[0101]主要子像素Pm和輔助子像素Pa中的每個(gè)可與排列在外圍區(qū)域PA中的外部電路電連接。外圍區(qū)域PA中可排列有第一掃描驅(qū)動(dòng)電路110、第二掃描驅(qū)動(dòng)電源線160和第二電源線170。[0102]第一掃描驅(qū)動(dòng)電路110可通過掃描線SL將掃描信號施加到主要子像素Pm和輔助子像素Pa中的每個(gè)。此外，第一掃描驅(qū)動(dòng)電路110可通過發(fā)射控制線EL將發(fā)射控制信號施加到每個(gè)像素。第二掃描驅(qū)動(dòng)電路120可相對于主要顯示區(qū)域MDA(例如，在+x方向上)位于第一掃描驅(qū)動(dòng)電路110的相對側(cè)上，并且可與第一掃描驅(qū)動(dòng)電路110基本上平行。主要顯示區(qū)域MDA中的第一多個(gè)主要子像素Pm可與第一掃描驅(qū)動(dòng)電路110電連接，并且剩余的主要子像素Pm(例如，第二多個(gè)主要子像素Pm)可與第二掃描驅(qū)動(dòng)電路120電連接。第二掃描驅(qū)動(dòng)電路120可經(jīng)由掃描線SL和發(fā)射控制線EL,將掃描信號和發(fā)射控制信號施加到主要顯示區(qū)域MDA中的主要子像素Pm之中的與第二掃描驅(qū)動(dòng)電路120電連接的主要子像素Pm。部件區(qū)域CA中的第一多個(gè)輔助子像素Pa可與第一掃描驅(qū)動(dòng)電路110電連接，并且剩余的輔助子像素Pa(例如，第二多個(gè)輔助子像素Pa)可與第二掃描驅(qū)動(dòng)電路120電連接。第二掃描驅(qū)動(dòng)電路120可經(jīng)由掃描線SL和發(fā)射控制線EL,將掃描信號和發(fā)射控制信號施加到部件區(qū)域CA中的輔助子像素Pa之中的與第二掃描驅(qū)動(dòng)電路120電連接的輔助子像素Pa。[0103]可替換地，主要顯示區(qū)域MDA中的主要子像素Pm中的每個(gè)可與第一掃描驅(qū)動(dòng)電路110和第二掃描驅(qū)動(dòng)電路120這兩者電連接，并且因此可經(jīng)由與第一掃描驅(qū)動(dòng)電路110和第二掃描驅(qū)動(dòng)電路120這兩者連接的掃描線SL接收掃描信號并且經(jīng)由與第一掃描驅(qū)動(dòng)電路110和第二掃描驅(qū)動(dòng)電路120這兩者連接的發(fā)射控制線EL來接收發(fā)射控制信號。部件區(qū)域CA中的輔助子像素Pa中的每個(gè)還可與第一掃描驅(qū)動(dòng)電路110和第二掃描驅(qū)動(dòng)電路120這兩者電連接，并且因此可經(jīng)由與第一掃描驅(qū)動(dòng)電路110和第二掃描驅(qū)動(dòng)電路120這兩者連接的掃描線SL接收掃描信號并且經(jīng)由與第一掃描驅(qū)動(dòng)電路110和第二掃描驅(qū)動(dòng)電路120這兩者連接的發(fā)射控制線EL來接收發(fā)射控制信號。[0104]然而，本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此，并且在一些示例性實(shí)施方式中可省略第二掃描驅(qū)動(dòng)電路120。在這種實(shí)施方式中，主要顯示區(qū)域MDA中的所有主要子像素Pm可與第一掃描驅(qū)動(dòng)電路110電連接，并且類似地，部件區(qū)域CA中的所有輔助子像素Pa可與第一掃描驅(qū)動(dòng)電路110電連接。[0105]作為參考，盡管在圖3中第一掃描驅(qū)動(dòng)電路110被示出為一個(gè)部件，但是本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此。例如，第一掃描驅(qū)動(dòng)電路110可包括彼此分離(例如，在x方向和/或y方向上)的第一掃描信號驅(qū)動(dòng)電路和第一發(fā)射控制驅(qū)動(dòng)電路。在該實(shí)施方式中，第一掃描信號驅(qū)動(dòng)電路可與掃描線SL電連接，并且第一發(fā)射控制驅(qū)動(dòng)電路可與發(fā)射控制線EL電連接。第二掃描驅(qū)動(dòng)電路120也可包括彼此分離的第二掃描信號驅(qū)動(dòng)電路和第二發(fā)射控制驅(qū)動(dòng)電路。在該實(shí)施方式中，第二掃描信號驅(qū)動(dòng)電路可與掃描線SL電連接，并且第二發(fā)射控制驅(qū)動(dòng)電路可與發(fā)射控制線EL電連接。[0106]端子140可排列在襯底100的一側(cè)上。例如，如圖3的示例性實(shí)施方式中所示，端子140可排列在襯底100的下側(cè)(例如，在-y方向)上。端子140可通過不被絕緣層覆蓋而暴露并且與印刷電路板PCB電連接。印刷電路板PCB的端子PCB-P可與顯示面板10的端子140電連接。印刷電路板PCB將控制器的信號或電力傳輸?shù)斤@示面板10。由控制器生成的控制信號可通過印刷電路板PCB傳輸?shù)降谝粧呙栩?qū)動(dòng)電路110和第二掃描驅(qū)動(dòng)電路120中的每個(gè)?？刂破骺赏ㄟ^第一連接線161將第一電源電壓ELVDD(參見圖7和圖8)提供到第一電源線160,并且可通過第二連接線171將第二電源電壓ELVSS(參見圖7和圖8)提供到第二電源線170。第一電源電壓ELVDD可通過與第一電源線160連接的驅(qū)動(dòng)電壓線PL施加到主要子像素Pm和輔助子像素Pa中的每個(gè)，并且第二電源電壓ELVSS可施加到與第二電源線170連接的主要子像素Pm和輔助子像素Pa中的每個(gè)的相對電極。第一電源電壓ELVDD可稱為驅(qū)動(dòng)電壓。在下文[0107]數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路150與數(shù)據(jù)線DL電連接。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路150的數(shù)據(jù)信號可通過與端子140連接的連接線151和與連接線151連接的數(shù)據(jù)線DL施加到主要子像素Pm和輔助子像素Pa。雖然圖3的示例性實(shí)施方式示出了數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路150排列在印刷電路板PCB上，但是本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此，并且在其它示例性實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路150可排列在襯底100上。例如，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路150可(例如，在y方向上)排列在端子140與第一電源線[0108]第一電源線160可包括在x軸方向上延伸并且在y方向上與第一電源線160間隔開的第一子線162和第二子線163,其中主要顯示區(qū)域MDA位于第一子線162與第二子線163之間。位于主要顯示區(qū)域MDA的+y方向上的第二子線163可經(jīng)由沿y軸延伸的驅(qū)動(dòng)電壓線PL中的一些與位于主要顯示區(qū)域MDA的-y方向上的第一子線162電連接，以便橫跨主要顯示區(qū)域MDA,如圖3中所示。例如，驅(qū)動(dòng)電壓線PL中的一些可僅與第一子線162電連接，驅(qū)動(dòng)電壓線PL中的一些可僅與第二子線163電連接，并且驅(qū)動(dòng)電壓線PL中的一些可與第一子線162和第二子線163電連接?？商鎿Q地，線可位于外圍區(qū)域PA中，以使得該線可將第二子線163與第一子線162電連接。[0109]第二電源線170可具有環(huán)形狀，其中環(huán)形狀具有一個(gè)開口側(cè)(例如，y方向的下側(cè))[0110]圖4是示出圖3的顯示面板10的主要顯示區(qū)域MDA中的像素排列結(jié)構(gòu)的示意性平面視圖，并且圖5和圖6是示出根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的圖3的顯示面板10的部件區(qū)域CA中的像素排列結(jié)構(gòu)的示意性平面視圖。[0111]如圖4的示例性實(shí)施方式中所示，主要顯示區(qū)域MDA中可排列有多個(gè)主要子像素Pm。多個(gè)主要子像素Pm中的每個(gè)可包括諸如有機(jī)發(fā)光二極管的顯示元件。多個(gè)主要子像素Pm中的每個(gè)可發(fā)射紅色光、綠色光、藍(lán)色光和白色光中的一種。然而，本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此。例如，多個(gè)主要子像素Pm可包括發(fā)射紅色光的主要子像素Pr、發(fā)射綠色光的主要子像素Pg和發(fā)射藍(lán)色光的主要子像素Pb。在圖4的示例性實(shí)施方式中，多個(gè)主要子性實(shí)施方式中，多個(gè)主要子像素Pm可排列成條紋形狀或各種其它形狀。[0112]如圖5的示例性實(shí)施方式中所示，多個(gè)輔助子像素Pa可排列在部件區(qū)域CA中。多個(gè)輔助子像素Pa中的每個(gè)可包括諸如有機(jī)發(fā)光二極管的顯示元件。多個(gè)輔助子像素Pa中的每個(gè)可發(fā)射紅色光、綠色光、藍(lán)色光和白色光中的一種。然而，本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此。[0113]部件區(qū)域CA可包括包含至少一個(gè)輔助子像素Pa的像素組PG和透射區(qū)域TA。如圖5的示例性實(shí)施方式中所示，像素組PG和透射區(qū)域TA可交替地排列在x軸方向和y軸方向上，并且例如，可以格子形狀排列。然而，本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式中所示，部件區(qū)域CA可包括多個(gè)像素組PG和多個(gè)透射區(qū)域TA。[0114]像素組PG可限定為子像素集合，其中多個(gè)輔助子像素Pa或主要子像素Pm以預(yù)設(shè)單位分組。在圖5和圖6的示例性實(shí)施方式中，一個(gè)像素組PG包括八個(gè)輔助子像素Pa。換句話說，在圖5和圖6中，一個(gè)像素組PG包括在第一行中在x軸方向上排列的紅色子像素Pr、綠色子像素Pg、藍(lán)色子像素Pb和綠色子像素Pg以及在與第一行不同的第二行中在x軸方向上平行排列的藍(lán)色子像素Pb、綠色子像素Pg、紅色子像素Pr和綠色子像素Pg。然而，本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此。例如，像素組PG中包括的輔助子像素Pa的數(shù)量或排列可根據(jù)部件區(qū)域CA的分辨率進(jìn)行修改。此外，可理解的是，圖5中所示的一個(gè)像素組PG不是指一個(gè)像素，而是包括多個(gè)像素。而且，如圖4的示例性實(shí)施方式中所示，對于主要顯示區(qū)域MDA中的主要子像素Pm,像素組PG可以相同的方式來限定。稍后將描述的輔助子像素Pa的像素組PG的描述也可應(yīng)用于主要子像素Pm的像素組PG。然而，本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此，并且在一些示例性實(shí)施方式中，用于主要子像素Pm的像素組PG可具有與用于輔助子像素Pa的像素組PG不同的子像素?cái)?shù)量或不同的子像素排列。[0115]如上所述，像素組PG可包括八個(gè)輔助子像素Pa,并且圖5示出了輔助子像素Pa以pentile型排列。然而，輔助子像素Pa可排列成條紋形狀或其它各種形狀。[0116]透射區(qū)域TA可排列在像素組PG的一側(cè)上。例如，如圖5的示例性實(shí)施方式中所示，多個(gè)透射區(qū)域TA和多個(gè)像素組PG交替地排列成格子形狀。然而，如圖6所示，多個(gè)透射區(qū)域[0117]透射區(qū)域TA是部件區(qū)域CA中未排列有輔助子像素Pa中包括的部件的至少一些的發(fā)射層的中間層和相對電極中的至少一些，或者與有機(jī)發(fā)光二極管OLED電連接的像素電路的至少一部分。數(shù)據(jù)線DL、掃描線SL和發(fā)射控制線EL(參見圖3)中的被連接以將信號提供到位于部件區(qū)域CA中的輔助子像素Pa的一些信號線可排列成橫跨透射區(qū)域TA。然而，即使在該實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)線DL、掃描線SL和發(fā)射控制線EL也可排列成朝向透射區(qū)域TA的邊緣而非朝向透射區(qū)域TA的中心偏置，以增加透射區(qū)域TA中的光/聲音透射。[0118]雖然圖5和圖6的示例性實(shí)施方式中未示出，但是金屬層可在襯底100上排列成對應(yīng)于部件區(qū)域CA的像素組PG。例如，金屬層可(例如，在z方向上)排列在輔助子像素Pa的薄膜晶體管TFT與襯底100之間。金屬層可阻擋從部件20發(fā)射的光或引導(dǎo)到部件20的外部光進(jìn)入輔助子像素Pa的像素電路PC(參見圖7和圖8)。此外，金屬層可防止因一線路線與另一線路線之間的細(xì)微間隙而導(dǎo)致的光衍射，或者減少光的衍射程度?？上蚪饘賹邮┘雍愣妷夯蛐盘栆苑乐挂蜢o電放電而損壞像素電路PC。在示例性實(shí)施方式中，部件區(qū)域CA中可排列有多個(gè)金屬層，并且在某些情況下，可對多個(gè)金屬層中的至少一個(gè)施加不同的電壓。格子形式的單個(gè)金屬層可位于部件區(qū)域CA中。[0119]圖7和圖8是根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的圖3的顯示面板10中的子像素的像素電路PC的等效電路圖。[0120]參照圖7的示例性實(shí)施方式，每個(gè)主要子像素Pm或輔助子像素Pa包括與掃描線SL和數(shù)據(jù)線DL電連接的像素電路PC,以及與像素電路PC電連接的有機(jī)發(fā)光二極管OLED。[0121]像素電路PC包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1、開關(guān)薄膜晶體管T2和存儲(chǔ)電容器Cst。開關(guān)薄膜晶體管T2與掃描線SL和數(shù)據(jù)線DL電連接，并且配置成根據(jù)經(jīng)由掃描線SL接收的掃描信號Sn,將經(jīng)由數(shù)據(jù)線DL接收的數(shù)據(jù)信號Dm傳輸?shù)津?qū)動(dòng)薄膜晶體管T1。[0122]存儲(chǔ)電容器Cst與開關(guān)薄膜晶體管T2和驅(qū)動(dòng)電壓線PL電連接。存儲(chǔ)電容器Cst存儲(chǔ)與從開關(guān)薄膜晶體管T2接收的電壓和提供到驅(qū)動(dòng)電壓線PL的驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD之間的差對應(yīng)的電壓。[0123]驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1與驅(qū)動(dòng)電壓線PL和存儲(chǔ)電容器Cst電連接，并且可根據(jù)存儲(chǔ)電容器Cst中存儲(chǔ)的電壓來控制從驅(qū)動(dòng)電壓線PL流向有機(jī)發(fā)光二極管OLED的驅(qū)動(dòng)電流。有機(jī)發(fā)光二極管OLED可基于驅(qū)動(dòng)電流的大小來發(fā)射具有一定亮度的光。[0124]雖然在圖7的示例性實(shí)施方式中所示的像素電路PC包括兩個(gè)薄膜晶體管和一個(gè)存儲(chǔ)電容器，但是本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此。例如，如圖8的示例性實(shí)施方式中所示，像素電路PC可包括七個(gè)薄膜晶體管和一個(gè)存儲(chǔ)電容器。雖然圖7的示例性實(shí)施方式中所示的像素電路PC包括一個(gè)存儲(chǔ)電容器，但是在其它示例性實(shí)施方式中，像素電路PC可包括兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)電容器。此外，雖然在圖7的示例性實(shí)施方式中所示的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1和開關(guān)薄膜晶體管T2均具有單柵電極，但是在其它示例性實(shí)施方式中，晶體管中的至少一個(gè)可具有雙柵電極等。[0125]參照圖8的示例性實(shí)施方式，每個(gè)主要子像素Pm或輔助子像素Pa包括像素電路PC和與像素電路PC電連接的有機(jī)發(fā)光二極管OLED。像素電路PC可包括多個(gè)薄膜晶體管和存儲(chǔ)電容器Cst。薄膜晶體管和存儲(chǔ)電容器Cst可與諸如掃描線SL、前一掃描線SL-1、發(fā)射控制線EL和數(shù)據(jù)線DL的信號線電連接。薄膜晶體管和存儲(chǔ)電容器Cst還可與初始化電壓線VL和驅(qū)動(dòng)電壓線PL電連接。[0126]雖然在圖8的示例性實(shí)施方式中每個(gè)主要子像素Pm或輔助子像素Pa與信號線、初始化電壓線VL和驅(qū)動(dòng)電壓線PL電連接，但是本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此。例如，信號線、初始化電壓線VL和驅(qū)動(dòng)電壓線PL中的至少中的一個(gè)可由相鄰子像素共享。[0127]信號線包括配置成傳輸掃描信號Sn的掃描線SL、將前一掃描信號Sn-1傳輸?shù)降谝怀跏蓟∧ぞw管T4和第二初始化薄膜晶體管T7的前一掃描線SL-1、將發(fā)射控制信號En傳輸?shù)讲僮骺刂票∧ぞw管T5和發(fā)射控制薄膜晶體管T6的發(fā)射控制線EL以及與掃描線SL相交并且傳輸數(shù)據(jù)信號Dm的數(shù)據(jù)線DL。驅(qū)動(dòng)電壓線PL配置成將驅(qū)動(dòng)電壓EL膜晶體管T1,并且初始化電壓線VL將初始化電壓Vint傳輸?shù)降谝怀跏蓟∧ぞw管T4和第二初始化薄膜晶體管T7,其中初始化電壓Vint初始化驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1和有機(jī)發(fā)光二極管[0128]驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1包括與存儲(chǔ)電容器Cst的下部電極CE1連接的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OG1、經(jīng)由操作控制薄膜晶體管T5連接到驅(qū)動(dòng)電壓線PL的驅(qū)動(dòng)源電極S1以及經(jīng)由發(fā)射控制薄膜晶體管T6與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的像素電極電連接的驅(qū)動(dòng)漏電極D1.驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1根據(jù)開關(guān)薄膜晶體管T2的開關(guān)操作接收數(shù)據(jù)信號Dm,并且將驅(qū)動(dòng)電流IoLED提供給有機(jī)發(fā)光二極[0129]開關(guān)薄膜晶體管T2包括連接到掃描線SL的開關(guān)柵電極G2、連接到數(shù)據(jù)線DL的開關(guān)源電極S2以及開關(guān)漏電極D2,其中開關(guān)漏電極D2連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的驅(qū)動(dòng)源電極S1并且還經(jīng)由操作控制薄膜晶體管T5連接到驅(qū)動(dòng)電壓線PL。開關(guān)薄膜晶體管T2根據(jù)經(jīng)由掃描線SL接收的掃描信號Sn導(dǎo)通，并且執(zhí)行將從數(shù)據(jù)線DL接收的數(shù)據(jù)信號Dm傳輸?shù)津?qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的驅(qū)動(dòng)源電極S1的開關(guān)操作。[0130]補(bǔ)償薄膜晶體管T3包括連接到掃描線SL的補(bǔ)償柵電極G3、與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的驅(qū)動(dòng)漏電極D1連接并且還經(jīng)由發(fā)射控制薄膜晶體管T6連接到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的像素電極的補(bǔ)償源電極S3以及連接到存儲(chǔ)電容器Cst的下部電極CE1、第一初始化薄膜晶體管T4的第一初始化漏電極D4和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OG1的補(bǔ)償漏電極D3。補(bǔ)償薄膜晶體管T3根據(jù)經(jīng)由掃描線SL接收的掃描信號Sn導(dǎo)通，并且將驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OG1和驅(qū)動(dòng)漏電極D1彼此電連接，以使得驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1為二極管連接。如圖8的示例性實(shí)施方式中所示，補(bǔ)償柵電極G3可為雙柵電極。[0131]第一初始化薄膜晶體管T4包括連接到前一掃描線SL-1的第一初始化柵電極G4、與第二初始化薄膜晶體管T7的第二初始化漏電極D7和初始化電壓線VL連接的第一初始化源電極S4以及與存儲(chǔ)電容器Cst的下部電極CE1、補(bǔ)償薄膜晶體管T3的補(bǔ)償漏電極D3和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OG1連接的第一初始化漏電極D4。第一初始化薄膜晶體管T4根據(jù)經(jīng)由前一掃描線SL-1接收的前一掃描信號Sn-1導(dǎo)通，并且配置成將初始化電壓Vint傳輸?shù)津?qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OG1,從而初始化驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌OG1的電壓。如圖8的示例性實(shí)施方式中所示，第一初始化薄膜晶體管T4可為雙柵電極。[0132]操作控制薄膜晶體管T5包括連接到發(fā)射控制線EL的操作控制柵電極G5、連接到驅(qū)動(dòng)電壓線PL的操作控制源電極S5以及操作控制漏電極D5,其中操作控制漏電極D5與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的驅(qū)動(dòng)源電極S1和開關(guān)薄膜晶體管T2的開關(guān)漏電極D2連接。[0133]發(fā)射控制薄膜晶體管T6包括連接到發(fā)射控制線EL的發(fā)射控制柵電極G6、與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的驅(qū)動(dòng)漏電極D1和補(bǔ)償薄膜晶體管T3的補(bǔ)償源電極S3連接的發(fā)射控制源電極S6以及發(fā)射控制漏電極D6,其中發(fā)射控制漏電極D6與第二初始化薄膜晶體管T7的第二初始化源電極S7和有機(jī)發(fā)光二極管OLED的像素電極電連接。[0134]操作控制薄膜晶體管T5和發(fā)射控制薄膜晶體管T6根據(jù)經(jīng)由發(fā)射控制線EL接收的[0135]第二初始化薄膜晶體管T7包括連接到前一掃描線SL-1的第二初始化柵電極G7、與發(fā)射控制薄膜晶體管T6的發(fā)射控制漏電極D6和有機(jī)發(fā)光二極管OLED的像素電極連接的第二初始化源電極S7以及與第一初始化薄膜晶體管T4的第一初始化源電極S4和初始化電壓線VL連接的第二初始化漏電極D7。第二初始化薄膜晶體管T7根據(jù)經(jīng)由前一掃描線SL-1接收[0136]雖然在圖8的示例性實(shí)施方式中第一初始化薄膜晶體管T4和第二初始化薄膜晶體管T7連接到前一掃描線SL-1,但是本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此。例如，在其它示例性實(shí)施方式中，第一初始化薄膜晶體管T4可連接到前一掃描線SL-1并且根據(jù)前一掃描信號Sn-1操作，并且第二初始化薄膜晶體管T7可連接到分離的信號線(例如，后一掃描線等)并且根據(jù)從分離的信號線傳輸?shù)男盘柌僮鳌0137]存儲(chǔ)電容器Cst的上部電極CE2連接到驅(qū)動(dòng)電壓線PL,并且有機(jī)發(fā)光二極管OLED的相對電極連接到第二電源電壓ELVSS。因此，有機(jī)發(fā)光二極管OLED可接收來自驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的驅(qū)動(dòng)電流I?LE并且發(fā)射光，從而顯示圖像。[0138]雖然在圖8的示例性實(shí)施方式中補(bǔ)償薄膜晶體管T3和第一初始化薄膜晶體管T4中的每個(gè)具有雙柵電極，但是在其它示例性實(shí)施方式中，補(bǔ)償薄膜晶體管T3和第一初始化薄膜晶體管T4中的至少一個(gè)可具有單柵電極。[0139]圖9是根據(jù)本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式的沿圖4的線I-I’和圖6的線II-II’截取的像素排列結(jié)構(gòu)的示意性剖面視圖。[0140]如上所述，顯示面板10包括主要顯示區(qū)域MDA和部件區(qū)域CA。主要顯示區(qū)域MDA中排列有多個(gè)主要子像素Pm,并且在部件區(qū)域CA中排列有多個(gè)輔助子像素Pa。部件區(qū)域CA包括透射區(qū)域TA。[0141]主要子像素Pm可包括主要薄膜晶體管TFT、主要存儲(chǔ)電容器Cst和有機(jī)發(fā)光二極管OLED。輔助子像素Pa可包括輔助薄膜晶體管TFT’、輔助存儲(chǔ)電容器Cst’和有機(jī)發(fā)光二極管OLED’。顯示面板10可具有與透射區(qū)域TA相對應(yīng)的透射孔TAH。[0142]第一金屬層BSM1可排列在主要子像素Pm的主要薄膜晶體管TFT下方(例如，在向上)以與主要薄膜晶體管TFT重疊。第二金屬層BSM2可排列在輔助子像素Pa的輔助薄膜晶體管TFT’下方(例如，在-z方向上),以與輔助薄膜晶體管TFT'重疊。然而，本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此，并且顯示面板10可具有各種修改。例如，可省略排列成與主要薄膜[0144]如上所述，襯底100可包括聚合物樹脂。如圖9的示例性實(shí)施方式中所示，襯底100包括(例如，在z方向上)順序堆疊的第一基礎(chǔ)層101、第一無機(jī)層102、第二基礎(chǔ)層103和第二無機(jī)層104。第一基礎(chǔ)層101和第二基礎(chǔ)層103各自可包括如上所述的聚合物樹脂。第一無機(jī)層102和第二無機(jī)層104中的每個(gè)都是阻止雜質(zhì)從外部滲透的阻擋層。在示例性實(shí)施方式中，第一無機(jī)層102和第二無機(jī)層104可包括諸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(Si0x)或氮氧化硅(SiON)的無機(jī)材料，并且可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。[0145]緩沖層111可布置在襯底100上以防止或減少來自襯底100的底部的雜質(zhì)的滲透，并且也可用于在襯底100上提供平坦表面以使其平坦化。在示例性實(shí)施方式中，緩沖層111可包括諸如氧化物或氮化物的無機(jī)材料、有機(jī)材料或有機(jī)-無機(jī)化合物。緩沖層111可具有單層結(jié)構(gòu)或者可具有多層結(jié)構(gòu)。[0146]如上所述，第一金屬層BSM1和第二金屬層BSM2可(例如，在z方向上)布置在襯底100與緩沖層111之間。例如，第一金屬層BSM1和第二金屬層BSM2可直接布置在第二無機(jī)層104與緩沖層111之間。然而，本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此，并且在其它示例性實(shí)屬層BSM1和第二金屬層BSM2可直接布置在第二基礎(chǔ)層103與第二無機(jī)層104之間?？商鎿Q[0147]第一金屬層BSM1和第二金屬層BSM2中的每個(gè)可通過接觸孔連接到排列在另一層施加恒定電壓或信號。例如，驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD或掃描信號可施加到第一金屬層BSM1和第二金屬層BSM2。通過向第一金屬層BSM1和第二金屬層BSM2施加恒定電壓或信號，可顯著減少像素電路PC因靜電放電而損壞的概率。然而，本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此，并且在其它示例性實(shí)施方式中，可不將電信號施加到第一金屬層BSM1和第二金屬層BSM2。在另一示例性實(shí)施方式中，第一金屬層BSM1和第二金屬層BSM2中的一個(gè)可為電浮置的，并且可將電信號施加到另一金屬層。[0148]在示例性實(shí)施方式中，第一金屬層BSM1和第二金屬層BSM2中的每個(gè)可包括選自鋁 屬層BSM2可各自具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。[0149]主要薄膜晶體管TFT和輔助薄膜晶體管TFT'可布置在緩沖層111上。例如，如圖9的示例性實(shí)施方式中所示，主要薄膜晶體管TFT和輔助薄膜晶體管TFT’直接布置在緩沖層111上。主要薄膜晶體管TFT包括第一半導(dǎo)體層A1、第一柵電極G1、第一源電極S1和第一漏電極D1。輔助薄膜晶體管TFT’包括第二半導(dǎo)體層A2、第二柵電極G2、第二源電極S2和第二漏電極連接，以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管OLED。輔助薄膜晶體管TFT’可與部件區(qū)域CA中的輔助子像素Pa的有機(jī)發(fā)光二極管OLED’電連接，以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管OLED'。[0150]在示例性實(shí)施方式中，第一半導(dǎo)體層A1和第二半導(dǎo)體層A2可布置在緩沖層111上，并且可各自包括多晶硅或非晶硅。然而，本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此。例如，在另一示例性實(shí)施方式中，第一半導(dǎo)體層A1和第二半導(dǎo)體層A2中的每個(gè)可包括選自銦(In)、一種材料的氧化物。第一半導(dǎo)體層A1和第二半導(dǎo)體層A2中的每個(gè)可包括溝道區(qū)以及摻雜有雜質(zhì)的源區(qū)和漏區(qū)。[0151]第一半導(dǎo)體層A1可與第一金屬層BSM1(例如，在z方向上)重疊，而緩沖層111位于其間。第一半導(dǎo)體層A1的面積(例如，在由x方向和y方向限定的平面上)可小于第一金屬層BSM1的面積，并且因此，當(dāng)在垂直于襯[0152]第二半導(dǎo)體層A2可與第二金屬層BSM2(例如，在z方向上)重疊，而緩沖層111位于其間。第二半導(dǎo)體層A2的面積(例如，在由x方向和y方向限定的平面上)可小于第二金屬層[0153]第一柵極絕緣層112覆蓋第一半導(dǎo)體層A1和第二半導(dǎo)體層A2。例如，如圖9的示例性實(shí)施方式中所示，第一柵極絕緣層112的下表面可直接布置在緩沖層111、第一半導(dǎo)體層A1和第二半導(dǎo)體層A2的上表面上。在示例性實(shí)施方式中，第一柵極絕緣層112可包括無機(jī)絕緣材料，諸如選自氧化硅(SiO?)、硅氮化物(SiN)、氮氧化硅(SiON)、氧化鋁(Al?0?)、氧化鈦(TiO?)、氧化鉭(Ta?0?)、氧化鉿(HfO?)和鋅氧化物(ZnO?)中的至少一種化合物。第一柵極絕緣層112可具有單層結(jié)構(gòu)或者可具有多層結(jié)構(gòu)。[0154]第一柵電極G1和第二柵電極G2排列在第一柵極絕緣層112上，以分別(例如，在z方向上)與第一半導(dǎo)體層A1和第二半導(dǎo)體層A2重疊。在示例性實(shí)施方式中，第一柵電極G1和第[0155]第二柵極絕緣層113覆蓋第一柵電極G1和第二柵電極G2。例如，如圖9的示例性實(shí)施方式中所示，第二柵極絕緣層113的下表面可直接接觸第一柵極絕緣層112、第一柵電極G1和第二柵電極G2的上表面。在示例性實(shí)施方式中，第二柵極絕緣層113可包括無機(jī)絕緣材絕緣層113可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。[0156]主要存儲(chǔ)電容器Cst的第一上部電極CE2和輔助存儲(chǔ)電容器Cst'的第二上部電極CE2’可布置在第二柵極絕緣層113上。例如，如圖9的示例性實(shí)施方式中所示，第一上部電極CE2和第二上部電極CE2'的下表面可直接接觸第二柵極絕緣層113的上表面。[0157]在主要顯示區(qū)域MD電極G1重疊。彼此重疊的第一柵電極G1和第一上部電極CE2可形成主要存儲(chǔ)電容器Cst,其中第二柵極絕緣層113位于第一柵電極G1與第一上部電極CE2之間。如圖9的示例性實(shí)施方二上部電極CE2’可與其下方(例如，在z方向上)的第二柵電極G2重疊。彼此重疊的第二柵電極G2和第二上部電極CE2'可形成輔助存儲(chǔ)電容器Cst’,其中第二柵極絕緣層113位于第二柵電極G2與第二上部電極CE2'之間。如圖9的示例性實(shí)施方式中所示，第一柵電極G1可為輔助存儲(chǔ)電容器Cst’的第二下部電極CE1’。[0158]在示例性實(shí)施方式中，第一上部電極CE2和第二上部電極CE2’中的每個(gè)可包括選中的至少一種化合物，并且可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。[0159]層間絕緣層115可形成為覆蓋第一上部電極CE2和第二上部電極CE2’。例如，如圖9的示例性實(shí)施方式中所示，層間絕緣層115的下表面可直接接觸第一上部電極CE2、第二上部電極CE2’和第二柵極絕緣層113的上表面。在示例性實(shí)施方式中，層間絕緣層115可包括[0160]第一柵極絕緣層112、第二柵極絕緣層113和層間絕緣層115統(tǒng)稱為無機(jī)絕緣層IL。無機(jī)絕緣層IL可具有對應(yīng)于透射區(qū)域TA的第一孔H1。第一孔H1可暴露緩沖層111或襯底100的上表面的一部分。第一孔H1可通過使形成為對應(yīng)于透射區(qū)域TA的第一柵極絕緣層112的開口、第二柵極絕緣層113的開口和層間絕緣層115的開口重疊來形成。開口可通過單獨(dú)的工藝單獨(dú)地形成，或者可通過相同的工藝同時(shí)形成。當(dāng)通過單獨(dú)的工藝形成開口時(shí)，第一孔H1的內(nèi)表面不光滑并且可具有階梯狀臺(tái)階。[0161]然而，在其它示例性實(shí)施方式中，無機(jī)絕緣層IL可具有凹槽而非暴露緩沖層111的絕緣層IL包括通常具有優(yōu)異的透光率的無機(jī)絕緣材料，并且因此，即使其不具有與透射區(qū)域TA相對應(yīng)的孔或凹槽，也具有足夠的透射率。因此，即使在無機(jī)絕緣層IL中不包括第一孔H1或凹槽的實(shí)施方式中，部件20(參見圖2)也可傳輸/接收足夠量的光。[0162]第一源電極S1和第二源電極S2以及第一漏電極D1和第二漏電極D2排列在層間絕緣層115上。第一源電極S1和第二源電極S2中的每個(gè)以及第一漏電極D1和第二漏電極D2中例如，第一源電極S1和第二源電極S2中的每個(gè)以及第一漏電極D1和第二漏電極D2中的每個(gè)可具有Ti/Al/Ti的多層結(jié)構(gòu)。[0163]第一平坦化層117覆蓋第一源電極S1和第二源電極S2以及第一漏電極D1和第二漏電極D2。例如，如圖9的示例性實(shí)施方式中所示，第一平坦化層117的下表面可直接接觸第一源電極S1和第二源電極S2以及層間絕緣層115的上表面。第一平坦化層117可具有上表面，該上表面具有(例如，基本上沿x方向延伸的)基本上平坦形狀。第二平坦化層118可布置在第一平坦化層117上(例如，在z方向上直接在第一平坦化層117上)。多個(gè)接觸金屬層CM和CM’可排列在第一平坦化層117與第二平坦化層118之間(例如，在z方向上)。多個(gè)接觸金屬層CM和CM’可分別通過形成在第一平坦化層117和第二平坦化層118中的接觸孔將第一像素電極221和第二像素電極221'與對應(yīng)的第一漏電極D1和第二漏電極D2電連接。[0164]在示例性實(shí)施方式中，第一平坦化層117和第二平坦化層118中的每個(gè)可包括有機(jī)材料或無機(jī)材料，并且可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。例如，第一平坦化層117和第二平坦化層118中的每個(gè)可包括諸如苯并環(huán)丁烯(Benzocyclobutene,BCB)、聚酰亞胺、六甲基二硅氧烷(Hexamethyldisiloxane,HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PolymethylMethacrylate,PMMA)或聚苯乙烯(Polystyrene,PS)的商用聚合物、具有酚類的聚合物衍生物、丙烯酸類聚合物、聚合物、其共混物或類似物。在示例性實(shí)施方式中，第一平坦化層117和第二平坦化層118中合物。在示例性實(shí)施方式中，當(dāng)形成第一平坦化層117和第二平坦化層118時(shí)，可對每層的頂表面執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光，以在每層形成后提供平坦的頂表面。[0165]第一平坦化層117和第二平坦化層118可具有對應(yīng)于透射區(qū)域TA的第二孔H2。第二孔H2可(例如，在z方向上)與第一孔H1重疊。在于第一孔H1的面積(例如，在x方向和y方向限定的平面中)。然而，本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此。例如，在另一示例性實(shí)施方式中，第一平坦化層117和第二平坦化層118可布置在無機(jī)絕緣層IL的第一孔H1的側(cè)邊緣上以覆蓋第一孔H1的邊緣，并且因此，第二孔H2的面積可小于第一孔H1的面積。[0166]第一平坦化層117和第二平坦化層118可具有暴露主要薄膜晶體管TFT的第一源電極S1和第一漏電極D1中的一個(gè)的開口，并且第一像素電極221可通過該開口，憑借接觸第一源電極S1或第一漏電極D1而與主要薄膜晶體管TFT電連接。另外，第一平坦化層117和第二平坦化層118可具有暴露輔助薄膜晶體管TFT’的第二源電極S2和第二漏電極D2中的一個(gè)的開口，并且第二像素電極221'可通過該開口，憑借接觸第二源電極S2或第二漏電極D2而與輔助薄膜晶體管TFT’電連接。[0167]在示例性實(shí)施方式中，第一像素電極221和第二像素電極221’中的每個(gè)可包括導(dǎo)電氧化物，諸如選自氧化銦錫(IndiumTinOxide,ITO)、氧化銦鋅(IndiumZincOxide,IZ0)、氧化鋅(Zn0)、氧化銦(In?0?)、氧化銦鎵(IndiumGalliumOxide,IGO)和氧化鋁鋅(AluminumZincOxide,AZO)中的至少一種化合物。第一像素電極221和第二像素電極221'素電極221和第二像素電極221'中的每個(gè)可具有以下結(jié)構(gòu)：在反射層上方或下方包括包含個(gè)可具有ITO/Ag/ITO的堆疊結(jié)構(gòu)。[0168]像素限定層119可覆蓋第一像素電極221和第二像素電極221’中的每個(gè)的側(cè)邊緣。像素限定層119具有分別與第一像素電極221和第二像素電極221’重疊的第一開口OP1和第二開口OP2,并且限定了子像素的發(fā)射區(qū)域。像素限定層119增加第一像素電極221和第二像素電極221’的邊緣與其上的相對電極223之間的距離，從而防止在第一像素電極221和第二像素電極221’的邊緣中出現(xiàn)電弧。在示例性實(shí)施方式中，像素限定層119可包括諸如選自聚且可通過旋涂或類似方式形成。[0169]像素限定層119可具有位于透射區(qū)域TA中的第三孔H3。第三孔H3可與第一孔H1和第二孔H2重疊。如圖9的示例性實(shí)施方式中所示，第三孔H3的面積(例如，在x方向和y方向限定的平面中)可大于第二孔H2的面積。然而，本發(fā)明概念的示例性實(shí)施方式不限于此。透射區(qū)域TA中的透光率可通過第一孔H1至第三孔H3提高。稍后將描述的相對電極223的一部分可排列在第一孔H1至第三孔H3的內(nèi)表面上。[0170]第一中間層222a排列成覆蓋像素限定層119.第一中間層222a可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。第一中間層222a可包括具有單層結(jié)構(gòu)的空穴傳輸層(HoleTransportLayer,HTL)?？商鎿Q地，第一中間層222a可包括空穴注入層(HoleInjectionLayer,HIL)和HTL。第一中間層222a可在分別包括在主要顯示區(qū)域MDA和部件區(qū)域CA中的主要子像素Pm和輔助子像素Pa中整體地形成。[0171]分別對應(yīng)于第一像素電極221和第二像素電極221'的第一發(fā)射層222b和第二發(fā)射層222b’排列在第一中間層222a上。在示例性實(shí)施方式中，第一發(fā)射層222b和第二發(fā)射層222b’中的每個(gè)可包括聚合物材料或低分子材料并且可發(fā)射紅色光、綠色光、藍(lán)色光或白色[0172]第二中間層222c可位于第一發(fā)射層222b和第二發(fā)射層222b'上。第二中間層222c可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。第二中間層222c可包括電子傳輸層(ElectronTransportLayer,ETL)和/或電子注入層(ElectronInjectionLayer,EIL)。第二中間層2